电迁移可靠性测试结构及电迁移可靠性测试方法技术

本申请公开了一种电迁移可靠性测试结构及电迁移可靠性测试方法，该测试结构包括：测试线，测试线为集成电路中的互连线；第一通孔，第一通孔的第一端和测试线的第一端连接；第一引线，第一引线与第一通孔的第二端以及第一电流线连接，第一引线和第一通孔的第二端的连接位置和至少一对电压感测线连接；第二通孔，第二通孔的第一端和测试线的第二端连接；第二引线，第二引线与第二通孔的第二端以及第二电流线连接，第二引线和第二通孔的第二端的连接位置和至少一根电压感测线连接。本申请通过在通孔附近连接至少一对电压感测线，能够增加捕捉到测试线电阻变化的几率，提高了电迁移可靠性测试的精确度；同时，当通孔附近设置有一对以上的电压感测线时，能够进一步增加捕捉到测试线电阻变化的几率。

Structure and method of electromigration reliability test

【技术实现步骤摘要】
电迁移可靠性测试结构及电迁移可靠性测试方法
本申请涉及半导体制造领域中的可靠性评估
，具体涉及一种电迁移可靠性测试结构及电迁移可靠性测试方法。
技术介绍
电迁移现象是指半导体器件中的集成电路工作时金属线内部有电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象。由此，金属线的某些部位会因该电迁移现象而出现空洞(Void)，进而发生断路，而某些部位会因该电迁移现象而出现小丘(Hillock)，进而造成电路短路。在集成电路工艺开发阶段，可靠性评估是工艺开发是否成功评估的重要一环，而针对上述电迁移现象的电迁移可靠性测试是后段工艺评估中的一项必不可少的测试。参考图1，其示出了相关技术中提供的电迁移可靠性测试结构。该电迁移可靠性测试结构包括测试线110、第一通孔121、第二通孔122、第一引线131以及第二引线132。其中，第一引线131与第一通孔121连接，第一通孔121与测试线110的一端连接，第二通孔122与测试线110的另一端连接，第二通孔122与第二引线132连接。在测试时，第一引线131分别与第一电压感测线和第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电迁移可靠性测试结构，其特征在于，所述电迁移可靠性测试结构用于对集成电路中的互连线的电迁移可靠性进行检测，包括：/n测试线，所述测试线为所述集成电路中的互连线；/n第一通孔，所述第一通孔的第一端和所述测试线的第一端连接；/n第一引线，所述第一引线与所述第一通孔的第二端以及第一电流线连接，所述第一引线和所述第一通孔的第二端的连接位置和至少一对电压感测线连接；/n第二通孔，所述第二通孔的第一端和所述测试线的第二端连接；/n第二引线，所述第二引线与所述第二通孔的第二端以及第二电流线连接，所述第二引线和所述第二通孔的第二端的连接位置和至少一根电压感测线连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种电迁移可靠性测试结构，其特征在于，所述电迁移可靠性测试结构用于对集成电路中的互连线的电迁移可靠性进行检测，包括：
测试线，所述测试线为所述集成电路中的互连线；
第一通孔，所述第一通孔的第一端和所述测试线的第一端连接；
第一引线，所述第一引线与所述第一通孔的第二端以及第一电流线连接，所述第一引线和所述第一通孔的第二端的连接位置和至少一对电压感测线连接；
第二通孔，所述第二通孔的第一端和所述测试线的第二端连接；
第二引线，所述第二引线与所述第二通孔的第二端以及第二电流线连接，所述第二引线和所述第二通孔的第二端的连接位置和至少一根电压感测线连接。


2.根据权利要求1所述的电迁移可靠性测试结构，其特征在于，所述测试线和所述第一通孔的第一端的连接位置还与至少一对电压感测线连接；
所述测试线和所述第二通孔的第一端的连接位置还与至少一根电压感测线连接。


3.根据权利要求2所述的电迁移可靠性测试结构，其特征在于，所述第二引线和所述第二通孔的第二端的连接位置还与至少一对电压感测线连接。


4.根据权利要求3所述的电迁移可靠性测试结构，其特征在于，所述测试线和所述第二通孔的第一端的连接位置还与至少一对电压感测线连接。


5.根据权利要求4所述的电迁移可靠性测试结构，其特征在于，当所述电迁移可靠性测试结构工作时，通过所述第一电流线和所述第二电流线向所述电迁移可靠性测试结构通入电流；测量以下电压中的至少一种：
所述第一引线和所述第一通孔的第二端的连接位置的每对电压感测线中的任一电压感测线，和，所述第二引线和所述第二通孔的第二端的连接位置的任一电压感测线之间的电压；
所述测试线和所述第一通孔的第一端的连接位置的每对电压感测线中的任一电压感测线，和，所述测试线和所述第二通孔的第一端的连接位置的任一电压感测线之间的电压；
所述第二引线和所述第二通孔的第二端的连接位置的每对电压感测线中的任一电压感测线，和，所述第一引线和所述第一通孔的第二端的连接位...

【专利技术属性】
技术研发人员：马琼，曹巍，陈雷刚，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31