一种高耐温度循环的IGBT模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高耐温度循环的IGBT模块，包括散热铜板、设置于所述散热铜板上的陶瓷覆铜板、贴装于所述陶瓷覆铜板上的IGBT、与所述陶瓷覆铜板连接的信号端子和功率端子、以及壳体；所述信号端子采用相邻两个信号端子并联的方式进行注塑配合，通过注塑工艺与所述壳体形成一体，其下端通过超声波焊接工艺与所述陶瓷覆铜板连接，其上端连接外部电气系统；所述功率端子采用对称式分支结构，两个支脚向内凹陷形成一定弧度；所述信号端子和所述功率端子通过冲压、折弯机械工艺成形。本实用新型专利技术提高了IGBT模块信号端子的实用性，提高了IGBT模块的功率循环次数和高温度承受能力，提高了功率端子和信号端子的焊接效率，简化了结构及制造工艺。

IGBT module with high temperature resistance cycle

【技术实现步骤摘要】
一种高耐温度循环的IGBT模块
本技术涉及功率半导体器件
，尤其是一种高耐温度循环的IGBT模块。
技术介绍
目前，IGBT模块在功率电子电路中的应用较为广泛，并且通常在采用半导体封装。IGBT半导体封装技术包含材料选择、结构设计、工艺设计、封装工艺等问题，把芯片通过校核计算且较为美观地匀称布局封装成模块。封装工艺需要考虑器件的电流平衡、芯片散热和工艺工序的简化等。现有的大功率半导体器件，端子承载能力和高耐温度循环性能是有待提高的。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供一种高耐温度循环的IGBT模块，通过增大端子的承载能力，提升整体高耐温度循环性能，提升IGBT模块应用的广泛性和实用性。本技术保护一种高耐温度循环的IGBT模块，包括散热铜板、设置于所述散热铜板上的陶瓷覆铜板、贴装于所述陶瓷覆铜板上的IGBT、与所述陶瓷覆铜板连接的信号端子和功率端子、以及壳体；所述信号端子采用相邻两个信号端子并联的方式进行注塑配合，通过注塑工艺与所述壳体形成一体，其下端通过超声波焊接工艺与所述陶瓷覆铜板连接，其上端连接外部电气系统本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高耐温度循环的IGBT模块，包括散热铜板、设置于所述散热铜板上的陶瓷覆铜板、贴装于所述陶瓷覆铜板上的IGBT、与所述陶瓷覆铜板连接的信号端子和功率端子、以及壳体，其特征在于，/n所述信号端子采用相邻两个信号端子并联的方式进行注塑配合，通过注塑工艺与所述壳体形成一体，其下端通过超声波焊接工艺与所述陶瓷覆铜板连接，其上端连接外部电气系统；/n所述功率端子采用对称式分支结构，两个支脚向内凹陷形成一定弧度；所述信号端子和所述功率端子通过冲压、折弯机械工艺成形；/n所述信号端子由相互垂直的立板和底板构成，所述立板设有弯折部，整体呈Z字形；所述立板高25.3mm，所述底板长12.9mm、宽2mm。...

【技术特征摘要】
1.一种高耐温度循环的IGBT模块，包括散热铜板、设置于所述散热铜板上的陶瓷覆铜板、贴装于所述陶瓷覆铜板上的IGBT、与所述陶瓷覆铜板连接的信号端子和功率端子、以及壳体，其特征在于，
所述信号端子采用相邻两个信号端子并联的方式进行注塑配合，通过注塑工艺与所述壳体形成一体，其下端通过超声波焊接工艺与所述陶瓷覆铜板连接，其上端连接外部电气系统；
所述功率端子采用对称式分支结构，两个支脚向内凹陷形成一定弧度；所述信号端子和所述功率端子通过冲压、折弯机械工艺成形；
所述信号端子由相互垂直的立板和底板构成，所述立板设有弯折部，整体呈Z字形；所述立板高25.3mm，所述底板长...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁磊，
申请(专利权)人：合肥中恒微半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34