发光二极管装置制造方法及图纸

提供一种发光二极管装置。该发光二极管装置包括波长转换层、发光二极管层、光透射层和护套层。波长转换层具有第一折射率。发光二极管层包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构。光透射层设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并具有第二折射率。护套层设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第二折射率的第三折射率。

LED device

【技术实现步骤摘要】
发光二极管装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0064846的优先权，其公开通过引用整体并入本文。
与本公开一致的装置、器件和制造用品涉及发光二极管装置。
技术介绍
半导体发光元件在施加电流时通过使用电子和空穴的复合原理而发光，并且由于其诸如低功耗、高亮度、小型化等各种优点而广泛用作光源。特别是，由于开发了基于氮化物的发光元件，半导体发光元件更广泛地应用于各种领域中，并且用作光源模块、家庭照明装置、汽车灯等。由于半导体发光元件广泛用于各种领域，它们的应用正扩展到高电流/高输出领域。由于半导体发光元件如上所述地用于高电流/高输出领域，在相关
中正在进行用于提高半导体发光元件封装的可靠性的研究。
技术实现思路
一方面，提供一种具有提高的光提取效率的发光二极管装置。根据示例性实施例的一方面，提供一种发光二极管装置，包括：具有第一折射率的波长转换层；发光二极管层，其包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构；光透本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管装置，包括：/n波长转换层，其具有第一折射率；/n发光二极管层，其包括基层和发光结构，所述基层设置在所述波长转换层上，所述发光结构设置在所述基层上；/n光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁并与所述发光二极管层的侧壁接触，并且具有第二折射率；以及/n护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并且具有小于所述第二折射率的第三折射率。/n

【技术特征摘要】
20180605 KR 10-2018-00648461.一种发光二极管装置，包括：
波长转换层，其具有第一折射率；
发光二极管层，其包括基层和发光结构，所述基层设置在所述波长转换层上，所述发光结构设置在所述基层上；
光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁并与所述发光二极管层的侧壁接触，并且具有第二折射率；以及
护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并且具有小于所述第二折射率的第三折射率。


2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第一折射率大于所述第二折射率。


3.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其中，所述基层具有第四折射率，所述第四折射率大于所述第一折射率。


4.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁的至少一部分与所述护套层接触。


5.根据权利要求1所述的发光二极管装置，还包括：
第一凸块和第二凸块，所述第一凸块和所述第二凸块设置在所述发光结构的第一表面上并与所述发光结构电连接；
N电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并与所述第一凸块电连接；以及
P电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并与所述第二凸块电连接。


6.根据权利要求5所述的发光二极管装置，其中，所述护套层围绕所述第一凸块的侧壁的至少一部分和所述第二凸块的侧壁的至少一部分。


7.根据权利要求6所述的发光二极管装置，其中，所述护套层完全围绕所述第一凸块的侧壁和所述第二凸块的侧壁。


8.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第一折射率与所述第二折射率相同。


9.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁完全被所述光透射层围绕。


10.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的第一上表面和所述护套层的第二上表面彼此共面。


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【专利技术属性】
技术研发人员：李东国，李大荣，金文燮，安成真，李承桓，任桐均，张牛锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR