Nor闪存DFN封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种Nor闪存DFN封装结构，包括基板、封装于所述基板上的晶片、固定在所述晶片上的六个引脚以及多个引线；所述六个引脚对称设于基板的两侧，所述多个引线连接晶片和基板；所述封装结构的长为1.15mm～1.25mm；所述封装结构的宽为1.15mm～1.25mm；所述封装结构的高为0.35mm～0.4mm。本实用新型专利技术的封装结构的面积和厚度降低，从而使得体积更小，可以更广泛的应用在屛下指纹和摄像头等小型产品的需求。同时，因为封装体积的减小，也进一步降低了封装的成本。

DFN packaging structure of NOR flash memory

【技术实现步骤摘要】
Nor闪存DFN封装结构
本技术涉及集成电路封装
，具体涉及一种Nor闪存DFN封装结构。
技术介绍
NOR闪存是一种非易失闪存技术，DFN封装是一种表面贴装封装技术。随着电子产业的快速发展，计算机或其他电子产品上越来越多的直接使用电子模块来节省空间，设置于该电子模块上的印刷电路板上需要设置若干个管脚，过去Nor闪存DFN封装以DFN2mm*3mm*0.55mm为主，这种封装的主要问题是面积和厚度太大，不能满足屏下指纹和摄像头等小型产品的需求。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种Nor闪存DFN封装结构，减少了面积和厚度，使其可以满足小型产品的需求。为实现上述目的，本技术提供一种Nor闪存DFN封装结构，包括基板、封装于所述基板上的晶片、固定在所述晶片上的六个引脚以及多个引线；所述六个引脚对称设于基板的两侧，所述多个引线连接晶片和基板；所述封装结构的长为1.15mm～1.25mm；所述封装结构的宽为1.15mm～1.25mm；所述封装结构的高为0.35本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Nor闪存DFN封装结构，其特征在于：包括基板、封装于基板上的晶片、固定在所述晶片上的六个引脚以及多个引线；/n所述六个引脚对称设于基板的两侧，所述多个引线连接晶片和基板；/n所述封装结构的长为1.15mm～1.25mm；/n所述封装结构的宽为1.15mm～1.25mm；/n所述封装结构的高为0.35mm～0.4mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种Nor闪存DFN封装结构，其特征在于：包括基板、封装于基板上的晶片、固定在所述晶片上的六个引脚以及多个引线；
所述六个引脚对称设于基板的两侧，所述多个引线连接晶片和基板；
所述封装结构的长为1.15mm～1.25mm；
所述封装结构的宽为1.15mm～1.25mm；
所述封装结构的高为0.35mm～0.4mm。


2.根据权利要求1所述的Nor闪存DFN封装结构，其特征在于：
所述晶片的厚度为90um。


3.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨东恩，唐维强，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44