一种半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件。该半导体器件包括半导体基体、设置在所述半导体基体下表面的负极金属膜以及设置在所述半导体基体上表面的正极金属电极，所述正极金属电极包括从上到下依次设置的第一Au金属层、第一Pt金属层和第一Ti金属层，所述负极金属膜包括从下至上依次设置的第二Au金属层、第二Pt金属层和第二Ti金属层。本实用新型专利技术提供的半导体器件，能够有效增加金属与半导体基体的接触性能，降低串阻，进而提高半导体器件的整体工作性能。

A semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
目前，半导体器件被广泛应用于各种电子设备中。在半导体器件中，需要在半导体基底上设置金属电极。在现有的半导体器件中，由于金属电极与半导体基底二者的物质不同，二者在接触时金属容易扩散进入半导体基底内部，从而容易产生势垒，导致电阻升高，而电阻升高将会导致开启电压偏高，进而产生热量，进而损坏半导体器件的性能，导致半导体器件性能下降。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术的目的是提供一种半导体器件，解决现有半导体器件性能较差的问题。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本技术提供了一种半导体器件，包括半导体基体、设置在所述半导体基体下表面的负极金属膜以及设置在所述半导体基体上表面的正极金属电极，所述正极金属电极包括从上到下依次设置的第一Au金属层、第一Pt金属层和第一Ti金属层，所述负极金属膜包括从下至上依次设置的第二Au金属层、第二Pt金属层和第二Ti金属层。进一步地，所述正极金属电极包括一个或多个电极本体；当所述正极金属电极包括多个电极本体时，各所述电极本体相互平行，且各所述电极本体分别通过电极连接体进行串连。具体地，所述电极连接体分别与各所述电极本体相垂直。具体地，各所述电极本体均为长条状，各所述电极本体的长度相等，所述电极连接体分别与各所述电极本体的一端相连。进一步地，所述半导体基体包括从上到下依次设置的隧道结层、空穴提供层、本征层、电子提供层和衬底层。具体地，所述隧道结层为P型半导体层。具体地，所述空穴提供层为P型半导体层。具体地，所述本征层为U型半导体层。具体地，所述电子提供层为N型半导体层。具体地，所述衬底层为N型半导体层。(三)有益效果本技术的上述技术方案具有如下优点：本技术提供的半导体器件，通过在半导体基体的下表面设置负极金属膜，在半导体基体的上表面设置正极金属电极，正极金属电极包括从上到下依次设置的第一Au金属层、第一Pt金属层和第一Ti金属层，负极金属膜包括从下至上依次设置的第二Au金属层、第二Pt金属层和第二Ti金属层，其中第一Au金属层、第二Au金属层能够分别作为半导体器件正、负极的外部电路接触点，通过第一Pt金属层、第二Pt金属层能够分别有效地阻止第一Au金属层、第二Au金属层扩散进入到半导体基体内部，通过第一Ti金属层、第二Ti金属层能够分别与半导体基体的上、下表面进行良好粘附固定，从而能够有效增加金属与半导体基体的接触性能，降低串阻，进而提高半导体器件的整体工作性能。附图说明图1是本技术实施例半导体器件的主视图；图2是本技术实施例半导体器件中图1的A-A向剖视图；图3是本技术实施例半导体器件的左视图；图4是本技术实施例半导体器件中图3的B-B向剖视图。图中：1：半导体基体；11：隧道结层；12：空穴提供层；13：本征层；14：电子提供层；15：衬底层；2：负极金属膜；21：第二Au金属层；22：第二Pt金属层；23：第二Ti金属层；3：正极金属电极；31：第一Au金属层；32：第一Pt金属层；33：第一Ti金属层；301：电极本体；302：电极连接体。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1-4所示，本技术实施例提供一种半导体器件，包括半导体基体1、设置在半导体基体1下表面的负极金属膜2、以及设置在半导体基体1上表面的正极金属电极3。正极金属电极3包括从上到下依次设置的第一Au金属层31、第一Pt金属层32和第一Ti金属层33。其中，通过设置第一Au金属层31作为半导体器件正极的外部电路接触点，通过设置第一Pt金属层32能够有效阻止第一Au金属层31中的Au元素扩散进入到半导体基体1内部，通过设置第一Ti金属层33能够与半导体基体1的上表面进行良好粘附固定。负极金属膜2包括从下至上依次设置的第二Au金属层21、第二Pt金属层22和第二Ti金属层23。通过设置第二Au金属层21能够作为半导体器件负极的外部电路接触点，通过设置第二Pt金属层22能够有效阻止第二Au金属层21中的Au元素扩散进入到半导体基体1内部，通过设置第二Ti金属层23能够与半导体基体1的下表面进行良好粘附固定。本技术实施例所述的半导体器件，正极金属电极3由Au金属层、Pt金属层和Ti金属层这三种金属层构成，这三种金属层从上至下依次排列。负极金属膜2也由Au金属层、Pt金属层和Ti金属层这三种金属层构成，这三种金属层从下至上依次排列。也即，正极金属电极3和负极金属膜2都是由Au金属层、Pt金属层和Ti金属层构成的层状结构，只是构成正极金属电极3的各金属层排列顺序与构成负极金属膜2的各金属层排列顺序正好相反。本技术实施例所述的半导体器件的结构设置形式，能够有效增加金属与半导体基体的接触性能，降低串阻，进而提高半导体器件的整体工作性能，同时还能够降低半导体器件的制造难度。在本申请的实施例中，正极金属电极3可以包括一个电极本体301，也可以包括多个电极本体301。其中，电极本体301的设置数量可以根据半导体基体1上表面的尺寸大小以及实际使用需求等情况而定。当正极金属电极3包括一个电极本体301时，该电极本体301应当能够贯通半导体基体1上表面的相对两侧边。当正极金属电极3包括多个电极本体301时，各电极本体301相互平行，并且各电极本体301分别通过电极连接体302进行串连。也即，通过电极连接体302能够将相互平行的多个电极本体301依次连接，从而构成一个整体结构的正极金属电极3。在本申请的具体实施例中，电极连接体302可以分别与各电极本体301相垂直。其中，电极连接体302可以连接在各电极本体301的中部，电极连接体302也可以连接在各电极本体301的端部。在一种具体实施例中，各电极本体301均采用长条状，各电极本体301的长度相等，而电极连接体302分别与各电极本体301的一端相连，从而使正极金属电极3形成梳齿状结构。在一种具体实施例中，半导体基体1为正方体或长方体结构，也即，半导体基体1的上表面和下表面均为矩形结构。其中，负极金属膜2完全覆盖设置在半导体基体1的下表面，也即负极金属膜2的横截面为矩形结构。设定半导体基体1的上表面包括两个相对设置的第一侧边、第二侧边以及两个相对设置的第三侧边、第四侧边。电极连接体302靠近半导体基体1上表面的第一侧边，并且电极连接体302的延伸方向与第一侧边相平行。各电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于：包括半导体基体(1)、设置在所述半导体基体(1)下表面的负极金属膜(2)以及设置在所述半导体基体(1)上表面的正极金属电极(3)，所述正极金属电极(3)包括从上到下依次设置的第一Au金属层(31)、第一Pt金属层(32)和第一Ti金属层(33)，所述负极金属膜(2)包括从下至上依次设置的第二Au金属层(21)、第二Pt金属层(22)和第二Ti金属层(23)。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于：包括半导体基体(1)、设置在所述半导体基体(1)下表面的负极金属膜(2)以及设置在所述半导体基体(1)上表面的正极金属电极(3)，所述正极金属电极(3)包括从上到下依次设置的第一Au金属层(31)、第一Pt金属层(32)和第一Ti金属层(33)，所述负极金属膜(2)包括从下至上依次设置的第二Au金属层(21)、第二Pt金属层(22)和第二Ti金属层(23)。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述正极金属电极(3)包括一个或多个电极本体(301)；当所述正极金属电极(3)包括多个电极本体(301)时，各所述电极本体(301)相互平行，且各所述电极本体(301)分别通过电极连接体(302)进行串连。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述电极连接体(302)分别与各所述电极本体(301)相垂直。


4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：各...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏黎明，曹志强，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11