【技术实现步骤摘要】
封装结构的形成方法
本专利技术涉及半导体制作领域，尤其涉及一种具有电磁屏蔽的封装结构的形成方法。
技术介绍
新一代电子产品的飞速发展，推动集成电路封装也在向高密度、高频率、微型化、高集成的方向发展，而高频芯片往往会产生较强的电磁波，对封装内外及芯片造成不期望的干扰或噪声；加上电子部件密度越来越高，传输线路的距离越来越近，使得来自集成电路封装内外的电磁干扰问题也日益严重，同时会降低集成电路的品质、寿命等。在电子设备及电子产品中，电磁干扰(ElectromagneticInterference)能量通过传导性耦合和辐射性耦合来进行传输。为满足电磁兼容性要求，对传导性耦合需采用滤波技术，即采用EMI滤波器件加以抑制；对辐射性耦合则需采用屏蔽技术加以抑制。在当前电磁频谱日趋密集、单位体积内电磁功率密度急剧增加、高低电平器件或设备大量混合使用等因素而导致设备及系统电磁环境日益恶化的情况下，其重要性就显得更为突出。现有的一种电磁屏蔽解决方案，主要是在半导体封装结构上设置一个磁场屏蔽层，用于屏蔽芯片间的电磁干扰，但是现有的...
【技术保护点】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供若干半导体芯片，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相向的非功能面，所述功能面上具有若干第一焊盘；/n提供无需屏蔽的电子元件，所述无需屏蔽的电子元件的表面具有若干第二焊盘；/n提供载板；/n将所述若干半导体芯片的功能面粘合在载板上；/n形成包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层；/n在每一个所述半导体芯片一侧的载板上对应粘合所述无需屏蔽的电子元件，所述无需屏蔽的电子元件的具有第二焊盘的表面与载板的粘合表面相向；/n在所述第一屏蔽层上形成第二屏蔽层；/n形成覆盖所述第二屏蔽层、无需屏蔽的电子元件以及载板的塑封层；...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供若干半导体芯片，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相向的非功能面，所述功能面上具有若干第一焊盘；
提供无需屏蔽的电子元件，所述无需屏蔽的电子元件的表面具有若干第二焊盘；
提供载板；
将所述若干半导体芯片的功能面粘合在载板上；
形成包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层；
在每一个所述半导体芯片一侧的载板上对应粘合所述无需屏蔽的电子元件，所述无需屏蔽的电子元件的具有第二焊盘的表面与载板的粘合表面相向；
在所述第一屏蔽层上形成第二屏蔽层；
形成覆盖所述第二屏蔽层、无需屏蔽的电子元件以及载板的塑封层；
剥离所述载板，形成预封面板，所述预封面板背面露出半导体芯片的功能面上的第一焊盘以及无需屏蔽的电子元件的第二焊盘；
在所述预封面板的背面形成与第一焊盘连接的第一外部接触结构以及与第二焊盘连接的第二外部接触结构。
2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一屏蔽层的形成工艺为溅射，所述第一屏蔽层至少还覆盖半导体芯片之间周围的部分载板表面；所述无需屏蔽的电子元件在形成所述第一屏蔽层之前或之后粘合在载板上；在形成第二屏蔽层后或者剥离所述载板后，去除半导体芯片两侧的第一屏蔽层。
3.如权利要求2所述的所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二屏蔽层仅位于包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层表面上，且所述第二屏蔽层的表面呈椭球状，所述第二屏蔽层通过选择性电镀工艺、点胶工艺或网板印刷工艺形成。
4.如权利要求3所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一屏蔽层的材料为铜、钨或铝，所述第二屏蔽层的材料为铜、焊料或导电银胶。
5.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一屏蔽层为磁场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为电场屏蔽层；或者所述第一屏蔽层为电场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为磁场屏蔽层。
6.如权利要求5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述电场屏蔽层的材料为铜、钨、铝；所述磁场屏蔽层的材料为CoFeB合金、CoFeTa、NiFe、Co、CoFe、CoPt或者Ni、Co和Fe的合金。
7.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏...
【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，
申请(专利权)人：南通通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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