半导体装置和包括该半导体装置的测试系统制造方法及图纸

本申请公开了一种半导体装置和包括该半导体装置的测试系统。一种半导体装置，包括：焊盘单元，其包括多个数据输入/输出(I/O)焊盘和多个错误检测码焊盘；错误检测码(EDC)读取路径，其被配置为通过对多个数据执行错误检测操作来产生多个EDC，并且通过多个错误检测码焊盘来输出多个EDC；比较电路，其被配置为通过将多个EDC进行比较来产生比较结果信号；以及数据读取路径，其被配置为通过多个数据I/O焊盘中的任意一个来输出比较结果信号。

Semiconductor device and test system including the semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和包括该半导体装置的测试系统相关申请的交叉引用本申请要求2018年6月19日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0070328的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
各种实施例总体而言涉及一种半导体电路，以及更具体地，涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的测试系统。
技术介绍
半导体装置(例如，半导体存储装置)需要测试存储单元阵列的正常操作。例如，半导体装置需要测试数据是否已被正常写入或读取。因此，半导体装置可以通过根据从与半导体装置耦接的测试设备提供的命令和测试数据而执行写入/读取操作来执行测试。半导体装置可以通过多个数据输入/输出焊盘(在下文中，被称为DQ焊盘)来执行数据输入/输出，所述多个数据输入/输出焊盘与封装体外部的多个DQ引脚一对一地耦接。此外，半导体装置可以通过经由错误检测操作(例如，循环冗余校验(CRC)操作)检测输入/输出数据是否包含错误来产生错误检测码(EDC)，并且通过错误检测焊盘(在下文中，被称为EDC焊盘)将所产生的EDC输出到半导体装置的外部，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n焊盘单元，其包括多个数据输入和输出焊盘以及多个错误检测码焊盘；/n错误检测码读取路径，其被配置为通过对多个数据执行错误检测操作来产生多个错误检测码，并且通过所述多个错误检测码焊盘来输出所述多个错误检测码；/n比较电路，其被配置为通过对所述多个错误检测码进行比较来产生比较结果信号；以及/n数据读取路径，其被配置为通过所述多个数据输入和输出焊盘中的任意一个来输出所述比较结果信号。/n

【技术特征摘要】
20180619 KR 10-2018-00703281.一种半导体装置，包括：
焊盘单元，其包括多个数据输入和输出焊盘以及多个错误检测码焊盘；
错误检测码读取路径，其被配置为通过对多个数据执行错误检测操作来产生多个错误检测码，并且通过所述多个错误检测码焊盘来输出所述多个错误检测码；
比较电路，其被配置为通过对所述多个错误检测码进行比较来产生比较结果信号；以及
数据读取路径，其被配置为通过所述多个数据输入和输出焊盘中的任意一个来输出所述比较结果信号。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述数据读取路径被配置为根据测试命令而通过所述多个数据输入和输出焊盘中的任意一个来输出所述比较结果信号。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述错误检测码读取路径包括：
第一错误检测电路，其被配置为通过对所述多个数据之中的第一数据执行错误检测操作来产生第一错误检测码，并且将所述第一错误检测码传送到第一错误检测码焊盘；
第一储存电路，其被配置为根据测试命令，储存所述第一错误检测码并且将所储存的第一错误检测码传送到所述比较电路；
第二错误检测电路，其被配置为通过对所述多个数据之中的第二数据执行错误检测操作来产生第二错误检测码，并且将所述第二错误检测码传送到第二错误检测码焊盘；以及
第二储存电路，其被配置为根据所述测试命令，储存所述第二错误检测码并且将所储存的第二错误检测码传送到所述比较电路。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述数据读取路径通过对所述多个数据进行压缩来产生多个压缩数据，并且通过所述多个数据输入和输出焊盘中的任意一个来输出所述多个压缩数据。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述数据读取路径包括：
第一数据压缩电路，其被配置为通过将所述多个数据中的第一数据压缩来产生第一压缩数据；
第一多路复用器，其被配置为根据第一测试命令来选择并输出所述第一数据或所述第一压缩数据；以及
第二多路复用器，其被配置为根据第二测试命令，选择所述第一多路复用器的输出或所述比较结果信号，并且通过所述多个数据输入和输出焊盘之中的第一测试焊盘来输出选中的信号。


6.一种半导体装置，包括：
存储单元阵列；
焊盘单元，其包括多个数据输入和输出焊盘以及第一错误检测码焊盘和第二错误检测码焊盘；
写入路径，其被配置为根据写入命令和第一次测试命令，将通过所述多个数据输入和输出焊盘之中的第一测试焊盘输入的第一测试数据复制到其他焊盘的信号路径中，以将所述第一测试数据写入所述存储单元阵列；以及
读取路径，其被配置为通过对根据读取命令而从所述存储单元阵列输出的第一数据和第二数据的错误检测操作来产生第一错误检测码和第二错误检测码，通过所述第一错误检测码焊盘和第二错误检测码焊盘来输出所述第一错误检测码和第二错误检测码，通过根据第二测试命令而储存所述第一错误检测码和第二错误检测码并进行比较来产生比较结果信号，以及通过所述第一测试焊盘来输出所述比较结果信号。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述读取路径包括：
错误检测码读取路径，其被配置为产生所述第一错误检测码和第二错误检测码，并且分别通过所述第一错误检测码焊盘和第二错误检测码焊盘来输出所述第一错误检测码和所述第二错误检测码；
比较电路，其被配置为通过对所述第一错误检测码与所述第二错误检测码进行比较来产生所述比较结果信号；以及
数据读取路径，其被配置为根据所述第二测试命令而通过所述第一测试焊盘来输出所述比较结果信号。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述错误检测码读取路径包括：
第一错误检测电路，其被配置为通过对所述第一数据执行错误检测操作来产生所述第一错误检测码，并且将所述第一错误检测码传送到所述第一错误检测码焊盘；
第一储存电路，其被配置为根据所述第二测试命令，储存所述第一错误检测码，并且将所储存的所述第一错误检测码传送到所述比较电路；
第二错误检测电路，其被配置为通过对所述第二数据执行错误检测操作来产生所述第二错误检测码，并且将所述第二错误检测码传送到所述第二错误检测码焊盘；以及
第二存储电路，其被配置为根据所述第二测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：张修宁，孔奎捧，李根一，朱镕奭，秋景淏，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR