【技术实现步骤摘要】
HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法
本专利技术属于微电子
，特别涉及高电子迁移率异质结晶体管HEMT器件的 栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，用于提高HEMT器件的可靠性。
技术介绍
近年来以GaN为代表的第三代宽禁带隙半导体以其具有禁带宽度大、击穿电场 高、热导率较高等特性，受到广泛关注。特别是GaN与AlGaN等材料形成的高电子迁移率异 质结晶体管HEMT在异质结界面处存在高浓度、高迁移率的二维电子气，利用这些特性制备 的HEMT器件在制作高频、高压及高功率电子器件和微波器件等方面有着巨大的优势和应 用前景。因此近年来GaN基HEMT器件一直是国内外学者的研究热点，并且已经获得了大量 显著的研究成果。 随着GaN基HEMT器件的发展，其栅泄漏电流对器件性能及可靠性的影响越来越 大。通常，HEMT器件选用金属作为栅极材料，这种金属/半导体形成的肖特基栅往往会形 成明显的栅泄漏电流。这些额外的栅泄漏电流会增加器件的低频噪声和静态功耗，诱发电 流崩塌现象、减小器件效率以及降低HEMT器件的击穿电压进而降低输出功率等。因此，栅 泄漏电流逐渐成为HEMT器件可靠性的重要研究方向之一。 HEMT器件栅泄漏电流主要包括三个部分：体泄漏电流，表面泄漏电流以及台面泄 漏电流。相对于前两者，对台面泄漏电流研究较为缺乏且没有准确的研究方法。台面泄漏 电流主要是在器件的台面隔离工艺中产生，虽然现在可以通过特殊的工艺得到控制，但是 所需要的制备成本较高，实施工艺的步骤较为复杂，并且对器件的损伤较大。相比之下台面 刻蚀方...
【技术保护点】
一种测试HEMT器件中栅泄漏电流中台面泄漏电流的方法，包括如下步骤：A.制作测试辅助器件：制作结构与被测HEMT器件(1)结构相同，电极参数不同的HEMT测试辅助器件(2)；该测试辅助器件，其栅电极宽度为Wg’＝αWg，源极和漏极宽度均为Wt’＝αWt；其栅电极长度、栅漏电极之间距离、栅源电极之间距离及源漏电极的长度均与被测HEMT器件(1)的对应参数相同，其中α为电极宽度变化系数，α>0且α≠1，Wg为被测HEMT器件的栅极宽度，Wt为被测HEMT器件源极和漏极的电极宽度；B.利用半导体参数测试设备分别测试出如下两条曲线：将被测HEMT器件置于关闭状态，在漏极施加连续变化的偏置电压V，测出被测HEMT器件的栅泄漏电流Ig(V)与偏置电压V的关系曲线Q1；用与被测HEMT器件相同的测试条件，测出HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流与偏置电压V的关系曲线Q2；C.根据步骤B中所测得的两条曲线Q1和Q2，获得被测HEMT器件的台面泄漏电流Im(V)：(C1)用被测HEMT器件的栅泄漏电流与偏置电压关系曲线Q1中各个偏置电压V所对应的栅泄漏电流Ig(V)均乘以α，并将其结果与所述关系曲线Q...
【技术特征摘要】
1. 一种测试HEMT器件中栅泄漏电流中台面泄漏电流的方法，包括如下步骤： A. 制作测试辅助器件： 制作结构与被测HEMT器件（1)结构相同，电极参数不同的HEMT测试辅助器件（2);该 测试辅助器件，其栅电极宽度为Wg' = aWg，源极和漏极宽度均为Wt' = aWt;其栅电极长 度、栅漏电极之间距离、栅源电极之间距离及源漏电极的长度均与被测HEMT器件（1)的对 应参数相同，其中α为电极宽度变化系数，α>〇且α尹l，Wg为被测HEMT器件的栅极宽 度，Wt为被测HEMT器件源极和漏极的电极宽度； B. 利用半导体参数测试设备分别测试出如下两条曲线： 将被测HEMT器件置于关闭状态，在漏极施加连续变化的偏置电压V，测出被测HEMT器 件的栅泄漏电流Ig(v)与偏置电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑雪峰，范爽，孙伟伟，张建坤，康迪，王冲，杜鸣，曹艳荣，马晓华，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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