电子元器件和半导体装置制造方法及图纸

电子元器件包含：基板，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；芯片，其具有一侧的第一芯片主面和另一侧的第二芯片主面、以及在所述第一芯片主面和/或所述第二芯片主面形成的多个电极，且配置于所述基板的所述第一主面；封固绝缘层，其以使所述基板的所述第二主面露出的方式在所述基板的所述第一主面上封固所述芯片，且具有与所述基板的所述第一主面对置的封固主面；以及多个外部端子，其以从所述封固绝缘层的所述封固主面露出的方式贯通所述封固绝缘层而形成，并与所述芯片的所述多个电极分别电连接。

Electronic components and semiconductor devices

Electronic components include: a substrate having a first main surface on one side and a second main surface on the other side; a chip having a first main surface on one side and a second main surface on the other side, and a plurality of electrodes formed on the first main surface and / or the second main surface of the chip, and configured on the first main surface of the substrate; an insulating layer is sealed so as to make the substrate The second main surface of the substrate is exposed, and the chip is sealed on the first main surface of the substrate, and has a sealing main surface which is opposite to the first main surface of the substrate; and a plurality of external terminals which are formed by penetrating the sealing insulating layer through the square exposed from the sealing main surface of the sealing insulating layer, and are electrically connected with the plurality of electrodes of the chip respectively Answer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子元器件和半导体装置
本专利技术涉及电子元器件和半导体装置。
技术介绍
专利文献1公开了一种作为电子元器件一例的功率模块半导体装置。该功率模块半导体装置包含陶瓷基板。在陶瓷基板上配置有半导体器件和端子电极。端子电极横贯陶瓷基板的侧面并从陶瓷基板的内侧的区域向外侧的区域引出。端子电极经由键合引线与半导体器件电连接。在半导体器件上立设有柱状电极。陶瓷基板、半导体器件、柱状电极和端子电极的一部分被树脂层封固。树脂层形成于陶瓷基板的外表面的整个区域。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2013－172044号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在现有的功率模块半导体装置中，由于陶瓷基板的外表面的整面被树脂层覆盖，因此半导体器件产生的热容易滞留于树脂层。因此，通过将端子电极引出到树脂层外来使树脂层内的热向树脂层外散放。端子电极需要经由键合引线等连接部件与半导体器件连接。这种设计会妨碍电子元器件的小型化。为此，本专利技术的一实施方式提供一种能够兼顾小型化和散热性的提高的电子元器件和半导体装置。用于解决课题的方案本专利技术的一实施方式提供一种电子元器件，其包含：基板，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；芯片，其具有一侧的第一芯片主面和另一侧的第二芯片主面、以及在所述第一芯片主面和/或所述第二芯片主面形成的多个电极，且配置于所述基板的所述第一主面；封固绝缘层，其以使所述基板的所述第二主面露出的方式在所述基板的所述第一主面上封固所述芯片，且具有与所述基板的所述第一主面对置的封固主面；以及多个外部端子，其以从所述封固绝缘层的所述封固主面露出的方式贯通所述封固绝缘层而形成，并与所述芯片的所述多个电极分别电连接。根据该电子元器件，基板的第二主面从封固绝缘层露出。因此，即使未从基板的侧面引出外部端子，也能够使芯片产生的热从基板的第二主面向外部散放。而且，由于不必从基板的侧面引出外部端子，因此不必使用键合引线等连接部件。由此，能够削减零件数量而实现缩减化。因此，可提供一种能够兼顾小型化和散热性的提高的的电子元器件。本专利技术的一实施方式提供一种半导体装置，其包含：半导体基板，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；主面绝缘层，其形成在所述半导体基板的所述第一主面；半导体芯片，其具有多个电极且配置于所述主面绝缘层；封固绝缘层，其以使所述半导体基板的所述第二主面露出的方式在所述半导体基板的所述第一主面封固所述半导体芯片，且具有与所述半导体基板的所述第一主面对置的封固主面；以及多个外部端子，其以从所述封固绝缘层的所述封固主面露出的方式贯通所述封固绝缘层而形成，并与所述半导体芯片的所述多个电极分别电连接。根据该半导体装置，半导体基板的第二主面从封固绝缘层露出。因此，即使未从半导体基板的侧面引出外部端子，也能够使半导体芯片产生的热从半导体基板的第二主面向外部散放。而且，由于不必从半导体基板的侧面引出外部端子，因此不必使用键合引线等连接部件。由此，能够削减零件数量而实现缩减化。因此，可提供一种能够兼顾小型化和散热性的提高的的半导体装置。特别是，根据该半导体装置，在半导体基板的第一主面形成有主面绝缘层。由此，能够利用半导体基板有效地散热并提高半导体芯片对施加电压的绝缘耐量。本专利技术的上述的或者此外其它的目的、特征和效果可通过参照附图对下述实施方式的说明而更加清楚明了。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式的电子元器件的立体图。图2是用于对图1的电子元器件的内部结构进行说明的俯视图。图3是沿着图2的III-III线的剖视图。图4是沿着图2的IV-IV线的剖视图。图5A是用于对图1的电子元器件的制造方法的一例进行说明的剖视图。图5B是表示图5A之后的工序的剖视图。图5C是表示图5B之后的工序的剖视图。图5D是表示图5C之后的工序的剖视图。图5E是表示图5D之后的工序的剖视图。图5F是表示图5E之后的工序的剖视图。图5G是表示图5F之后的工序的剖视图。图5H是表示图5G之后的工序的剖视图。图5I是表示图5H之后的工序的剖视图。图5J是表示图5I之后的工序的剖视图。图5K是表示图5J之后的工序的剖视图。图6是与图3对应的部分的剖视图，是用于对本专利技术的第二实施方式的电子元器件的结构进行说明的图。图7是与图4对应的部分的剖视图，是用于对图6的电子元器件的结构进行说明的图。图8是与图3对应的部分的剖视图，是用于对本专利技术的第三实施方式的电子元器件的结构进行说明的图。图9是与图4对应的部分的剖视图，是用于对图8的电子元器件的结构进行说明的图。图10A是用于对图8的电子元器件的制造方法的一例进行说明的剖视图。图10B是表示图10A之后的工序的剖视图。图10C是表示图10B之后的工序的剖视图。图10D是表示图10C之后的工序的剖视图。图10E是表示图10D之后的工序的剖视图。图11是与图3对应的部分的剖视图，是用于对本专利技术的第四实施方式的电子元器件的结构进行说明的图。图12A是用于对图11的电子元器件的制造方法的一例进行说明的剖视图。图12B是表示图12A之后的工序的剖视图。图12C是表示图12B之后的工序的剖视图。图13是与图3对应的部分的剖视图，是用于对本专利技术的第五实施方式的电子元器件的结构进行说明的图。图14是用于对本专利技术的第六实施方式的电子元器件的结构进行说明的图。图15是用于对本专利技术的第七实施方式的电子元器件的内部结构进行说明的俯视图。图16是沿着图15的XVI-XVI线的剖视图。图17是用于对图15所示电子元器件的电气结构进行说明的电路图。图18是与图3对应的部分的剖视图，是用于对本专利技术的第八实施方式的电子元器件的结构进行说明的图。具体实施方式图1是本专利技术的第一实施方式的电子元器件1的立体图。电子元器件1是包含作为半导体开关元件的一例的MISFET(MetalInsulatorSemiconductorFieldEffectTransistor：金属-绝缘体-半导体场效应晶体管)的半导体装置。电子元器件1也可以包含进行大电流的开关控制的MISFET。在该方式中，MISFET是在芯片的一面侧具有栅极电极、源极电极和源极取样电极并在芯片的另一面侧具有漏极电极的所谓纵型结构。参照图1，电子元器件1包含呈长方体形状的元器件主体2。元器件主体2包含：一侧的安装面3、另一侧的非安装面4、以及将安装面3和非安装面4连接的侧面5。安装面3是当电子元器件1安装于安装基板等连接对象物时与连接对象物对置的对置面。安装面3和非安装面4形成为在从它们的法线方向观察的俯视角度下(以下简称为“俯视”)呈四边形状(在该方式中为长方形状)。元器件主体2的侧面5本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子元器件，其特征在于，包含：/n基板，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；/n芯片，其具有一侧的第一芯片主面和另一侧的第二芯片主面、以及在所述第一芯片主面和/或所述第二芯片主面形成的多个电极，且配置于所述基板的所述第一主面；/n封固绝缘层，其以使所述基板的所述第二主面露出的方式在所述基板的所述第一主面上封固所述芯片，且具有与所述基板的所述第一主面对置的封固主面；以及/n多个外部端子，其以从所述封固绝缘层的所述封固主面露出的方式贯通所述封固绝缘层而形成，并与所述芯片的所述多个电极分别电连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170424 JP 2017-0856141.一种电子元器件，其特征在于，包含：
基板，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；
芯片，其具有一侧的第一芯片主面和另一侧的第二芯片主面、以及在所述第一芯片主面和/或所述第二芯片主面形成的多个电极，且配置于所述基板的所述第一主面；
封固绝缘层，其以使所述基板的所述第二主面露出的方式在所述基板的所述第一主面上封固所述芯片，且具有与所述基板的所述第一主面对置的封固主面；以及
多个外部端子，其以从所述封固绝缘层的所述封固主面露出的方式贯通所述封固绝缘层而形成，并与所述芯片的所述多个电极分别电连接。


2.根据权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，
所述封固绝缘层的所述封固主面形成了安装面，
与所述芯片的所述多个电极分别电连接的所述多个外部端子全部从所述安装面露出。


3.根据权利要求1或2所述的电子元器件，其特征在于，
所述基板包含将所述第一主面和所述第二主面连接的侧面，
所述封固绝缘层使所述基板的所述侧面露出。


4.根据权利要求3所述的电子元器件，其特征在于，
所述封固绝缘层包含封固侧面，该封固侧面形成为与所述基板的所述侧面表面一致。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子元器件，其特征在于，
所述芯片包含形成在所述第一芯片主面侧的电路元件，并以使所述第二芯片主面与所述基板的所述第一主面对置的姿态配置在所述第一主面上，
所述多个外部端子包含芯片侧外部端子，该芯片侧外部端子贯通所述封固绝缘层而与所述芯片的所述多个电极分别电连接。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子元器件，其特征在于，
所述基板包括硅基板、碳化硅基板、蓝宝石基板或氮化物半导体基板。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的电子元器件，其特征在于，
还包括形成在所述基板的所述第一主面上的配线层，
所述芯片包含配线侧电极，该配线侧电极形成于所述第二芯片主面并与所述配线层电连接。


8.根据权利要求7所述的电子元器件，其特征在于，
所述多个外部端子包含配线层侧外部端子，该配线层侧外部端子贯通所述封固绝缘层而与所述配线层连接。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的电子元器件，其特征在于，
还包括主面绝缘层，该主面绝缘层形成在所述基板的所述第一主面并夹设于所述基板的所述第一主面和所述芯片之间的区域。


10.根据权利要求9所述的电子元器件，其特征在于，
所述主面绝缘层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种。


11.根据权利要求1～10中任一项所述的电子元器件，其特征在于，
还包括散热结构，该散热结构设置在所述基板的所述第二主面并使所述芯片所产生的热向外部散放。


12.根据权利要求11所述的电子元器件，其特征在于，
所述散热结构包含形成在所述基板的所述第二主面的翼片结构。


13.根据权利要求11或12所述的电子元器件，其特征在于，
所述散热结构包含将所述基板的所述第二主面覆盖的散热部件。


14.根据权利要求1～13中任一项所述的电子元器件，其特征在于，
所述多个外部端子分别包含沿着所述基板的所述第一主面的法线方向以柱状立设的柱状电极层。


15.根据权利要求14所述的电子元器件，其特征在于，
所述柱状电极层包含进行外部连接的连接部，
所述柱状电极层的所述连接部形成为与所述封固绝缘层的所述封固主面表面一致。


16.根据权利要求14或15所述的电子元器件，其特征在于，
所述多个外部端子分别包含形成在所述柱状电极层上的导电接合层。


17.根据权利要求16所述的电子元器件，其特征在于，
所述导电接合层整体从所述封固绝缘层的所述封固主面露出。


18.根据权利要求1～13中任一项所述的电子元器件，其特征在于，
在所述封固绝缘层的所述封固主面形成有多个开口，
所述多个外部端子分别包含沿着所述开口的内壁形成为膜状的电极膜。


19.根据权利要求18所述的电子元...

【专利技术属性】
技术研发人员：明田正俊，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP