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本公开提供半导体结构的形成方法。本公开提供多层内连线系统中的金属间介电层，其采用的低介电常数的介电材料与其化学与物理特性的形成方法。此处所述的沉积技术包括等离子体辅助化学气相沉积、等离子体辅助原子层沉积、与原子层沉积工艺，其前驱物如四乙氧基...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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