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本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件。该半导体器件包括半导体基体、设置在所述半导体基体下表面的负极金属膜以及设置在所述半导体基体上表面的正极金属电极，所述正极金属电极包括从上到下依次设置的第一Au金属层、第一Pt金属层和第一...
该专利属于东泰高科装备科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东泰高科装备科技有限公司授权不得商用。

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