载盘的处理方法技术

本发明专利技术提供了一种载盘的处理方法。载盘包括盘体以及位于盘体中的多个凹槽，该处理方法包括以下步骤：去除载盘表面的生长物质，并在除凹槽之外的盘体表面生长水氧吸收材料，水氧吸收材料用于与盘体表面的氧原子结合。上述处理方法在去除盘体表面的生长物质之后，先在盘体表面生长水氧吸收材料，用于与盘体表面的氧原子结合，然后再放置基体进行半导体材料等生长物质的沉积或溅射，通过吸附残余水氧，避免了现有技术中生长物质的去除工艺导致的水氧等杂质的引入，给后续生长创造一个洁净的环境，提高了物质的生长良率，从而提高了产品的串阻升高。串阻升高。串阻升高。

【技术实现步骤摘要】
载盘的处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种载盘的处理方法。

技术介绍

[0002]半导体行业中，半导体器件的制备工艺通常是先将基体(衬底片)放置于腔室内的载盘上，然后在位于载盘中的基体上沉积或溅射半导体材料等生长物质，之后将制备完成的半导体器件从载盘中取出。
[0003]在上述制备过程中半导体材料等生长物质不仅形成在基体上，同时也在相应载盘上生长，在长时间生长后，需要先将旧载盘从腔室中取出并更换新载盘，然后再去除旧载盘上的生长物质，从而便于载盘的重复利用，增加产品边缘良率。然而，在更换载盘并去除上述生长物质的过程中会引入其他物质，从而易导致产品的串阻升高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种载盘的处理方法，以解决现有技术中更换载盘易导致产品串阻升高的问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种载盘的处理方法，载盘包括盘体以及位于盘体中的多个凹槽，处理方法包括以下步骤：去除载盘表面的生长物质，并在除凹槽之外的盘体表面生长水氧吸收材料，水氧吸收材料用于与盘体表面的氧原子结合。
[0006]进一步地，在去除载盘表面的生长物质之后，将陪片放置于凹槽中，并在盘体表面生长水氧吸收材料。
[0007]进一步地，水氧吸收材料包括Mo源，优选Mo源包括化合物和/或氰化物，且Mo源包括Al、Ga、As和P中的任一种或多种元素，更优选Mo源包括TMGa、TMAl、AsH3和PH3中的任一种或多种。
[0008]进一步地，在600～800℃的温度下沉积Mo源。
[0009]进一步地，在沉积的过程中通入电子特气，优选特气为AsH3或PH3。
[0010]进一步地，在水氧吸收材料的厚度达到2～5μm时停止沉积并降温至500℃，优选在降温的过程中持续通入电子特气。
[0011]进一步地，采用热还原工艺去除生长物质，优选热还原工艺的温度为800～1300℃，优选在包括氢气和氮气的混合气体氛围下进行热还原工艺。
[0012]进一步地，采用湿法刻蚀工艺去除生长物质，优选湿法刻蚀工艺的腐蚀剂包括氨水、双氧水和硫酸中的任一种或多种，优选在去除生长物质的步骤与生长水氧吸收材料的步骤之间，处理方法还包括对盘体表面进行干燥处理的步骤，更优选采用真空热风法进行干燥处理。
[0013]进一步地，在去除生长物质的步骤与生长水氧吸收材料的步骤之间，处理方法还包括对盘体表面进行烘烤处理的步骤，优选烘烤处理的温度为100～1000℃，更优选对盘体表面进行多步烘烤处理，且烘烤处理的温度逐步增加。
[0014]进一步地，烘烤处理包括以下步骤：在90～110℃的温度下对盘体表面进行第一步烘烤处理，第一步烘烤处理的时间为1～30min；在390～410℃的温度下对盘体表面进行第二步烘烤处理，第二步烘烤处理的时间为20～70min；在800～1000℃的温度下对盘体表面进行第三步烘烤处理，第三步烘烤处理的时间为50～120min；优选在500℃之前，在电子特气氛围下进行烘烤处理。
[0015]进一步地，采用密封或者充氮小车将载盘周转至烤炉中，以对盘体表面进行烘烤处理。
[0016]应用本专利技术的技术方案，提供了一种载盘的处理方法，该处理方法在去除盘体表面的生长物质之后，先在盘体表面生长水氧吸收材料，用于与盘体表面的氧原子结合，然后再放置基体进行半导体材料等生长物质的沉积或溅射，通过吸附残余水氧，避免了现有技术中生长物质的去除工艺导致的水氧等杂质的引入，给后续生长创造一个洁净的环境，提高了物质的生长良率，从而提高了产品的串阻升高。
附图说明
[0017]构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0018]图1示出了在本申请实施方式所提供的载盘的处理方法中载盘的俯视结构示意图。
[0019]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0020]10、载盘；110、盘体；120、凹槽；20、陪片。
具体实施方式
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。
[0022]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0023]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0024]正如
技术介绍
中所介绍的，半导体材料等生长物质不仅形成在基体上，同时也在相应载盘上生长，在长时间生长后，需要先将旧载盘从腔室中取出并更换新载盘，然后再去除旧载盘上的生长物质，从而便于载盘的重复利用，增加产品边缘良率。然而，在更换载盘并去除上述生长物质的过程中会引入其他物质，从而易导致产品的串阻升高。
[0025]本专利技术的专利技术人针对上述问题进行研究，提出了一种载盘的处理方法，载盘10如图1所示，包括盘体110以及位于盘体110中的多个凹槽120，处理方法包括以下步骤：去除载盘10表面的生长物质，并在除凹槽120之外的盘体110表面生长水氧吸收材料，水氧吸收材料用于与盘体110表面的氧原子结合。
[0026]本专利技术的上述处理方法中在去除盘体表面的生长物质之后，先在盘体表面生长水氧吸收材料，用于与盘体表面的氧原子结合，然后再放置基体进行半导体材料等生长物质的沉积或溅射，通过吸附残余水氧，避免了现有技术中生长物质的去除工艺导致的水氧等杂质的引入，给后续生长创造一个洁净的环境，提高了物质的生长良率，从而提高了产品的串阻升高。
[0027]下面将更详细地描述根据本专利技术提供的载盘的处理方法的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员。
[0028]首先，去除载盘10表面的生长物质。上述生长物质通常包括AlGaAs、AlInP、GaAs和AlGaInP等物质。
[0029]在一种优选的实施方式中，采用热还原工艺去除上述生长物质。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载盘的处理方法，特征在于，所述载盘(10)包括盘体(110)以及位于所述盘体(110)中的多个凹槽(120)，所述处理方法包括以下步骤：去除所述载盘(10)表面的生长物质，并在除所述凹槽(120)之外的所述盘体(110)表面生长水氧吸收材料，所述水氧吸收材料用于与盘体(110)表面的氧原子结合。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，在去除所述载盘(10)表面的生长物质之后，将陪片(20)放置于所述凹槽(120)中，并在所述盘体(110)表面生长所述水氧吸收材料。3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述水氧吸收材料包括Mo源，优选所述Mo源包括化合物和/或氰化物，且所述Mo源包括Al、Ga、As和P中的任一种或多种元素，更优选所述Mo源包括TMGa、TMAl、AsH3和PH3中的任一种或多种。4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，在600～800℃的温度下沉积所述Mo源。5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，在所述沉积的过程中通入电子特气，优选所述特气为AsH3或PH3。6.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，在所述水氧吸收材料的厚度达到2～5μm时停止沉积并降温至500℃，优选在所述降温的过程中持续通入所述电子特气。7.根据权利要求1至6中任一项所述的处理方法，其特征在于，采用热还原工艺去除所述生长物质，优选所述热还原工艺的温度为800～1300℃，优选在包括氢气和氮气的混合气体氛围下进行所...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏黎明，曹志强，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：