本实用新型提供一种LDO电路、LDO及SOC系统，电路或系统中的放大器对基准电压和输出电压分压的差值进行调整；在输出偏低或低冲时，减弱输出电压低冲控制管导通，降低功率管栅极电压，增大功率管驱动电流，快速升高输出电压；在输出过冲时，降低放...

本发明公开了一种时钟振荡器电路、电荷泵电路及Flash芯片，时钟振荡器OSC产生的第一时钟脉冲CLK，不直接输入至给电荷泵Charge pump，而是经过电平保持模块处理后得到第二时钟脉冲CLKm，再输入至电荷泵Charge pump，...

本发明公开了一种减小电荷泵输出电压纹波的电路，在满足相同的驱动能力的条件下，将传统的一组电荷泵均分多组电荷泵组并行输出，同时控制电荷泵组的数量，在电荷泵输出电压需抬升时可采用多个电荷泵组一起并行工作，以减小电荷泵输出电压的上升时间，电荷...

本发明公开了一种带电压建立标志的负压电荷泵电路及flash芯片，通过增加第二比较器作为电荷泵输出电压的动态监测模块，可以更加直观、准确且可靠地表征电荷泵输出电压是否已经建立，给其他电路提供了建立时间的准确坐标，优化了电路性能，并且给其他...

本发明公开了一种电荷泵电路及非易失性存储器，在NOR flash从正常状态到待机状态切换时，先使用负高压电路模块使负电荷泵核心模块的输出电压达到预设值后再启用负低压电路模块，可以有效缩短负电荷泵核心模块的输出电压建立时间，提高芯片性能和...

本实用新型提供一种振荡器及芯片，通过电源电压检测电路实时检测电源电压的高低，根据电源电压的高低控制NMOS的偏置电压和PMOS的偏置电压的高低，使环形振荡器的振荡频率不随电源电压的高低而变化，保证芯片的正常运行。

本发明公开了一种负压电荷泵的放电电路及非易失型储存器，采用恒流放电电路与常规负压电荷泵放电电路相结合的方式，在保证放电晶体管安全的前提提升放电速度；在放电初始阶段，采用恒流放电电路进行放电，经过一段时间后负压电荷泵的输出电压放电到某一限...

本发明公开了一种并行的flash寿命测试装置，控制单元向拓展单元发送控制指令，拓展单元对控制指令进行解释，并根据解释后的指令对多个待测flash进行并行的寿命测试；利用FPGA引脚多且可以实现并行处理的特性实现大数量flash并行检测,...

本发明公开了一种基准电压自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端，发送一个目标基准电压，通过比较器比较芯片的基准电压与目标基准电压的大小，若基准电压大于目标基准电压，则减小基准电压，直至基准电压与目标基准电压的差值落入误差范围内；若基准...

本发明公开了一种结构简单的低功耗快速敏感放大器电路及存储器，整个电路采用mos管实现，电路的结构和电路元件简单，满足使用要求；通过采用动态锁存比较器降低敏感放大器功耗，提高敏感放大器的速度和比较精度，从而提高了读速度和对存储单元的写入阈...

本发明公开了一种高速率的flash极限读写速度测试装置，通过采用拓展单元的pll模块对输入的板载时钟信号进行倍频，得到多个高速的时钟信号，再通过拓展单元的slot模块根据指令中操作flash时所采用的时钟速率从pll模块产生的时钟信号中...

本发明公开了一种非易失性芯片错误注入验证方法、装置、存储介质和终端，通过预先编写错误类型，然后依次发送已经编写好的错误激励，对错误激励进行解析，在模拟模型执行相应操作时，根据错误激励判断模拟模型中执行相应操作的存储单元是否为错误激励中标...

本发明公开了一种SD NAND测试方法、装置、存储介质和终端，通过设置不同优先级的线程，根据线程对SD NAND FLASH进行读写校验，以实现对SD NAND FLASH的读写压力测试；因为每个线程包括固定数据，所以当SD NAND ...

本发明公开了一种非易失型芯片的低电压报警方法、装置、存储介质和终端，当检测到一个较高的电压点时使非易失型芯片退出编程和擦除操作，当检测到一个更低的电压点时，即配置寄存器和状态寄存器在电压出现不稳定甚至掉电时，只要在非易失型芯片重新上电后...

本发明公开了一种非易失性存储器的坏块修复方法、装置、存储介质和终端，当Nor Flash开始擦除操作后，先验证待擦除的模块是否需要进行擦除，若验证不通过，则计数执行第一次擦除操作；当执行完擦除操作后，再次验证该模块是否擦除完成，若验证不...

本发明公开了一种非易失型闪存上电参数检查方法、装置、存储介质和终端，在芯片上电前，通过脚本文件提取测试用例的上电参数和芯片中默认配置的上电参数进行对比，判断测试用例与芯片是否存在逻辑互斥导致上电失败情况，以代替原来通过仿真波形判断上电参...

本发明公开了一种检测flash存储出错的方法、电路、存储介质和终端，在CP测试模式下采用特殊配置信号，让待测flash能够在测试模式下使用正常的写指令写入固定数据，再通过测试模式下的读指令边读取数据边进行对比，输出对比结果的标志信号，并...

本发明公开了一种提高灵敏放大器读取可靠性方法、装置、存储介质和终端，通过为灵敏放大器的参考电流叠加一路附加电流，所述附加电流和与处于读状态的存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0V时产生的电流之和同增同减，这样，参考电流与处于读状态...

本发明公开了一种减小非易失性闪存芯片面积的电路及非易失性闪存芯片，在不改变灵敏放大器个数的前提下，减少数据编程单元，将128个数据编程单元改为32个数据编程单元，减小灵敏放大器和数据编程单元模块的总面积；对于16Mbit串行NOR Fl...

本发明公开了一种高速读取数据的SPI接口的FLASH存储器，在传输时钟信号的上升沿和下降沿分别对输入的数据信号采样，可以在不改变外部时钟信号频率情况下，实现输入数据传输速率加倍，而且同时接受4线输入数据，两者结合输入速率可达SCK频率的...