发光二极管装置制造方法及图纸

提供一种发光二极管装置。该发光二极管装置包括波长转换层、发光二极管层、光透射层和护套层。波长转换层具有第一折射率。发光二极管层包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构。光透射层设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并具有第二折射率。护套层设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第二折射率的第三折射率。

LED device

【技术实现步骤摘要】
发光二极管装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0064846的优先权，其公开通过引用整体并入本文。
与本公开一致的装置、器件和制造用品涉及发光二极管装置。
技术介绍
半导体发光元件在施加电流时通过使用电子和空穴的复合原理而发光，并且由于其诸如低功耗、高亮度、小型化等各种优点而广泛用作光源。特别是，由于开发了基于氮化物的发光元件，半导体发光元件更广泛地应用于各种领域中，并且用作光源模块、家庭照明装置、汽车灯等。由于半导体发光元件广泛用于各种领域，它们的应用正扩展到高电流/高输出领域。由于半导体发光元件如上所述地用于高电流/高输出领域，在相关
中正在进行用于提高半导体发光元件封装的可靠性的研究。
技术实现思路
一方面，提供一种具有提高的光提取效率的发光二极管装置。根据示例性实施例的一方面，提供一种发光二极管装置，包括：具有第一折射率的波长转换层；发光二极管层，其包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构；光透射层，其设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并且具有第二折射率；以及护套层，其设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第二折射率的第三折射率。根据示例性实施例的另一方面，提供了一种发光二极管装置，包括：具有第一折射率的波长转换层；设置在波长转换层上的发光二极管层；光透射层，其设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁，并具有小于第一折射率的第二折射率；护套层，其设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并具有小于第二折射率的第三折射率；以及设置在发光二极管层上并与发光二极管层电连接的凸块。根据示例性实施例的另一方面，提供了一种发光二极管装置，包括：具有第一折射率的波长转换层；发光二极管层，其包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构；光透射层，其设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并且具有小于第一折射率的第二折射率；以及护套层，其设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第一折射率的第三折射率。要解决的方面不限于上面提到的那些方面，并且基于下面提供的描述，本领域技术人员可以清楚地理解以上未提及的其他方面。附图说明通过参考附图详细描述示例性实施例，上述和其他方面对于本领域普通技术人员而言将变得更加明显，其中：图1是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图；图2是沿图1的A-A线截取的剖视图；图3是用于说明图2的部分C的构造的视图；图4是沿图1的B-B线截取的剖视图；图5是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图；图6是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图；图7是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图；图8是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图；图9是沿图8的B-B线截取的剖视图；图10是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图；图11至图17是示出制造的中间阶段的视图，用于说明根据一些示例性实施例的制造发光二极管装置的方法；以及图18和图19是示出制造的中间阶段的视图，用于说明根据一些示例性实施例的制造发光二极管装置的方法。具体实施方式以下描述是基于根据一些示例性实施例的发光二极管装置是例如芯片级封装(CSP)的假设而作出的。然而，本公开不限于此。也就是说，在一些示例性实施例中，发光二极管装置可以是晶圆级封装(WLP)。在本公开中，短语“A、B和C中的至少一个”在其范围内包括“仅A”、“仅B”、“仅C”、“A和B两者”、“B和C两者”、“A和C两者”、以及“A和B和C的组和”。在下文中，将参照图1至图4描述根据一些示例性实施例的发光二极管装置。图1是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图。图2是沿图1的A-A线截取的剖视图。图3是用于说明图2的部分C的构造的视图。图4是沿图1的B-B线截取的剖视图。在图1中，为了便于说明，省略了护套层150。参见图1至图4，根据一些示例性实施例的发光二极管装置包括波长转换层110、发光二极管层120、光透射层140、护套层150、第一凸块161和第二凸块162。波长转换层110可以将从发光二极管层120朝向波长转换层110发射的单色光转换成不同颜色的单色光。可以在波长转换层110上设置滤色器层。波长转换层110可以形成为具有基本规则厚度的片状。波长转换层110可以是具有分布在部分固化(B阶段)的材料上的诸如磷光体的材料的膜，该部分固化的材料在室温下处于部分固化状态，并且在加热时相变为可移动的。作为波长转换层110的磷光体，可以使用石榴石基磷光体(YAG、TAG、LuAG)、硅酸盐基磷光体、氮化物基磷光体、硫化物基磷光体、氧化物基磷光体等，磷光体可以由单种材料或以预定比例混合的多种材料形成。另外，可以使用量子点，并且可以代替波长转换层110的磷光体或者与磷光体混合。作为用于波长转换层110的树脂，可以使用满足高粘合性、高透光性、高耐热性、高光折射率、耐湿性等的环氧树脂或硅环氧树脂。作为用于增强粘结性以确保高粘合性的添加剂，可以使用例如硅烷基材料。波长转换层110可以具有第一折射率。例如，第一折射率可以大于或等于1.53并且可以小于1.56。然而，本公开不限于此。在一些示例性实施例中，波长转换层110可以用包括分散剂的护套层代替。发光二极管层120可以设置在波长转换层110上。发光二极管层120可以包括基层121和发光结构130。尽管图2描绘了基层121是单层，但是本公开不限于此。也就是说，在一些示例性实施例中，基层121可以是各种层彼此堆叠的多层。基层121可以设置在波长转换层110上。基层121可以包括例如基底基板。基底基板可以是例如蓝宝石玻璃，但是本公开不限于此。基层121可包括例如氮化物基半导体材料。基层121可以包括例如GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及其组合中的至少一种。另外，基层121可以包括氧化硅(SiO2)。基层121可以具有大于波长转换层110的第一折射率的第四折射率，例如，第四折射率为1.75。然而，本公开不限于此。发光结构130可以包括第一导电类型半导体层131、有源层132、第二导电类型半导体层133、N电极134、P电极135和绝缘层136。发光结构130可以包括第一表面和第二表面，第一表面上设置有第一凸块161和第二凸块162，第二表面与基层121接触。第一导电类型半导体层131可以设置在发光结构130的第二表面上。第一导电类型半导体层131可以包括包含n型杂质的GaN基材料。在这种情况下，n型杂质可以是例如Si、Ge、Se和Te中的至少一种。有源层132可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管装置，包括：/n波长转换层，其具有第一折射率；/n发光二极管层，其包括基层和发光结构，所述基层设置在所述波长转换层上，所述发光结构设置在所述基层上；/n光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁并与所述发光二极管层的侧壁接触，并且具有第二折射率；以及/n护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并且具有小于所述第二折射率的第三折射率。/n

【技术特征摘要】
20180605 KR 10-2018-00648461.一种发光二极管装置，包括：
波长转换层，其具有第一折射率；
发光二极管层，其包括基层和发光结构，所述基层设置在所述波长转换层上，所述发光结构设置在所述基层上；
光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁并与所述发光二极管层的侧壁接触，并且具有第二折射率；以及
护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并且具有小于所述第二折射率的第三折射率。


2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第一折射率大于所述第二折射率。


3.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其中，所述基层具有第四折射率，所述第四折射率大于所述第一折射率。


4.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁的至少一部分与所述护套层接触。


5.根据权利要求1所述的发光二极管装置，还包括：
第一凸块和第二凸块，所述第一凸块和所述第二凸块设置在所述发光结构的第一表面上并与所述发光结构电连接；
N电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并与所述第一凸块电连接；以及
P电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并与所述第二凸块电连接。


6.根据权利要求5所述的发光二极管装置，其中，所述护套层围绕所述第一凸块的侧壁的至少一部分和所述第二凸块的侧壁的至少一部分。


7.根据权利要求6所述的发光二极管装置，其中，所述护套层完全围绕所述第一凸块的侧壁和所述第二凸块的侧壁。


8.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第一折射率与所述第二折射率相同。


9.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁完全被所述光透射层围绕。


10.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的第一上表面和所述护套层的第二上表面彼此共面。


11....

【专利技术属性】
技术研发人员：李东国，李大荣，金文燮，安成真，李承桓，任桐均，张牛锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR