半导体电磁屏蔽结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体电磁屏蔽结构，其包括：基板，其具有呈相对的第一表面和第二表面，基板的内部设有电路连接结构；至少两个半导体器件，其设置在第二表面上，相邻的每两个半导体器件之间具有装配间隔，半导体器件与电路连接结构电连接；封装层，其至少覆盖在半导体器件和第二表面上，封装层上设有填充缝隙，填充缝隙在装配间隔中的部分沿着装配间隔延伸，以隔开相邻的两个半导体器件；电磁屏蔽层，其包括填充在填充缝隙中的第一屏蔽层和覆盖在封装层的表面上的第二屏蔽层，第一屏蔽层与第二屏蔽层连接成一体。由此形成的电磁屏蔽结构具有更好的电磁信号抗干扰效果。

Semiconductor electromagnetic shielding structure and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
半导体电磁屏蔽结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件电磁屏蔽
，尤其涉及一种半导体电磁屏蔽结构及其制作方法。
技术介绍
随着电子产品趋向于多功能化和小型化发展，往往在一个半导体模块上集成多个芯片，为了防止芯片间的电磁信号互相干扰，一般采用表贴隔磁材料或者金属屏蔽罩的方式，达到屏蔽信号电磁干扰效果。虽然这些电磁屏蔽方式的实现较为简单，但是其存在的缺点也同样明显，比如其自身结构和组装结构占用空间大。以芯片上设置的电磁屏蔽结构为例，需要将金属屏蔽罩的边缘粘贴在芯片表面，金属屏蔽罩与PCB板接触的位置需要向外凹折出一块区域，以用于与PCB板黏连。而对于一体化的半导体模块来说，芯片间的空隙需要尽量地小，若每一个芯片单独配置一个金属屏蔽罩，则会加大芯片间的间隙，使得半导体模块的整体体积增大，无法满足与其它电子元器件组合起来使用的要求。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体电磁屏蔽结构，旨在解决现有的电磁屏蔽结构占用空间大的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体电磁屏蔽结构，包括：...

【技术保护点】
1.一种半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，包括：/n基板，其具有呈相对的第一表面和第二表面，所述基板的内部设有电路连接结构；/n至少两个半导体器件，其设置在所述第二表面上，相邻的每两个所述半导体器件之间具有装配间隔，所述半导体器件与所述电路连接结构电连接；/n封装层，其至少覆盖在所述半导体器件和第二表面上，所述封装层上设有从其与所述第二表面相对的表面向内延伸、且至少部分位于所述装配间隔处的填充缝隙，所述填充缝隙在所述装配间隔中的部分沿着所述装配间隔延伸，以隔开相邻的两个所述半导体器件；/n电磁屏蔽层，其包括填充在所述填充缝隙中的第一屏蔽层和覆盖在所述封装层的表面上的第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所...

【技术特征摘要】
1.一种半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，包括：
基板，其具有呈相对的第一表面和第二表面，所述基板的内部设有电路连接结构；
至少两个半导体器件，其设置在所述第二表面上，相邻的每两个所述半导体器件之间具有装配间隔，所述半导体器件与所述电路连接结构电连接；
封装层，其至少覆盖在所述半导体器件和第二表面上，所述封装层上设有从其与所述第二表面相对的表面向内延伸、且至少部分位于所述装配间隔处的填充缝隙，所述填充缝隙在所述装配间隔中的部分沿着所述装配间隔延伸，以隔开相邻的两个所述半导体器件；
电磁屏蔽层，其包括填充在所述填充缝隙中的第一屏蔽层和覆盖在所述封装层的表面上的第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层连接成一体。


2.根据权利要求1所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述第一屏蔽层通过在所述填充缝隙中填充银而成。


3.根据权利要求1或2所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述第二屏蔽层通过在所述封装层的表面上溅镀镍而成。


4.根据权利要求1所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述第二屏蔽层包括在所述封装层的表面上通过溅镀而成的内屏蔽层和在所述内屏蔽层的表面上通过电镀而成的外屏蔽层。


5.根据权利要求4所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述内屏蔽层的材料为镍，所述外屏蔽层的材料为银。


6.根据权利要求5所述的半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，孙日欣，李振华，刘小刚，刘焱，胡霄，
申请(专利权)人：深圳佰维存储科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44