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本公开涉及切割鳍隔离区域及其形成方法。一种方法包括形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍。隔离区域包括在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间的部分。该方法还包括形成跨第一半导体鳍和第二半导体鳍上方的栅极堆叠，刻蚀栅极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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