微型发光二极管显示面板及其制备方法技术

一种微型发光二极管显示面板的制备方法，其包括：提供一设置有微型发光二极管的承载基板，微型发光二极管设置有第一电极；提供一包括控制电路的薄膜晶体管基板，于薄膜晶体管基板上依次形成导电连接件、绝缘层、以及接触电极层；同时图案化绝缘层和接触电极层，以形成贯穿接触电极层和绝缘层的通孔，该通孔暴露导电连接件；使微型发光二极管的第一电极和导电连接件之间形成静电吸附；使微型发光二极管及其第一电极转移至薄膜晶体管基板上；以及使微型发光二极管的第一电极与导电连接件结合。还提供利用上述方法制备的微型发光二极管显示面板。

Micro LED display panel and its preparation

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示面板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种微型发光二极管显示面板及其制备方法。
技术介绍
目前，微型发光二极管(MicroLightEmittingDiode)显示面板的制备通常包括：将承载基板上的微型发光二极管转移至薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)基板上的步骤。然而，由于微型发光二极管的尺寸非常小(例如宽度不超过100微米)，导致微型发光二极管的转移精度要求非常严苛，进而使得微型发光二极管显示面板的加工精度要求很高，制备流程复杂。
技术实现思路
本专利技术提供一种微型发光二极管显示面板的制备方法，其包括以下步骤：提供一承载基板，所述承载基板上设置有微型发光二极管，所述微型发光二极管的远离所述承载基板的一端设置有第一电极；提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括控制电路，于所述薄膜晶体管基板上依次形成导电连接件、覆盖所述导电连接件的绝缘层、以及设置于所述绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的一侧的接触电极层，所述导电连接件电性连接所述控制电路，所述接触电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管显示面板的制备方法，其包括以下步骤：/n提供一承载基板，所述承载基板上设置有微型发光二极管，所述微型发光二极管的远离所述承载基板的一端设置有第一电极；/n提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括控制电路，于所述薄膜晶体管基板上依次形成导电连接件、覆盖所述导电连接件的绝缘层、以及设置于所述绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的一侧的接触电极层，所述导电连接件电性连接所述控制电路，所述接触电极层穿过所述绝缘层以电性连接所述控制电路；/n同时图案化所述绝缘层和所述接触电极层，以形成贯穿所述接触电极层和所述绝缘层的通孔，所述通孔暴露所述导电连接件；/n将所述微型发光二极管的第一电极抵...

【技术特征摘要】
20180412 US 62/6569401.一种微型发光二极管显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
提供一承载基板，所述承载基板上设置有微型发光二极管，所述微型发光二极管的远离所述承载基板的一端设置有第一电极；
提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括控制电路，于所述薄膜晶体管基板上依次形成导电连接件、覆盖所述导电连接件的绝缘层、以及设置于所述绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的一侧的接触电极层，所述导电连接件电性连接所述控制电路，所述接触电极层穿过所述绝缘层以电性连接所述控制电路；
同时图案化所述绝缘层和所述接触电极层，以形成贯穿所述接触电极层和所述绝缘层的通孔，所述通孔暴露所述导电连接件；
将所述微型发光二极管的第一电极抵持所述接触电极层，并通过所述控制电路给所述接触电极层施加参考电压，通过所述控制电路给所述导电连接件施加不同于所述参考电压的电压，进而使所述微型发光二极管的第一电极和所述导电连接件之间形成静电吸附；
使所述微型发光二极管及其第一电极脱离所述承载基板，并转移至所述薄膜晶体管基板上；以及
处理所述导电连接件，以使所述微型发光二极管的第一电极与所述导电连接件结合。


2.如权利要求1所述的微型发光二极管显示面板的制备方法，其特征在于，将所述微型发光二极管的第一电极抵持所述接触电极层后，所述微型发光二极管的第一电极在所述薄膜晶体管基板上的投影完全覆盖所述通孔在所述薄膜晶体管基板上的投影。


3.如权利要求1所述的微型发光二极管显示面板的制备方法，其特征在于，所述承载基板包括基底、以及设置于所述基底的一表面的粘胶层，所述微型发光二极管嵌设于所述粘胶层中。


4.如权利要求3所述的微型发光二极管显示面板的制备方法，其特征在于，使所述微型发光二极管及其第一电极脱离所述承载基板的方法为利用紫外光照射或加热所述粘胶层使其失去粘性。


5.如权利要求1所述的微...

【专利技术属性】
技术研发人员：张炜炽，李国胜，赖宠文，陈柏辅，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44