HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法技术

本发明专利技术公开了一种HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，主要解决现有技术不能对HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流分离的问题。其实现方案是：制作与被测HEMT器件结构相同，栅电极和源漏电极宽度均为被测HEMT器件α倍的测试辅助器件，α>0且α≠1；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流；将被测HEMT器件的栅泄漏电流乘以α倍与HEMT测试辅助器件栅泄漏电流作差，将结果除以(α-1)项，得到被测HEMT器件的台面泄漏电流。本发明专利技术测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析栅泄漏电流中台面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。

【技术实现步骤摘要】
HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法
本专利技术属于微电子
，特别涉及高电子迁移率异质结晶体管HEMT器件的 栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，用于提高HEMT器件的可靠性。
技术介绍
近年来以GaN为代表的第三代宽禁带隙半导体以其具有禁带宽度大、击穿电场 高、热导率较高等特性，受到广泛关注。特别是GaN与AlGaN等材料形成的高电子迁移率异 质结晶体管HEMT在异质结界面处存在高浓度、高迁移率的二维电子气，利用这些特性制备 的HEMT器件在制作高频、高压及高功率电子器件和微波器件等方面有着巨大的优势和应 用前景。因此近年来GaN基HEMT器件一直是国内外学者的研究热点，并且已经获得了大量 显著的研究成果。 随着GaN基HEMT器件的发展，其栅泄漏电流对器件性能及可靠性的影响越来越 大。通常，HEMT器件选用金属作为栅极材料，这种金属/半导体形成的肖特基栅往往会形 成明显的栅泄漏电流。这些额外的栅泄漏电流会增加器件的低频噪声和静态功耗，诱发电 流崩塌现象、减小器件效率以及降低HEMT器件的击穿电压进而降低输出功率等。因此，栅 泄漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试HEMT器件中栅泄漏电流中台面泄漏电流的方法，包括如下步骤：A.制作测试辅助器件：制作结构与被测HEMT器件(1)结构相同，电极参数不同的HEMT测试辅助器件(2)；该测试辅助器件，其栅电极宽度为Wg’＝αWg，源极和漏极宽度均为Wt’＝αWt；其栅电极长度、栅漏电极之间距离、栅源电极之间距离及源漏电极的长度均与被测HEMT器件(1)的对应参数相同，其中α为电极宽度变化系数，α>0且α≠1，Wg为被测HEMT器件的栅极宽度，Wt为被测HEMT器件源极和漏极的电极宽度；B.利用半导体参数测试设备分别测试出如下两条曲线：将被测HEMT器件置于关闭状态，在漏极施加连续变化的偏置电压V，...

【技术特征摘要】
1. 一种测试HEMT器件中栅泄漏电流中台面泄漏电流的方法，包括如下步骤： A. 制作测试辅助器件： 制作结构与被测HEMT器件（1)结构相同，电极参数不同的HEMT测试辅助器件（2);该 测试辅助器件，其栅电极宽度为Wg' = aWg，源极和漏极宽度均为Wt' = aWt;其栅电极长 度、栅漏电极之间距离、栅源电极之间距离及源漏电极的长度均与被测HEMT器件（1)的对 应参数相同，其中α为电极宽度变化系数，α>〇且α尹l，Wg为被测HEMT器件的栅极宽 度，Wt为被测HEMT器件源极和漏极的电极宽度； B. 利用半导体参数测试设备分别测试出如下两条曲线： 将被测HEMT器件置于关闭状态，在漏极施加连续变化的偏置电压V，测出被测HEMT器 件的栅泄漏电流Ig(v)与偏置电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑雪峰，范爽，孙伟伟，张建坤，康迪，王冲，杜鸣，曹艳荣，马晓华，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61