【技术实现步骤摘要】
检测半导体装置的故障的方法于2018年6月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0069597号且名称为“检测半导体装置的故障的方法”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
实施例涉及检测半导体装置的故障的方法。
技术介绍
可以通过芯片电特性拣选(EDS，ElectricalDieSorting)来检测半导体芯片的故障。然而，这样的工艺可能牵涉在产品开发过程中延长的反馈时间。
技术实现思路
实施例涉及一种检测半导体装置的故障的方法，所述方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源鳍和第二有源鳍；在第一有源鳍和第二有源鳍上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；在第一栅极结构的相对侧处的第一有源鳍的对应部分上形成第一源极/漏极层，并且在第二栅极结构的相对侧处的第二有源鳍的对应部分上形成第二源极/漏极层；形成分别与第一源极/漏极层和第二源极/漏极层电连接的第一布线和第二布线；以及通过向第二布线施加电压来检测第二源极/漏极层之间的漏电流。第一有源鳍可以在基底的第一区域中形成在...
【技术保护点】
1.一种检测半导体装置的故障的方法，所述方法包括以下步骤：/n在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源鳍和第二有源鳍；/n在第一有源鳍和第二有源鳍上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；/n在第一栅极结构的相对侧处的第一有源鳍的对应部分上形成第一源极/漏极层，并且在第二栅极结构的相对侧处的第二有源鳍的对应部分上形成第二源极/漏极层；/n形成分别与第一源极/漏极层和第二源极/漏极层电连接的第一布线和第二布线；以及/n通过向第二布线施加电压来检测第二源极/漏极层之间的漏电流，/n其中，第一有源鳍在基底的第一区域中形成在第一有源区上，第二有源鳍在基底的第二区域中形成在第二有源区...
【技术特征摘要】
20180618 KR 10-2018-00695971.一种检测半导体装置的故障的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源鳍和第二有源鳍；
在第一有源鳍和第二有源鳍上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；
在第一栅极结构的相对侧处的第一有源鳍的对应部分上形成第一源极/漏极层，并且在第二栅极结构的相对侧处的第二有源鳍的对应部分上形成第二源极/漏极层；
形成分别与第一源极/漏极层和第二源极/漏极层电连接的第一布线和第二布线；以及
通过向第二布线施加电压来检测第二源极/漏极层之间的漏电流，
其中，第一有源鳍在基底的第一区域中形成在第一有源区上，第二有源鳍在基底的第二区域中形成在第二有源区上，第一有源区和第二有源区分别具有比位于基底的第一区域和第二区域中的其它部分的上表面高的上表面，并且
其中，在第二有源区上形成仅一个或两个第二有源鳍。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二有源鳍上形成仅一个或两个第二栅极结构。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在第一有源区上形成一个或多个第一有源鳍。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在第一有源区上形成一个或多个第一有源鳍。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，第一有源鳍和第二有源鳍中的每个在第一方向上延伸，并且第一栅极结构和第二栅极结构中的每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
6.根据权利要求5所述的方法，其中：
在第一方向上形成多个第二有源区，并且
所述多个第二有源区中的相邻的第二有源区之间的距离等于或大于第二有源鳍的在第二方向上的宽度的30倍。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，第二有源鳍的在第一方向上的延伸长度等于或小于第二有源鳍的在第二方向上的宽度的30倍。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，第一区域为芯片区域，并且第二区域为在分隔操作中与第一区域分离的划线区域。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一有源鳍和第二有源鳍的步骤包括：
通过去除基底的上部以形成第一凹进来形成第一有源鳍和第二有源鳍；
通过去除第一有源鳍和第二有源鳍的部分以及基底的位于第一有源鳍和第二有源鳍的被去除的部分下面的部分来形成比第一凹进深的第二凹进；以及
在基底上形成隔离图案以填充第一凹进的下部和第二凹进，
其中，第一有源区和第二有源区通过第二凹进来限定。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，在第一有源鳍和第二有源鳍上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构的步骤包括：
在第一有源鳍和第二有源鳍上分别形成第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构；
在基底上形成绝缘中间层以覆盖第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构的侧壁；
去除第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构以分别形成第一开口和第二开口；以及
分别在第一开口和第二开口中形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔芝影，詹瞻，金敏燮，金洲铉，姜成建，李化成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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