一种RFID芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种RFID芯片及其制作方法，一方面，其公开了一种RFID芯片，采用无基板的电极嵌入封装胶结构，电极嵌入在封装胶中，由于没有传统QFN电极所附着的筋线的限制，框架间隙更小、所需键合线更少，在相同感抗下，封装体结构更简单、成本更低；另一方面，相应的，其还公开了一种RFID制作方法，采用剥离式承载片的加工工艺，制作工艺流程也更简单、更环保，其芯片产品的布线设计也有了更大自由度，后续封装的效率也获得了极大提高。

A kind of RFID chip and its making method

【技术实现步骤摘要】
一种RFID芯片及其制作方法
本专利技术属于RFID(射频识别)领域，其具体涉及一种RFID(射频识别)芯片及其制作方法。
技术介绍
RFID是RadioFrequencyldentification的缩写，即，射频识别，是一种非接触式的自动识别技术，它通过射频信号自动识别目标对象，可快速地进行物品追踪和数据交换。识别工作无须人工干预，可工作于各种恶劣环境。RFID技术可识别高速运动物体并可同时识别多个标签，操作快捷方便。RFID技术诞生于第二次世界大战期间，它是传统条码技术的继承者，又称为″电子标签″或“射频标签”。RFID芯片是物联网的关键部件，现有技术中，它的芯片封装通常是在QFN的支架上完成的，封装工艺较为复杂，且由于支架蚀刻受限于框架铜厚及支撑筋，使得这类框架的精度和应用大大受限制，图1为传统的RFID芯片结构，我们可以看到，框架的筋挡住了环形天线的连续性，需要用键合线来实现跨接，无疑对阻抗有较大影响；同时，QFN框架的铜厚通常为0.15mm-0.25mm，天线蚀刻的间隙通常是厚度的0.8倍，即，0.12mm-0.2mm，导致封装可靠性较低，获得的封装体较大，成本高、机械强度较低。正是由于现有技术的种种缺陷，目前，亟需获得一种制作工艺流程更为简单环保，且可降低生产成本、提高封装效率的RFID芯片制作工艺，并亟需获得一种具有大感抗、小体积的RFID芯片产品；这对于积极推动我国物联网产业发展，提升核心竞争力，都具有重要的作用。
技术实现思路
针对现有技术存在的缺陷，本专利技术提供了一种RFID芯片及其制作方法，该RFID芯片采用无基板的电极嵌入封装胶结构，没有传统QFN电极所附着的筋线的限制，框架间隙更小、所需键合线更少，在相同感抗下，封装体结构更简单、成本更低；且其采用剥离式承载片的加工工艺，制作工艺流程也更简单、更环保，且芯片产品的布线设计也有了更大自由度，后续封装的效率也获得了极大提高。本专利技术技术方案为：一种RFID芯片，该RFID芯片采用无基板的电极嵌入封装胶结构，包括电极、芯片元件、及封装胶，其中，所述芯片元件通过固晶形成在电极上，所述封装胶对上述电极和芯片元件进行封装，所述电极嵌入在封装胶中。较佳的，所述芯片元件附着在电极上，由一种以上的子芯片构成，子芯片间通过电极或键合线进行连接。较佳的，所述子芯片的朝向一致，或者，所述键合线的朝向一致。较佳的，所述电极的纵截面为“T”形结构或“I”形结构。较佳的，所述电极为单层金属材料构成，所述单层金属包括如下任一或其合金：铝、金、银、镍、铜；或者，所述电极为多层金属构成，其包括内核金属和表面金属构成的多层结构，其中内核金属和表面金属包括如下任一或其任意组合：银、金、镍、铜。较佳的，所述电极分布为多圈的环形线结构。与上述RFID芯片的技术方案对应的，其还公开了一种RFID芯片制作方法，包括如下步骤：步骤1)准备铜箔A、粘接层B及承载片C；步骤2)在铜箔上选择性电镀形成电极；步骤3)贴合铜箔A，粘接层B和承载片C；步骤4)蚀刻除去没有被电极保护的铜箔，得到独立的封装载体；步骤5)在电极上固晶、封装；步骤6)剥离承载片C；步骤7)分割、测试。较佳的，所述粘接层B为耐高温的可剥胶。较佳的，在所述步骤2)中选择性电镀形成顶电极D及底电极E，其中，底电极E表面为铜、锡、镍、银、金或它们的合金；顶电极E全表面或部分表面为铜、锡、镍、银、金或它们的合金；电极体为导电性能良好的金属。较佳的，在所述步骤2)中形成的电极分布为多圈的环形线结构。可见，本专利技术提供的RFID芯片，由于采用了无基板的电极嵌入封装胶结构，没有传统QFN电极所附着的筋线的限制，框架间隙更小、所需键合线更少，在相同感抗下，封装体结构更简单、成本更低；相应的RFID制作方法，由于采用剥离式承载片的加工工艺，制作工艺流程也更简单、更环保，且芯片产品的布线设计也有了更大自由度，后续封装的效率也获得了极大提高。附图说明图1为传统RFID芯片之俯视图；图2为为本专利技术中RFID芯片之俯视图；图3为本专利技术中RFID芯片之剖示图；图4本专利技术中RFID芯片制作方法之主流程；图5为本专利技术一个实施例中RFID芯片的结构图；图6为本专利技术另一个实施例中RFID芯片的结构图。附图标记说明：1、导体；2、IC芯片；3、键合线；4、电极；5、粘合层；6、载板。具体实施方式下文是附图1至6所示的本专利技术优选实施例的更为具体的说明，通过这些说明，本专利技术的特征和优点将显而易见。在本专利技术一个实施例中，该RFID芯片采用无基板的电极嵌入封装胶结构，包括电极、芯片元件、及封装胶，其中，所述LED发光芯片元件通过固晶形成在电极上，所述封装胶对上述电极和芯片元件进行封装，所述电极嵌入在封装胶中。在该实施例中，由于其采用了无基板的电极嵌入封装胶结构，其没有筋线的限制，其框架的间隙可以做到0.05mm甚至更小；图2为该RFID芯片的俯视图，图3为该RFID芯片的剖示图，比较图1中传统QFN电极结构可以看出，本专利技术中RFID芯片键合的线比QFN的少两条，封装的效率高、可靠性高、成本低，而且，该RFID芯片框架包含的面积更大，可以有更大的感抗，即，要获得同样的感抗，本专利技术中该RFID芯片可以把封装体做得更小，产品的机械强度更高。在一些具体的实施例中，对所述电极进行了进一步的设计，其采用多圈的环形“拉后”(pull-back)电极，即，电极在封装胶里电极为上大下小(“T”结构)或中间小两头大(“I”结构)，从而，可将电极牢固地锁定在封装胶里；其中，电极可以是单层金属构成，也可以是多层金属构成：当为单层金属材料构成时，所述单层金属包括如下任一或其合金——铝、金、银、镍、铜；当为多层金属构成，其包括内核金属和表面金属构成的多层结构，其中内核金属和表面金属包括如下任一或其任意组合——银、金、镍、铜等，优选的，内核金属为铜。较优的，其电极分布为多圈的环形线结构，如一到三圈。此外，所述电极除了满足电连接的要求外，还应考虑电极的阻抗，优选镀银作为电极表面金属，从而减少阻抗；进一步的，还可以通过提高电极的厚度，从而减少阻抗。在一些具体实施例中，所述芯片元件附着在电极上，由一种以上的子芯片构成，子芯片间通过电极或键合线进行连接。在设计子芯片分布时，优选的，该子芯片的朝向一致，或者键合线的朝向一致，这样可以有利于固晶焊线的效率及后加工的良率。此外，所述封装胶为保护性的胶体，通常为环氧树脂胶。对应的，在一个实施例中，本专利技术还公开了一种RFID芯片制作方法，如图4所示，其包括如下步骤：步骤1)准备铜箔A、粘接层B及承载片C；步骤2)在铜箔上选择性电镀形成电极；步骤3)贴合铜箔A，粘接层B和承载片C；步骤4)蚀刻除去没有被电极保护的铜箔，得到独立的封装载体；步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RFID芯片，其特征在于，该RFID芯片采用无基板的电极嵌入封装胶结构，包括电极、芯片元件、及封装胶，其中，所述芯片元件通过固晶形成在电极上，所述封装胶对上述电极和芯片元件进行封装，所述电极嵌入在封装胶中。/n

【技术特征摘要】
1.一种RFID芯片，其特征在于，该RFID芯片采用无基板的电极嵌入封装胶结构，包括电极、芯片元件、及封装胶，其中，所述芯片元件通过固晶形成在电极上，所述封装胶对上述电极和芯片元件进行封装，所述电极嵌入在封装胶中。


2.根据权利要求1所述的RFID芯片，其特征在于，优选的，所述芯片元件附着在电极上，由一种以上的子芯片构成，所述子芯片间通过电极或键合线进行连接。


3.根据权利要求2所述RFID芯片，其特征在于，所述子芯片的朝向一致，或者，所述键合线的朝向一致。


4.根据权利要求1所述的RFID芯片，其特征在于，所述电极的纵截面为“T”形结构或“I”形结构。


5.根据权利要求1所述的RFID芯片，其特征在于，所述电极为单层金属材料构成，所述单层金属包括如下任一或其合金：铝、金、银、镍、铜；或者，所述电极为多层金属构成，其包括内核金属和表面金属构成的多层结构，其中内核金属和表面金属包括如下任一或其任意组合：银、金、镍、铜。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：何忠亮，徐光泽，沈正，
申请(专利权)人：深圳市环基实业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44