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本公开涉及用于形成半导体的方法以及半导体器件。一种方法包括在多个半导体鳍上形成栅极堆叠。该多个半导体鳍包括多个内部鳍，以及位于该多个内部鳍的相对侧上的第一外部鳍和第二外部鳍。基于该多个半导体鳍生长外延区域，并且沿着第一外部鳍的外部侧壁测量的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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