一种晶圆键合的激光加工方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆键合的激光加工方法，本发明专利技术的通孔是后续形成的，其与现有的键合方式不同，可以实现更为灵活的通孔形成方式。其可以实现激光的熔融焊接晶圆的同时，实现通孔的修复或者提供较为可靠的通孔结构；并且，由于激光通过通孔进行照射，属于局部加热至焊料上，而非整体加热以及加热至晶圆上，可以避免晶圆内的应力。

A Laser Machining Method for Wafer Bonding

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆键合的激光加工方法
本专利技术涉半导体晶圆键合领域，属于H01L23/00分类号下，尤其涉及一种晶圆键合的激光加工方法。
技术介绍
晶圆键合往往是通过双晶圆在键合材料的高温烧结下，使得双晶圆实现集成并达到电互通的。该种高温烧结往往是对晶圆的整体进行整体式加热，这会影响晶圆内部已经形成的各种电子部件（例如晶体管等），且容易引用晶圆的翘曲。
技术实现思路
基于解决上述问题，本专利技术提供了一种晶圆键合的激光加工方法，包括如下步骤：（1）提供第一晶圆，所述第一晶圆具有相对的正面和背面，并在所述第一晶圆内形成贯通所述正面和背面的第一导电孔；（2）在所第一晶圆的正面上涂覆一层粘合层，并在对应所述第一导电孔的位置形成开窗；（3）利用植球工艺在所述开窗对应的位置设置焊料球；（4）提供第二晶圆，所述第二晶圆具有通孔结构，所述通孔结构对应于所述第一导电孔，该通孔结构包括具有第一宽度的通孔和具有第二宽度的盲孔，其中所述通孔的一端露出于所述第二晶圆的背面，另一端露出于所述盲孔的底部，且所述第一宽度小于所述第二宽度，以形成一阶梯形状；（5）将第二晶圆的正面与第一晶圆的正面压合在一起，经由所述通孔照射激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆键合的激光加工方法，包括如下步骤：（1）提供第一晶圆，所述第一晶圆具有相对的正面和背面，并在所述第一晶圆内形成贯通所述正面和背面的第一导电孔；（2）在所第一晶圆的正面上涂覆一层粘合层，并在对应所述第一导电孔的位置形成开窗；（3）利用植球工艺在所述开窗对应的位置设置焊料球；（4）提供第二晶圆，所述第二晶圆具有通孔结构，所述通孔结构对应于所述第一导电孔，该通孔结构包括具有第一宽度的通孔和具有第二宽度的盲孔，其中所述通孔的一端露出于所述第二晶圆的背面，另一端露出于所述盲孔的底部，且所述第一宽度小于所述第二宽度，以形成一阶梯形状；（5）将第二晶圆的正面与第一晶圆的正面压合在一起，经由所述通...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合的激光加工方法，包括如下步骤：（1）提供第一晶圆，所述第一晶圆具有相对的正面和背面，并在所述第一晶圆内形成贯通所述正面和背面的第一导电孔；（2）在所第一晶圆的正面上涂覆一层粘合层，并在对应所述第一导电孔的位置形成开窗；（3）利用植球工艺在所述开窗对应的位置设置焊料球；（4）提供第二晶圆，所述第二晶圆具有通孔结构，所述通孔结构对应于所述第一导电孔，该通孔结构包括具有第一宽度的通孔和具有第二宽度的盲孔，其中所述通孔的一端露出于所述第二晶圆的背面，另一端露出于所述盲孔的底部，且所述第一宽度小于所述第二宽度，以形成一阶梯形状；（5）将第二晶圆的正面与第一晶圆的正面压合在一起，经由所述通孔照射激光至所述焊料球的顶部，使得所述焊料球熔融并填充所述盲孔，并在所述通孔的所述另一端形成一弧形凸面；（6）利用导电材料填充所述通孔，以形成电连接所述导电孔的另一导电孔。2.根据权利要求1所述的晶圆键合的激光加工方法，其特征在于：所述焊料球突出于所述粘合层之上，即焊料球高度大于所述粘合层的高度。3.根据权利要求1所述的晶圆键合的激光加工方法，其特征在于：在所述激光照射前，所述通孔的侧壁具有第一粗糙度，在所述激光照射后，所述通孔的侧壁具有第二粗糙度，其中，所述第一粗糙度大于所述第二粗糙度。4.根据权利要求1所述的晶圆键合的激光加工方法，其特征在于：所述另一导电孔的孔径小于所述导电孔的孔径。5.一种晶圆键合的激光加工方法，包括如下步骤：（1）提供第一晶圆，并在所述第一晶圆的正面上先形成第一粘合层；（2）在所述第一粘合层中形成多个第一开口，所述第一开口对应于后续需要形成通...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洁，
申请(专利权)人：苏州福唐智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32