半导体电磁屏蔽结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体电磁屏蔽结构，其包括：基板，其具有呈相对的第一表面和第二表面，基板的内部设有电路连接结构；至少两个半导体器件，其设置在第二表面上，相邻的每两个半导体器件之间具有装配间隔，半导体器件与电路连接结构电连接；封装层，其至少覆盖在半导体器件和第二表面上，封装层上设有填充缝隙，填充缝隙在装配间隔中的部分沿着装配间隔延伸，以隔开相邻的两个半导体器件；电磁屏蔽层，其包括填充在填充缝隙中的第一屏蔽层和覆盖在封装层的表面上的第二屏蔽层，第一屏蔽层与第二屏蔽层连接成一体。由此形成的电磁屏蔽结构具有更好的电磁信号抗干扰效果。

Semiconductor electromagnetic shielding structure and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
半导体电磁屏蔽结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件电磁屏蔽
，尤其涉及一种半导体电磁屏蔽结构及其制作方法。
技术介绍
随着电子产品趋向于多功能化和小型化发展，往往在一个半导体模块上集成多个芯片，为了防止芯片间的电磁信号互相干扰，一般采用表贴隔磁材料或者金属屏蔽罩的方式，达到屏蔽信号电磁干扰效果。虽然这些电磁屏蔽方式的实现较为简单，但是其存在的缺点也同样明显，比如其自身结构和组装结构占用空间大。以芯片上设置的电磁屏蔽结构为例，需要将金属屏蔽罩的边缘粘贴在芯片表面，金属屏蔽罩与PCB板接触的位置需要向外凹折出一块区域，以用于与PCB板黏连。而对于一体化的半导体模块来说，芯片间的空隙需要尽量地小，若每一个芯片单独配置一个金属屏蔽罩，则会加大芯片间的间隙，使得半导体模块的整体体积增大，无法满足与其它电子元器件组合起来使用的要求。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体电磁屏蔽结构，旨在解决现有的电磁屏蔽结构占用空间大的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体电磁屏蔽结构，包括：基板，其具有呈相对的第一表面和第二表面，所述基板的内部设有电路连接结构；至少两个半导体器件，其设置在所述第二表面上，相邻的每两个所述半导体器件之间具有装配间隔，所述半导体器件与所述电路连接结构电连接；封装层，其至少覆盖在所述半导体器件和第二表面上，所述封装层上设有从其与所述第二表面相对的表面向内延伸、且至少部分位于所述装配间隔处的填充缝隙，所述填充缝隙在所述装配间隔中的部分沿着所述装配间隔延伸，以隔开相邻的两个所述半导体器件；电磁屏蔽层，其包括填充在所述填充缝隙中的第一屏蔽层和覆盖在所述封装层的表面上的第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层连接成一体。优选地，所述第一屏蔽层通过在所述填充缝隙中填充银而成。优选地，所述第二屏蔽层通过在所述封装层的表面上溅镀镍而成。优选地，所述第二屏蔽层包括在所述封装层的表面上通过溅镀而成的内屏蔽层和在所述内屏蔽层的表面上通过电镀而成的外屏蔽层。优选地，所述内屏蔽层的材料为镍，所述外屏蔽层的材料为银。优选地，所述内屏蔽层的厚度为3～5μm，所述外屏蔽层的厚度为0.5～1μm。优选地，所述填充缝隙的截面形状呈T字型。优选地，所述填充缝隙包括位于所述装配间隔处的间隔部和沿所述半导体器件的周向其余部分延伸的包围部，所述间隔部与包围部连通，以形成环绕所述半导体器件的环形结构。优选地，所述封装层由环氧树脂制成。本专利技术还提供一种半导体电磁屏蔽结构的制作方法，包括：步骤一、提供半导体模块，所述半导体模块包括基板、至少两个半导体器件和封装层，其中，所述基板具有呈相对的第一表面和第二表面，并且内部形成电路连接结构；所述至少两个半导体器件贴装在所述第二表面上，相邻的每两个所述半导体器件之间具有装配间隔，所述半导体器件与所述电路连接结构电连接；所述封装层至少覆盖在所述半导体器件和第二表面上；步骤二、在所述封装层上形成从其与所述第二表面相对的表面向内延伸、且至少部分位于所述装配间隔处的填充缝隙，所述填充缝隙在所述装配间隔中的部分沿着所述装配间隔延伸，以隔开相邻的两个所述半导体器件；步骤三、在所述填充缝隙中填充第一金属材料以形成第一屏蔽层，和在所述封装层的表面上溅镀第二金属材料以形成第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层连接成一体。相较于现有技术，本专利技术充分利用相邻两半导体器件之间的装配间隔，通过在封装层开设位于装配间隔处的填充缝隙，并在填充缝隙中填充有第一屏蔽层以隔开相邻两半导体器件，同时封装层的表面上覆盖有第二屏蔽层，第一屏蔽层与第二屏蔽层连接成一体，由此形成一个完成的电磁屏蔽罩结构，可以在几乎不增加半导体模块体积的情况下实现各个半导体器件之间的电磁屏蔽，同时满足一体化模块的设计要求；并且部分内嵌的屏蔽结构，具有更好的电磁信号抗干扰效果。附图说明图1为本专利技术的半导体电磁屏蔽结构第一实施例的结构示意图；图2为本专利技术的半导体电磁屏蔽结构第二实施例的局部放大图；图3为本专利技术的半导体电磁屏蔽结构第三实施例的局部放大图；图4为本专利技术的半导体电磁屏蔽结构第四实施例的结构示意图。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体电磁屏蔽结构，参见图1和图2，该半导体电磁屏蔽结构包括基板10、至少两个半导体器件20、封装层30和电磁屏蔽层40，其中基板10主要给半导体器件20提供安装基础，其具有呈相对的第一表面和第二表面，基板10的内部设有电路连接结构11，通过该电路连接结构11实现与半导体器件20的电连接，以及实现与外部其它电子器件的电连接，比如在一种实现方式中，基板10为PCB板，电路连接结构11为内部设置的覆铜结构和导电穿孔，第一表面上设有与电路连接结构11电连接的第一金属触点12。需要说明的是，图1所示的电路连接结构11仅为示例，本领域的技术人员可以根据半导体器件20的具体结构设计相匹配的电路连接结构，比如适应SIP产品的封装要求。另外，还需要说明的是，上述半导体器件20可以是单一电子元件，也可以是多个电子元件组合成的功能单元，比如单一单子元件可以是各种与特定应用场景相适应的芯片，功能单元可以是芯片与其配套电子元件的组合，在本专利技术的具体应用实例中，半导体器件20可以采用任意适用的类型，在此不作限制。半导体器件20设置在第二表面上，其与基板10的贴装工艺主要是多种形式的焊接。本实施例中，第二表面上按照特定的设计要求贴装有多个半导体器件20，以半导体器件20为单一芯片为例，比如多个芯片沿着一条直线排列，又比如多个芯片沿着一条横向的直线和一条纵向的直线排列，相邻的每两个芯片之间预留装配间隔，为了缩减一体化半导体模块的体积，提高集成化程度，前述装配间隔应当尽可能小。本实施例中，半导体器件20面向第二表面的一面上设有与电路连接结构11电连接的第二金属触点21，可以理解的是，半导体器件20与第二表面形成机械连接和电连接。封装层30覆盖在半导体器件20和第二表面上，比如本实施例采用塑料封装工艺，封装层30由环氧树脂制成，具体的封装过程已为本领域的技术人员所熟知，在此不作赘述。该封装层30将基板10和半导体器件20封装成一个整体，整个半导体模块的结构更加紧凑。封装层30上设有从其与第二表面相对的表面向内延伸、且至少部分位于装配间隔处的填充缝隙，填充缝隙在装配间隔中的部分沿着装配间隔延伸，以隔开相邻的两个半导体器件20，填充缝隙的深度可以根据半导体器件20的尺寸和安装位置确定，主要是覆盖半导体器件20的电磁信号产生部位，比如在一较佳实施方式中，填充缝隙贯穿封装层30的相对两侧面。具体而言，半导体器件20的外形一般是特定的规则形状，尤其是对于单一的芯片而言，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，包括：/n基板，其具有呈相对的第一表面和第二表面，所述基板的内部设有电路连接结构；/n至少两个半导体器件，其设置在所述第二表面上，相邻的每两个所述半导体器件之间具有装配间隔，所述半导体器件与所述电路连接结构电连接；/n封装层，其至少覆盖在所述半导体器件和第二表面上，所述封装层上设有从其与所述第二表面相对的表面向内延伸、且至少部分位于所述装配间隔处的填充缝隙，所述填充缝隙在所述装配间隔中的部分沿着所述装配间隔延伸，以隔开相邻的两个所述半导体器件；/n电磁屏蔽层，其包括填充在所述填充缝隙中的第一屏蔽层和覆盖在所述封装层的表面上的第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层连接成一体。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，包括：
基板，其具有呈相对的第一表面和第二表面，所述基板的内部设有电路连接结构；
至少两个半导体器件，其设置在所述第二表面上，相邻的每两个所述半导体器件之间具有装配间隔，所述半导体器件与所述电路连接结构电连接；
封装层，其至少覆盖在所述半导体器件和第二表面上，所述封装层上设有从其与所述第二表面相对的表面向内延伸、且至少部分位于所述装配间隔处的填充缝隙，所述填充缝隙在所述装配间隔中的部分沿着所述装配间隔延伸，以隔开相邻的两个所述半导体器件；
电磁屏蔽层，其包括填充在所述填充缝隙中的第一屏蔽层和覆盖在所述封装层的表面上的第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层连接成一体。


2.根据权利要求1所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述第一屏蔽层通过在所述填充缝隙中填充银而成。


3.根据权利要求1或2所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述第二屏蔽层通过在所述封装层的表面上溅镀镍而成。


4.根据权利要求1所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述第二屏蔽层包括在所述封装层的表面上通过溅镀而成的内屏蔽层和在所述内屏蔽层的表面上通过电镀而成的外屏蔽层。


5.根据权利要求4所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述内屏蔽层的材料为镍，所述外屏蔽层的材料为银。


6.根据权利要求5所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，孙日欣，李振华，刘小刚，刘焱，胡霄，
申请(专利权)人：深圳佰维存储科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44