【技术实现步骤摘要】
一种电路启动装置
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及到一种电路启动装置。
技术介绍
在开关电源系统中，为了防止过冲电流损坏电源系统，需要设置一种电路启动装置，可以使输出电压缓慢上升。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种电路启动装置。一种电路启动装置，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、第一NMOS管、第一比较器、第一RS触发器、第二RS触发器、第二比较器和第一电容：所述第一电阻的一端接基准电压，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的正端；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一比较器的正端，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的基极；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一PNP管的基极，另一端接地；所述第一PNP管的基极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，集电极接所述第一NMOS管的栅极和漏极，发射极接所述第一比较器的负端和所述第一电容的一端和所述第二比较器的输出端；所述第一NMOS管的栅极接漏极和所述第一PNP...
【技术保护点】
1.一种电路启动装置，其特征在于包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、/n第一NMOS管、第一比较器、第一RS触发器、第二RS触发器、第二比较器和第一电容：/n所述第一电阻的一端接基准电压，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的正端；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一比较器的正端，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的基极；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一PNP管的基极，另一端接地；所述第一PNP管的基极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，集电极接所述第一NMOS管的栅极和漏极，发射极接所述第一比较器的负端和所述第...
【技术特征摘要】
1.一种电路启动装置，其特征在于包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、
第一NMOS管、第一比较器、第一RS触发器、第二RS触发器、第二比较器和第一电容：
所述第一电阻的一端接基准电压，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的正端；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一比较器的正端，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的基极；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一PNP管的基极，另一端接地；所述第一PNP管的基极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，集电极接所述第一NMOS管的栅极和漏极，发射极接所述第一比较器的负端和所述第一电容的一端和所述第二比较器的输出端；所述第一NMOS管的栅极接漏极和所述第一PNP管的集电极，源极接地；所述第一比较器的正...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡曙敏，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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