一种RF射频装置的键合方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种RF射频装置的键合方法，本发明专利技术的RF射频装置采用RF器件的封装块与线圈结构的封装块进行混合键合，并且在键合之前，进行两个封装块(待键合部分)的无效封装单元的更换，可以实现产率的提高，且可以避免现有技术中在RF芯片的封装体上沉积集成线圈所带来的多层之间的应力问题，以及多层层叠沉积所带来的不可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种RF射频装置的键合方法
本专利技术涉及集成电路封装制造领域，具体涉及一种RF射频装置的键合方法。
技术介绍
现有的RF射频装置，多采用的是先将RF控制芯片进行塑封，然后在塑封体上形成再分布层，在再分布层上或者在再分布层中形成RF线圈结构。该种方法虽然实现了集成度的提高，但是其工艺上需要先进行塑封体的封装，然后再沉积再分布层，这样的顺序，导致其产率降低，且在该顺序中，只能在最后进行总体的测试，对其良率是不利的。
技术实现思路
基于解决上述问题，本专利技术提供了一种RF射频装置的键合方法，其包括：(1)形成第一待键合部分，所述第一待键合部分包括阵列排布的多个射频芯片封装单元；(2)形成第二待键合部分，所述第二待键合部分包括阵列排布的多个射频线圈封装单元；(3)检测所述第一和第二待键合部分，获得第一和第二待键合部分的有效封装单元和无效封装单元的分布图；(4)预对准所述第一和第二待键合部分，测算出最佳对准位置，该最佳对准位置使得所述多个射频芯片封装单元的有效封装单元与所述多个射频线圈封装单元的有效封装单元获得最大程度的对准；(5)在最佳对准位置处，将对准的两个封装单元之一为无效封装单元的射频芯片封装单元或射频线圈封装单元切割取下；(6)在被切割取下的无效射频芯片封装单元位置替换成另一有效射频芯片封装单元，在被切割取下的无效射频线圈封装单元位置通过半导体工艺形成有效射频线圈封装单元；(7)将所述第一和第二待键合部分进行热压键合，使得所述多个射频芯片封装单元与所述多个射频线圈封装单元分别电连接；(8)切割形成单个的RF射频装置。其中，所述第一待键合部分包括第一键合表面，所述第一键合表面由第一通孔的上表面和第一绝缘层的上表面构成。其中，所述第二待键合部分包括第二键合表面，所述第二键合表面由第二通孔的上表面和第一封装树脂的上表面构成。其中，在步骤(7)的热压键合过程中，使得所述第一通孔与第二通孔键合、所述第一绝缘层与第一封装树脂键合。其中，形成所述第二键合部分具体包括：在具有离型膜的载板上形成保护膜；在所述保护膜上沉积导电层并进行图案化以形成多个线圈；在所述载板上注塑形成第一密封树脂，以密封所述多个线圈；在所述第一密封树脂内形成多个第二通孔，所述多个第二通孔分别与所述多个线圈电连接。其中，所述步骤(6)中的所述另一有效射频芯片封装单元来自于切割另一第一待键合部分而得到，而通过半导体工艺形成有效射频线圈封装单元具体包括：在被切割取下的无效射频线圈封装单元位置，沉积另一保护膜，在所述另一保护膜上沉积金属并进行图案化形成一线圈，然后在该位置注入树脂形成密封树脂，然后在所述密封树脂内形成导电通孔。本专利技术的优点如下：本专利技术的RF射频装置采用RF器件的封装块与线圈结构的封装块进行混合键合，并且在键合之前，进行两个封装块(待键合部分)的无效封装单元的更换，可以实现产率的提高，且可以避免现有技术中在RF芯片的封装体上沉积集成线圈所带来的多层之间的应力问题，以及多层层叠沉积所带来的不可靠性。附图说明图1为两键合部分键合的示意图；图2为图1键合后的RF射频装置的剖视图；图3-5为本专利技术的键合方法的示意图(俯视示意图)；图6为本专利技术的键合方法的剖视图。具体实施方式本专利技术的RF射频装置其区别于现有技术的将射频线圈集成于再分布层或层间介电层内，且在制造工艺中，区别于现有技术的依次层叠沉积金属层和/或介电层，并在该层叠沉积中形成射频线圈。本专利技术采用两个部分进行压合的方式形成，可以单个封装的独立制造，以提高产率，且能够实现封装的良率。参见图1-2，其包括第一键合部分和第二键合部分，其中第一键合部分包括线路板10、多个射频器件11和12、第一封装树脂13、再分布层结构。所述线路板10包括中介基板、印刷电路板、封装基板等，所述线路板具有相对的第一表面和第二表面。该线路板10用于外接其他部件，可以额外的设置外部连接端子，其内部可以具有导线层和通孔结构。射频器件11、12包括放大器、滤波器、天线开关等，其主要用于处理射频信号或控制封装电路。该射频器件11、12可以多余两个，例如三个、四个等，其固定于所述第一表面上，且电连接于所述线路板10。第一封装树脂13，密封所述射频器件11、12和所述第一表面；所述第一封装树脂13的材质为光固化或热固化树脂，例如PI、PBO、环氧树脂、硅树脂等。在所第一封装树脂13中形成有多个第一通孔14，该多个第一通孔14电连接所述多个射频器件。再分布层包括布线层15、第一绝缘层16、第二绝缘层20和第一通孔21，所述布线层15设置于所述第一封装树脂13上，且与所述多个第一通孔14电连接；所述第一绝缘层16，覆盖所述布线层15上；第二绝缘层20，覆盖所述第一绝缘层16；所述第一通孔21贯穿所述第一和第二绝缘层，并且所述第一绝缘层和第二绝缘层为聚合物材料，其具有一定的应力缓冲作用。所述电磁屏蔽层18，位于所述第一绝缘层16与所述第二绝缘层20之间，且经图案化形成多个空隙部分19；该多个空隙部分19为了使得第一通孔21进行穿过。所述第二键合部分包括天线组件，所述天线组件包括载板30、保护膜31、线圈32、第二封装树脂33和第二通孔35，其中所述保护膜31形成于所述载板30上，所述线圈32形成于所述保护膜32上。所述线圈32为螺旋形线圈结构，且通过沉积金属层然后进行刻蚀形成。所述第二封装树脂33完全覆盖所述线圈32，且多个连接柱40电连接所述布线层15和所述线圈32，所述多个连接柱40穿过所述第一绝缘层16、第二绝缘层20和多个空隙部分19。所述第二通孔35形成于所述第二封装树脂33中，且电连接于所述线圈32。其中，第一键合部分和第二键合部分通过热压键合层压在一起，且所述第二封装树脂33与所述第二绝缘层20之间紧密接合，不存有缝隙，所述第一通孔21和第二通孔35键合为一体，形成第三通孔40(参见图2)。上述键合方法会因为封装和半导体工艺本身的问题，导致部分键合后的RF器件失效，不利于提高产率。为了提高产率和良率，本专利技术提供了一种新型RF射频装置的键合方法，其包括：(1)形成第一待键合部分，所述第一待键合部分包括阵列排布的多个射频芯片封装单元；(2)形成第二待键合部分，所述第二待键合部分包括阵列排布的多个射频线圈封装单元；(3)检测所述第一和第二待键合部分，获得第一和第二待键合部分的有效封装单元和无效封装单元的分布图；(4)预对准所述第一和第二待键合部分，测算出最佳对准位置，该最佳对准位置使得所述多个射频芯片封装单元的有效封装单元与所述多个射频线圈封装单元的有效封装单元获得最大程度的对准；(5)在最佳对准位置处，将对准的两个封装单元之一为无效封装单元的射频芯片封装单元或射频线圈封装单元切割取下；(6)在被切割取下的无效射频芯片封装单元位置替换成另一有效射频芯片封装单元，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RF射频装置的键合方法，其包括：/n(1)形成第一待键合部分，所述第一待键合部分包括阵列排布的多个射频芯片封装单元；/n(2)形成第二待键合部分，所述第二待键合部分包括阵列排布的多个射频线圈封装单元；/n(3)检测所述第一和第二待键合部分，获得第一和第二待键合部分的有效封装单元和无效封装单元的分布图；/n(4)预对准所述第一和第二待键合部分，测算出最佳对准位置，该最佳对准位置使得所述多个射频芯片封装单元的有效封装单元与所述多个射频线圈封装单元的有效封装单元获得最大程度的对准；/n(5)在最佳对准位置处，将对准的两个封装单元之一为无效封装单元的射频芯片封装单元或射频线圈封装单元切割取下；/n(6)在被切割取下的无效射频芯片封装单元位置替换成另一有效射频芯片封装单元，在被切割取下的无效射频线圈封装单元位置通过半导体工艺形成有效射频线圈封装单元；/n(7)将所述第一和第二待键合部分进行热压键合，使得所述多个射频芯片封装单元与所述多个射频线圈封装单元分别电连接；/n(8)切割形成单个的RF射频装置。/n

【技术特征摘要】
1.一种RF射频装置的键合方法，其包括：
(1)形成第一待键合部分，所述第一待键合部分包括阵列排布的多个射频芯片封装单元；
(2)形成第二待键合部分，所述第二待键合部分包括阵列排布的多个射频线圈封装单元；
(3)检测所述第一和第二待键合部分，获得第一和第二待键合部分的有效封装单元和无效封装单元的分布图；
(4)预对准所述第一和第二待键合部分，测算出最佳对准位置，该最佳对准位置使得所述多个射频芯片封装单元的有效封装单元与所述多个射频线圈封装单元的有效封装单元获得最大程度的对准；
(5)在最佳对准位置处，将对准的两个封装单元之一为无效封装单元的射频芯片封装单元或射频线圈封装单元切割取下；
(6)在被切割取下的无效射频芯片封装单元位置替换成另一有效射频芯片封装单元，在被切割取下的无效射频线圈封装单元位置通过半导体工艺形成有效射频线圈封装单元；
(7)将所述第一和第二待键合部分进行热压键合，使得所述多个射频芯片封装单元与所述多个射频线圈封装单元分别电连接；
(8)切割形成单个的RF射频装置。


2.根据权利要求1所述的RF射频装置的键合方法，其特征在于：所述第一待键合部分包括第一键合表面，所述第一键合表面由第一通孔的上表面和第一绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洁，
申请(专利权)人：苏州福唐智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32