承载装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种承载装置及半导体工艺设备。该承载装置包括：基座及匀热机构；基座包括匀热盘和加热盘，匀热盘设置于加热盘上，加热盘用于加热匀热盘；匀热盘具有一上表面，上表面用于承载待加工工件，并且上表面的指定区域内开设有凹槽；匀热机构包括匀热板，匀热板可活动地设置于凹槽内，匀热板在凹槽内升降并选择性定位于多个预设位置；匀热盘和匀热板均为导热材质，通过调整匀热板和待加工工件间的距离，以调整凹槽所对应区域的热传导效能。本申请实施例实现了匀热板对应区域的热传导性能降低，使得待加工工件与该对应区域对应的区域工艺速率降低，从而大幅提高了待加工工件的工艺均匀性。件的工艺均匀性。件的工艺均匀性。

【技术实现步骤摘要】
承载装置及半导体工艺设备


[0001]本申请涉及半导体加工
，具体而言，本申请涉及一种承载装置及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]目前，在集成电路(Integrated Circuit，IC)的制造工艺中，晶圆在工艺腔室中经过刻蚀工艺后，会进入去胶腔室执行去胶工艺,去胶工艺主要是将晶圆置于高温环境中，微波源产生的等离子体与晶圆表面的光刻胶(Photoresist)反应，形成挥发性的副产物，并且被真空系统抽走从而达到去胶的目的。
[0003]现有技术中，微波源产生等离子体先经过匀流结构(Showerhead)的上层板中心圆孔进入匀流腔，然后再通过下层板上的匀流孔进入去胶腔室，然后和晶圆表面的光刻胶反应，生成挥发性的副产物，经真空系统抽走。由于现有的匀流结构存在设计缺陷，使得晶圆中部区域等离子体密度较高，导致边缘区域的等离子体密度较低，使得晶圆中部区域去胶速率快，而边缘区域的去胶速率慢，从而导致晶圆的片内去胶速率均匀性较差，其均匀性仅能达到17.83％。由于晶圆片内的去胶速率从中部区域至边缘区域呈现逐步降低趋势，因此容易产生晶圆工艺均匀性较差以及产能较低的问题。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种承载装置及半导体工艺设备，用以解决现有技术存在的工艺均匀性较差及产能较低的技术问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种承载装置，用于设置于半导体工艺设备的工艺腔室内以承载待加工工件，包括：基座及匀热机构；所述基座包括匀热盘和加热盘，所述匀热盘设置于所述加热盘上，所述加热盘用于加热所述匀热盘；所述匀热盘具有一上表面，所述上表面用于承载所述待加工工件，并且所述上表面的指定区域内开设有凹槽；所述匀热机构包括匀热板，所述匀热板可活动地设置于所述凹槽内，所述匀热板在所述凹槽内升降并选择性定位于多个预设位置；所述匀热盘和所述匀热板均为导热材质，通过调整所述匀热板和所述待加工工件间的距离，以调整所述凹槽所对应区域的热传导效能。
[0006]于本申请的一实施例中，所述匀热板的顶面上形成有摩擦结构，所述摩擦结构用于所述匀热板与所述待加工工件接触时,增加所述匀热板的顶面与所述待加工工件之间的摩擦力。
[0007]于本申请的一实施例中，所述摩擦结构包括形成于所述匀热板顶面的多个凸部，并且多个所述凸部呈阵列分布。
[0008]于本申请的一实施例中，所述摩擦结构具有一预设粗糙度，所述预设粗糙度为3至10微米。
[0009]于本申请的一实施例中，所述基座还包括聚焦环，所述聚焦环设置于所述上表面上，用于对所述待加工工件进行限位；所述指定区域为所述聚焦环内缘在所述上表面限定
的区域。
[0010]于本申请的一实施例中，所述匀热盘的轴向厚度尺寸大于所述凹槽的轴向深度尺寸。
[0011]于本申请的一实施例中，所述匀热板的形状与所述凹槽沿径向的截面形状相同，并且所述匀热板的外缘与所述凹槽的内周壁间隙配合。
[0012]于本申请的一实施例中，所述匀热板为圆形、圆环形、矩形或者三角形。
[0013]于本申请的一实施例中，所述匀热机构还包括驱动结构，所述驱动结构包括升降组件及驱动部，所述升降组件穿设于所述加热盘和所述匀热盘上，所述升降组件的顶端伸入所述凹槽内并与所述匀热板连接，底端与所述驱动部连接；所述驱动部通过驱动所述升降组件带动所述匀热板升降。
[0014]第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、等离子源以及如第一个方面提供的承载装置，所述等离子源和所述承载装置相对设置于所述工艺腔室内。
[0015]本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
[0016]本申请实施例通过调整匀热板在基座中的位置,以对基座上对应区域的热传导效能进行调节，以使匀热板对应区域的热传导性能降低，从而使得待加工工件与该对应区域对应的区域工艺速率降低，以避免由于待加工工件某一区域工艺速率较高而导致的工艺均匀性较差，从而大幅提高了待加工工件的工艺均匀性。另外由于匀热板可以定位于基座内的多个预设位置，由此可以实现最大程度弥补对应区域工艺速率的问题，从而进一步改善待加工工件的工艺均匀性。
[0017]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0018]本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1为本申请实施例提供的一种承载装置的剖视示意图；
[0020]图2为本申请实施例提供的一种匀热板位于第一位置的剖视示意图；
[0021]图3为本申请实施例提供的一种匀热板位于第二位置的剖视示意图；
[0022]图4为本申请实施例提供的一种匀热板位于第二位置的剖视示意图；
[0023]图5为本申请实施例提供的第一种匀热板与基座配合的俯视示意图；
[0024]图6为本申请实施例提供的第二种匀热板与基座配合的俯视示意图；
[0025]图7为本申请实施例提供的第三种匀热板与基座配合的俯视示意图。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
[0027]本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
[0028]下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
[0029]本申请实施例提供了一种承载装置，用于设置于半导体工艺设备的工艺腔室内以承载待加工工件100，该承载装置的结构示意图如图1所示，包括：基座1及匀热机构2；基座1包括匀热盘14和加热盘15，匀热盘14设置于加热盘15上，加热盘15用于加热匀热盘14；匀热盘14具有一上表面11，上表面11用于承载待加工工件100，并且上表面11的指定区域内开设有凹槽12；匀热机构2包括匀热板21，匀热板21可活动地设置于凹槽12内，匀热板21在凹槽12内升降并选择性定位于多个预设位置；匀热盘14和匀热板21均为导热材质，通过调整匀热板21和待加工工件100间的距离，以调整凹槽12所对应区域的热传导效能。
[0030]如图1所示，承载装置整体可以设置于半导体工艺设备的工艺腔室(图中未示出)内，用于承载待加工工件100以及对待加工工件100进行加热，该待加工工件10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种承载装置，用于设置于半导体工艺设备的工艺腔室内以承载待加工工件，其特征在于，包括：基座及匀热机构；所述基座包括匀热盘和加热盘，所述匀热盘设置于所述加热盘上，所述加热盘用于加热所述匀热盘；所述匀热盘具有一上表面，所述上表面用于承载所述待加工工件，并且所述上表面的指定区域内开设有凹槽；所述匀热机构包括匀热板，所述匀热板可活动地设置于所述凹槽内，所述匀热板在所述凹槽内升降并选择性定位于多个预设位置；所述匀热盘和所述匀热板均为导热材质，通过调整所述匀热板和所述待加工工件间的距离，以调整所述凹槽所对应区域的热传导效能。2.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述匀热板的顶面上形成有摩擦结构，所述摩擦结构用于所述匀热板与所述待加工工件接触时,增加所述匀热板的顶面与所述待加工工件之间的摩擦力。3.如权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述摩擦结构包括形成于所述匀热板顶面的多个凸部，并且多个所述凸部呈阵列分布。4.如权利要求2或3所述的承载装置，其特征在于，所述摩擦结构具有一预设粗糙度，所述预设粗糙度为3至10微米。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：高明圆，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：