ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台技术

本申请公开了一种ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台，该方法包括：对硅片进行刻蚀；将刻蚀过的硅片固定在ICPMS扫描平台；使VPD液滴在硅片表面滚动，收集硅片表面的金属成份，通过倾斜硅片利用VPD液滴的重力降低VPD液滴在硅片表面的残留；将VPD液滴雾化后进行光谱分析，计算得到VPD液滴中的金属成份含量。本申请通过在ICPMS测试过程中，使VPD液滴在硅片表面滚动收集硅片表面的金属成份时，通过倾斜硅片利用VPD液滴的重力降低了VPD液滴在硅片表面的残留，提高了ICPMS测试的测试结果的准确性和稳定性。

ICPMS test method and ICPMS scanning platform

【技术实现步骤摘要】
ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种半导体制造中的ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台。
技术介绍
目前，半导体制造行业正逐渐向更高的运行速度，更小的器件尺寸方向发展，随着半导体器件尺寸的不断缩小，芯片中的元件密度也不断增加。然而，在半导体的制造过程中的元素污染问题会导致半导体器件的缺陷，作为半导体制造工艺中的原材料，硅片的表面金属成分将直接影响器件加工的合格率。鉴于此，目前半导体制造工艺中，通常使用电感耦合等离子体质谱(InductivelyCoupledPlasmaMassSpectrometry，ICPMS)测试对硅片表面的金属成分进行检测。相关技术中，ICPMS测试主要分三个步骤：S1，对硅片表层膜质进行刻蚀，使膜质里的金属成份游离在硅片表面；S2，在ICPMS设备的扫描(Padscan)平台上，通过扫描管吸附化学气相分解(VaporPhasedecomposition，VPD)液滴在硅片表面滚动来收集硅片表面的金属成份；S3，将包含金属成份的VPD液滴雾化后进行光谱分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ICPMS测试方法，其特征在于，包括：/n对硅片进行刻蚀；/n将刻蚀过的硅片固定在ICPMS扫描平台；/n使VPD液滴在所述硅片表面滚动，收集所述硅片表面的金属成份，通过倾斜所述硅片利用所述VPD液滴的重力降低所述VPD液滴在所述硅片表面的残留；/n将所述VPD液滴雾化后进行光谱分析，计算得到所述VPD液滴中的金属成份含量。/n

【技术特征摘要】
1.一种ICPMS测试方法，其特征在于，包括：
对硅片进行刻蚀；
将刻蚀过的硅片固定在ICPMS扫描平台；
使VPD液滴在所述硅片表面滚动，收集所述硅片表面的金属成份，通过倾斜所述硅片利用所述VPD液滴的重力降低所述VPD液滴在所述硅片表面的残留；
将所述VPD液滴雾化后进行光谱分析，计算得到所述VPD液滴中的金属成份含量。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使VPD液滴在所述硅片表面滚动，收集所述硅片表面的金属成份，包括：
将所述VPD液滴滴在所述硅片的中心；
通过扫描管吸附所述VPD液滴；
升起所述ICPMS扫描平台的基座，倾斜所述硅片；
使所述硅片和所述扫描管做相对运动，收集所述硅片表面的金属成份；
降落所述ICPMS扫描平台的基座，使所述硅片回复至水平。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述使所述硅片和所述扫描管做相对运动，包括：
使所述硅片和所述扫描管做相对运动，使所述VPD液滴在所述硅片上呈螺旋运动轨迹从所述硅片的中心滚动至所述硅片的边缘。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，使所述硅片和所述扫描管做相对运动，包括：
使所述硅片绕所述硅片的圆心做顺时针圆周运动，使所述扫描管绕所述扫描管的转动轴做逆时针圆周运动；或者，
使所述硅片绕所述硅片的圆心做逆时针圆周运动，使所述扫描管绕所述扫描管的转动轴做顺时针圆周运动。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述升起所述ICPMS扫描平台的基座，倾斜所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕亚冰，岳思宇，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31