膜状粘合剂复合片及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种膜状粘合剂复合片，其在支撑片上设有固化性膜状粘合剂，该支撑片具有基材，该固化性膜状粘合剂的厚度为1～60μm，该支撑片的杨氏模量与该支撑片的厚度的积为4～150MPa·mm。

Manufacturing method of film adhesive compound sheet and semiconductor device

The invention provides a film adhesive composite sheet, which is provided with a curing film adhesive on the support sheet, the support sheet has a base material, the thickness of the curing film adhesive is 1-60 \u03bc m, the product of the young's modulus of the support sheet and the thickness of the support sheet is 4-150mpa \u00b7 mm.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膜状粘合剂复合片及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及膜状粘合剂复合片及半导体装置的制造方法。本申请基于2017年3月28日于日本提出申请的日本特愿2017-063654号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，有时使用贴附有用于芯片键合(diebonding)的膜状粘合剂的半导体芯片。作为得到这种带膜状粘合剂的半导体芯片的方法之一，有以下方法：在通过切割半导体晶圆而得到的单片化的多个半导体芯片上贴附膜状粘合剂后，在对应半导体芯片的配置位置的位置上切断该膜状粘合剂。在该方法中，通常使用在支撑片上设有膜状粘合剂的膜状粘合剂复合片，将膜状粘合剂贴附在多个半导体芯片上。半导体芯片例如通过在半导体晶圆上形成槽后，对背面侧进行磨削直至到达该槽而制成，这是一个例子，也可通过其他方法制作半导体芯片。对于切断后的贴附有膜状粘合剂的半导体芯片，将各膜状粘合剂从支撑片上分离(拾取)，用于芯片键合。在上述方法中，作为切断膜状粘合剂的方法，例如已知对膜状粘合剂照射激光而进行切断的方法、或通过扩展膜状粘合剂而进行切断的方法。然而，在照射激光的方法中，需要激光照射装置，且同时还存在无法以短时间有效地进行切断的问题。此外，在进行扩展的方法中，需要扩展装置，且同时还存在切断面粗糙的问题。进一步，在扩展中，由于力仅在与膜状粘合剂同一面的方向上起作用，因此存在膜状粘合剂与支撑片一同伸长但未被切断的可能性。因此，有时要冷却膜状粘合剂以便于切断进而进行扩展，但此时需要冷却工序，生产率差。作为能够解决这些问题的方法，公开了一种以下的方法：使用特定的厚度及拉伸断裂伸长率的膜状粘合剂，在半导体芯片的拾取之前的阶段，将半导体芯片与该未切断的膜状粘合剂一同在拾取方向上拾起，利用此时产生的剪切力切断膜状粘合剂(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-179317号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，在专利文献1中公开的方法中，不确定是否能够抑制工序异常的发生且从支撑片上拾取贴附有切断后的膜状粘合剂的半导体芯片。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其技术问题在于提供一种在支撑片上设有膜状粘合剂的膜状粘合剂复合片及使用了该复合片的半导体装置的制造方法，其中，在制造半导体装置时，能够抑制工序异常的产生，并以简化的方法从支撑片上分离贴附有膜状粘合剂的半导体芯片。解决技术问题的技术手段为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种膜状粘合剂复合片，该复合片在具有基材的支撑片上设有厚度为1～60μm的固化性膜状粘合剂，所述支撑片的杨氏模量A(MPa)与所述支撑片的厚度B(mm)的积(A×B)在4～150MPa·mm的范围内。在本专利技术的膜状粘合剂复合片中，优选以使总厚度成为200μm的方式层叠固化前的所述膜状粘合剂而成的层叠体的断裂伸长率C为5～2000％。此外，本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其中使用了所述膜状粘合剂复合片，该方法具有以下工序：经由所述膜状粘合剂，将所述膜状粘合剂复合片贴附在已分割的多个半导体芯片上的工序；对于贴附在所述半导体芯片上的所述膜状粘合剂复合片中的支撑片，通过从设有所述膜状粘合剂一侧的相反侧施加力，由此隔着支撑片对膜状粘合剂施加力，切断膜状粘合剂的工序；将所述半导体芯片及贴附在所述半导体芯片上的切断后的所述膜状粘合剂从所述支撑片上分离的工序。即，本专利技术包含以下实施方式。[1]一种膜状粘合剂复合片，其在支撑片上设有固化性膜状粘合剂，其中，所述支撑片具有基材，所述固化性膜状粘合剂的厚度为1～60μm，所述支撑片的杨氏模量与所述支撑片的厚度的积为4～150MPa·mm。[2]根据[1]所述的膜状粘合剂复合片，其中，所述膜状粘合剂具有以下特性：在层叠固化前的所述膜状粘合剂，制成总厚度为200μm的层叠体时，所述层叠体的断裂伸长率为1～2000％。[3]一种半导体装置的制造方法，其使用了[1]所述的膜状粘合剂复合片，该制造方法包括：经由所述膜状粘合剂，将所述膜状粘合剂复合片贴附在已分割的多个半导体芯片上；对于贴附在所述半导体芯片上的所述膜状粘合剂复合片中的所述支撑片，从设有所述膜状粘合剂一侧的相反侧隔着所述支撑片对所述膜状粘合剂施加力，由此切断所述膜状粘合剂；将所述半导体芯片及贴附在所述半导体芯片上的切断后的所述膜状粘合剂从所述支撑片上分离。专利技术效果根据本专利技术，提供一种在支撑片上设有膜状粘合剂的膜状粘合剂复合片及使用了该复合片的半导体装置的制造方法，其中，在制造半导体装置时，能够抑制工序异常的发生，并以简化的方法从支撑片上分离贴附有膜状粘合剂的半导体芯片。附图说明图1为示意性地表示在本专利技术的半导体装置的制造方法中，从切断膜状粘合剂开始到从支撑片上分离半导体芯片为止的一个实施方式的截面图。图2为用于示意性地说明在本专利技术的半导体装置的制造方法中，对膜状粘合剂施加力并将其切断的另一个实施方式的截面图。图3为示意性地表示使用以往的膜状粘合剂复合片时，半导体装置的制造过程中的膜状粘合剂复合片及半导体芯片的一个形态的截面图。图4为示意性地表示使用以往的膜状粘合剂复合片时，半导体装置的制造过程中的膜状粘合剂复合片及半导体芯片的另一个形态的截面图。具体实施方式《膜状粘合剂复合片》本专利技术的膜状粘合剂复合片在具有基材的支撑片上设有厚度为1～60μm的固化性膜状粘合剂，所述支撑片的杨氏模量(A)(MPa)与所述支撑片的厚度(B)(mm)的积(即，表示A×B的值)在4～150MPa·mm的范围内。所述膜状粘合剂复合片在支撑片上设有膜状粘合剂，在制造半导体装置时，通过所述膜状粘合剂来贴附在半导体芯片的一个面上。在之后的工序中，所述半导体芯片以贴附有所述膜状粘合剂的状态从所述支撑片上分离(拾取)。此时，通过使所述膜状粘合剂复合片中的所述支撑片的杨氏模量(A)(MPa)与所述支撑片的厚度(B)(mm)的积(A×B)在4～150MPa·mm的范围内，能够抑制工序异常的发生，将贴附有所述膜状粘合剂的半导体芯片从所述支撑片上分离。作为一个侧面，优选所述支撑片的厚度(B)(mm)的积(A×B)为13.6～112.5MPa·mm。更具体而言，如下所述。首先，可通过进行隔着支撑片对膜状粘合剂施加力这一通常的拾取操作，切断所述膜状粘合剂。即，即使不另外设置以切断膜状粘合剂为主要目的的工序，也能够在常温下对以膜状粘合剂为目标的位置进行切断。因此，能够抑制伴随膜状粘合剂未切断的半导体芯片的分离(拾起)不良。此外，能够将膜状粘合剂的与目标半导体芯片对应的部位从支撑片上剥离，且同时抑制膜状粘合剂的对应非目标半导体芯片的部位从支撑片上剥离的现象。因此，能够抑制膜状粘合剂的目标部位未从支撑片上剥离所造成的半导体芯片的分离(拾起)不良，或者抑制不仅目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种膜状粘合剂复合片，其在支撑片上设有固化性膜状粘合剂，/n所述支撑片具有基材，/n所述固化性膜状粘合剂的厚度为1～60μm，/n所述支撑片的杨氏模量与所述支撑片的厚度的积为4～150MPa·mm。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170328 JP 2017-0636541.一种膜状粘合剂复合片，其在支撑片上设有固化性膜状粘合剂，
所述支撑片具有基材，
所述固化性膜状粘合剂的厚度为1～60μm，
所述支撑片的杨氏模量与所述支撑片的厚度的积为4～150MPa·mm。


2.根据权利要求1所述的膜状粘合剂复合片，其中，
所述膜状粘合剂具有以下特性：在层叠固化前的所述膜状粘合剂，制成总厚度为200μm的层叠体时，所述层叠...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐川雄太，布施启示，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP