粘合片制造技术

本发明专利技术提供一种粘合片，其具有热膨胀性基材和粘合剂层，所述热膨胀性基材包含树脂及膨胀起始温度(t)为120～250℃的热膨胀性粒子，且为非粘合性，所述粘合剂层包含粘合性树脂。该粘合片在将对象物临时固定时，可抑制加热时该对象物的渗入，剥离时能够以微小的力容易地剥离。所述热膨胀性基材满足下述要件(1)～(2)。要件(1)：在100℃下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(100)为2.0×10

Adhesive film

The invention provides an adhesive sheet, which has a thermal expansion base material and an adhesive layer. The thermal expansion base material comprises a resin, a thermal expansion particle with an expansion starting temperature (T) of 120-250 \u2103, and is non adhesive. The adhesive layer comprises an adhesive resin. When fixing the object temporarily, the adhesive sheet can inhibit the penetration of the object during heating, and can be easily peeled off with a small force during peeling. The thermal expansion base material meets the following requirements (1) - (2). Element (1): at 100 \u2103, the storage modulus E '(100) of the thermal expansion base material is 2.0 \u00d7 10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合片
本专利技术涉及粘合片。
技术介绍
粘合片不仅用于对构件半永久地进行固定的用途，而且也有用于在加工建材、内装材料、电子部件等时对它们进行临时固定的临时固定用途的情况。对于这样的临时固定用途的粘合片，要求兼备使用时的粘接性和使用的剥离性。例如，专利文献1中公开了一种电子部件切断时的临时固定用加热剥离型粘合片，其是在基材的至少一面设置有含有热膨胀性微球的热膨胀性粘合层而成的。该加热剥离型粘合片中，相对于热膨胀性粘合层的厚度来调整添加到该粘合层中的热膨胀性微球的最大粒径，将加热前的热膨胀性粘合层表面的中心线平均粗糙度设定为0.4μm以下。专利文献1中记载了以下内容：该加热剥离型粘合片在电子部件切断时能够确保与被粘附物的接触面积，可以发挥能够防止芯片飞散等粘接不良情况的粘接性，另一方面，在使用后，可以通过加热使热膨胀性微球膨胀，使粘合片与被粘附物的接触面积减少，从而可以容易地进行剥离。现有技术文献专利文献专利文献1：专利第3594853号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题近年来，电子设备的小型化、薄型化及高密度化得到发展，对于搭载于电子设备中的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。作为能够应对这样要求的半导体封装技术，FOWLP(扇出型晶圆级封装，FanoutWaferLevelPackage)受到关注。如图3所示，FOWLP50是在被密封树脂层52密封的半导体芯片51的表面上设置再布线层53，并经由再布线层53将焊料球54和半导体芯片51电连接的半导体封装。如图3所示，FOWLP50由于可以将作为焊料球54的端子扩展至半导体芯片51的外侧(扇出)，因此，也可以应用于与半导体芯片51的面积相比端子数多的用途。但是，在FOWLP的制造工序中，将半导体芯片放置于粘合片上，对于加热至100℃前后的具有流动性的状态的密封树脂进行以下的(1)或(2)的密封工序：(1)将密封树脂填充于半导体芯片及该半导体芯片周边的粘合片的表面上，进行加热，形成由密封树脂构成的层；或者，(2)将密封用树脂膜层迭于半导体芯片上，进行加热并层压。而且，在该密封工序之后，经过去除粘合片、并在露出的半导体芯片侧的表面形成再布线层及焊料球的工序来制造FOWLP。对于上述的密封工序所使用的粘合片而言，要求在放置半导体芯片之后到用密封树脂进行密封期间不会产生半导体芯片的位置偏移，并且要求在半导体芯片与粘合片的粘接界面具有密封树脂不会侵入程度的粘接性。另一方面，要求在密封后具有能够将粘合片容易地去除的剥离性。在上述的FOWLP的制造方法的密封工序中，例如还考虑了使用如专利文献1那样的在基材上设置有含有热膨胀性微球的热膨胀性粘合层的加热剥离型粘合片。但是，根据本专利技术人等的研究可知，在将专利文献1所记载的粘合片用于上述密封工序的情况下，由于密封工序中的加热而使热膨胀性粘合层的弹性模量降低，放置的半导体芯片会沉入粘合片侧。半导体芯片如果在沉入到粘合片侧的状态下使密封树脂固化，则去除粘合片后的包含密封树脂的半导体芯片侧的表面会产生半导体芯片的表面与密封树脂的表面的高度差，平坦性差。另外可能产生发生半导体芯片的位置偏移，芯片间距离不会恒定等弊端。此外，将专利文献1中记载的粘合片去除时，进行加热使热膨胀性粘合层膨胀，半导体芯片也会沉入到粘合片侧，由此，认为在未施加一定程度大小的外力时剥离会变得困难。需要说明的是，这样的问题并不限于FOWLP的制造方法的密封工序，其也是例如在PSP(面板级封装)的制造过程中可能产生的问题，是在用粘合片将对象物进行临时固定并实施加热处理的工序中也可能产生的令人担心的问题。本专利技术是鉴于上述问题而进行的，其目的在于提供一种粘合片，其在对对象物进行临时固定时，可抑制加热时该对象物的沉入，并且在剥离时能够以微小的力容易地进行剥离。解决问题的方法本专利技术人等发现，通过形成包含热膨胀性基材和粘合剂层的粘合片的构成，并且将热膨胀性基材在给定温度下的储能模量E’调整为特定的范围，可以解决上述课题，所述热膨胀性基材包含树脂及热膨胀性粒子，且为非粘合性，所述粘合剂层包含粘合性树脂。即，本专利技术涉及下述[1]～[12]。[1]一种粘合片，其具有热膨胀性基材和粘合剂层，所述热膨胀性基材包含树脂及膨胀起始温度(t)为120～250℃的热膨胀性粒子，且为非粘合性，所述粘合剂层包含粘合性树脂，所述热膨胀性基材满足下述要件(1)～(2)，·要件(1)：在100℃下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(100)为2.0×105Pa以上，·要件(2)：在所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(t)为1.0×107Pa以下。[2]上述[1]所述的粘合片，其中，所述热膨胀性基材满足下述要件(3)，·要件(3)：在23℃下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(23)为1.0×106Pa以上。[3]上述[1]或[2]所述的粘合片，其中，在23℃下，所述热膨胀性基材的厚度与所述粘合剂层的厚度之比(热膨胀性基材/粘合剂层)为0.2以上。[4]上述[1]～[3]中任一项所述的粘合片，其中，在23℃下，所述热膨胀性基材的厚度为10～1000μm、所述粘合剂层的厚度为1～60μm。[5]上述[1]～[4]中任一项所述的粘合片，其中，所述热膨胀性基材的表面的探针粘性值小于50mN/5mmφ。[6]上述[1]～[5]中任一项所述的粘合片，其中，在23℃下，所述粘合剂层的剪切模量G’(23)为1.0×104～1.0×108Pa。[7]上述[1]～[6]中任一项所述的粘合片，其具有2个所述粘合剂层，分别设置在所述热膨胀性基材的两面。[8]上述[1]～[7]中任一项所述的粘合片，其中，所述热膨胀性粒子在23℃下的膨胀前的平均粒径为3～100μm。[9]上述[1]～[8]中任一项所述的粘合片，其在使用了密封树脂、且进行加热的密封工序中使用。[10]一种热膨胀性基材，其包含树脂及膨胀起始温度(t)为120～250℃的热膨胀性粒子，且为非粘合性，所述热膨胀性基材满足下述要件(1)～(2)，·要件(1)：在100℃下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(100)为2.0×105Pa以上，·要件(2)：在所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(t)为1.0×107Pa以下。11.一种粘合片的使用方法，该方法包括：将权利要求1～9中任一项所述的粘合片粘贴于被粘附物后，通过在膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理，将所述粘合片从所述被粘附物剥离。12.根据权利要求11所述的粘合片的使用方法，该方法在使用了密封树脂、且进行加热的密封工序中使用。[11]一种粘合片的使用方法，该方法包括：将上述[1]～[9]中任一项所述的粘合片粘贴于被粘附物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种粘合片，其具有热膨胀性基材和粘合剂层，所述热膨胀性基材包含树脂及膨胀起始温度(t)为120～250℃的热膨胀性粒子，且为非粘合性，所述粘合剂层包含粘合性树脂，/n所述热膨胀性基材满足下述要件(1)～(2)，/n·要件(1)：在100℃下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(100)为2.0×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170331 JP 2017-0732361.一种粘合片，其具有热膨胀性基材和粘合剂层，所述热膨胀性基材包含树脂及膨胀起始温度(t)为120～250℃的热膨胀性粒子，且为非粘合性，所述粘合剂层包含粘合性树脂，
所述热膨胀性基材满足下述要件(1)～(2)，
·要件(1)：在100℃下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(100)为2.0×105Pa以上，
·要件(2)：在所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(t)为1.0×107Pa以下。


2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，所述热膨胀性基材满足下述要件(3)，
·要件(3)：在23℃下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(23)为1.0×106Pa以上。


3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其中，在23℃下，所述热膨胀性基材的厚度与所述粘合剂层的厚度之比(热膨胀性基材/粘合剂层)为0.2以上。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合片，其中，在23℃下，所述热膨胀性基材的厚度为10～1000μm、所述粘合剂层的厚度为1～60μm。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘合片，其中，所述热膨胀性基材的表面的探针粘性值小于50mN/5mmφ。


6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿久津高志，加藤挥一郎，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP