【技术实现步骤摘要】
一种湿法刻蚀缺陷的检测方法
本专利技术涉及一种半导体检测缺陷方法，尤其涉及一种湿法刻蚀缺陷的检测方法。
技术介绍
集成电路是在晶圆的表面一层一层叠加形成，随着半导体制造技术的飞速发展，集成电路功能越来越强大，其制造过程也越来越复杂。从晶圆到集成电路，其制造工艺相当复杂，对应的制造成本也非常高，因此需要对每一道工序做严格控制。若是其中任何一个工艺步骤的控制不当，则会使得形成的集成电路出现质量问题，导致晶圆的报废。因此需要对每一道工序之前对需要工艺的机台做严格控制，在实际的生产过程中，往往先对需要工艺的机台用测试晶圆(monitorwafer)进行实验监控，如果实验数据在我们的控制范围内，则机台才符合可生产状态。在测试晶圆进行湿法刻蚀时，湿法刻蚀时酸液对晶圆进行刻蚀，晶圆表面会变得十分粗糙，表面变得疏松多孔。缺陷扫描只能对晶圆表面进行检测，预先设定的缺陷扫描菜单会将粗糙层的表面设定为正常，并进行过滤，将粗糙层过滤掉的同时与粗糙层形貌类似的缺陷也会存在被一并过滤的可能。所以会导致缺陷扫描时未检测到缺陷，但实际中存在缺陷的现...
【技术保护点】
1.一种湿法刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一测试晶圆，对所述测试晶圆的上表面进行一湿法刻蚀工艺；/n于经过所述湿法刻蚀工艺后的所述测试晶圆上表面去除一预定厚度；/n检测所述去除预定厚度后的测试晶圆以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷。/n
【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一测试晶圆，对所述测试晶圆的上表面进行一湿法刻蚀工艺；
于经过所述湿法刻蚀工艺后的所述测试晶圆上表面去除一预定厚度；
检测所述去除预定厚度后的测试晶圆以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述测试晶圆具有一外延层，所述湿法刻蚀工艺刻蚀所述外延层。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述外延层通过对所述测试晶圆执行一外延工艺获得。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述于经过所述湿法刻蚀工艺后的所述测试晶圆上表面去除一预设厚度的步骤中，通过一抛光工艺去除所述预定厚度。
5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述抛光工艺为化学机械研磨。
6.根据权利要求1所述的检...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晟，李琦缘，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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