The invention belongs to the technical field of semiconductor technology, and discloses a semiconductor ohmic contact structure, including a semiconductor base layer of n-type GaAs, an oxide layer formed by oxidation on two sides of the base layer, and a metal layer, wherein the metal layer is successively provided with four layers from the inside to the outside, including the first metal layer, the second metal layer, the third metal layer and the fourth metal layer, wherein the The first metal layer and the second metal layer are combined to form an initial contact layer, and the thickness of the initial contact layer, the third metal layer and the fourth metal layer are increased from inside to outside in turn; the third metal layer comprises at least one structure layer; the invention uses the settings of the initial contact layer, the third metal layer and the fourth metal layer to improve the adhesion and reduce the oxide layer of the ohmic contact structure The purpose of metal contact resistance is that the initial contact layer is composed of the first metal layer and the second metal layer, forming the effect of partial diffusion, so as to improve the adhesion.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体欧姆接触结构
本专利技术属于半导体工艺
,具体涉及一种半导体欧姆接触结构。
技术介绍
在半导体科学中,不论是对半导体物理和材料的性能研究,还是半导体的器件制造,金属与半导体相互接触发挥着极其重要的作用,接触性能的好坏直接影响着器件的质量和材料、物理的研究。金属-半导体接触一般分为两类:一类是具有整流作用的肖特结,又称为肖特基势垒接触;另一类是非整流作用的欧姆结,又称为欧姆接触。通常半导体器件以及用来测试半导体参数的样品都是采用欧姆接触来连接,欧姆接触质量的好坏、接触电阻的大小和物理粘着性直接影响到器件的效率、增益和开关速度等性能指标。金属的欧姆特性很大程度影响器件的电学特性好坏,衡量金属层接触质量优劣的指标一般有接触电阻大小和物理粘着性等。一般情况下金属电极与器件的接触电阻越小越好,这就需要实现良好的欧姆接触,欧姆接触性能越好,接触电阻率越低。因此为了实现良好的欧姆接触性能,选用金属的材料、所需材料厚度和制作方法都变得至关重要。在现有技术中,以n型GaAs的欧姆接触为例,最常见的两种接触结构为合金金属类Ni/Au/Ge结构、以及非合金类金属Ti/Pt/Au结构:(1)Ni/Au/Ge结构具有良好的附着性,但在制作的过程中存在热稳定性不足的问题,导致欧姆接触表面会形成尖状突出物,影响欧姆接触性能;(2)Ti/Pt/Au结构在制作时,可通过TiAs层或PtAs层的成型来阻止Au的穿透,从而避免尖状突出物的形成,但是为了避免电流外流的问题,在GaAs的侧面通常镀一层氧化镓层, ...
【技术保护点】
1.一种半导体欧姆接触结构,包括n型GaAs的半导体基层,以及在基层的两侧面上氧化成型的氧化层,其特征在于:还包括金属层,所述金属层由内至外依次设有四层,分别包括第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层,其中所述第一金属层与第二金属层组合形成初始接触层,且初始接触层、第三金属层和第四金属层的厚度均由内至外依次增加。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体欧姆接触结构,包括n型GaAs的半导体基层,以及在基层的两侧面上氧化成型的氧化层,其特征在于:还包括金属层,所述金属层由内至外依次设有四层,分别包括第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层,其中所述第一金属层与第二金属层组合形成初始接触层,且初始接触层、第三金属层和第四金属层的厚度均由内至外依次增加。
2.根据权利要求1所述的一种半导体欧姆接触结构,其特征在于:所述初始接触层中的各层厚度均为30-100埃米。
3.根据权利要求1所述的一种半导体欧姆接触结构,其特征在于:最外层的所述第三金属层和第四金属层的厚度均为500-1000埃米。
4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:洪鹏达,高逸,洪鹏辉,洪宝璇,方小姣,陈奇芝,
申请(专利权)人:深圳市矽赫科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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