晶圆处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供的晶圆处理装置，包括反应腔室，还包括：基座，位于所述反应腔室内，用于承载晶圆；至少一组凹槽，位于所述基座表面，每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽；多条第一管道，与多个所述凹槽一一连通，且延伸至所述反应腔室外部；第二管道，与所述反应腔室连通，用于向所述反应腔室通入气体；多个压力计，位于所述反应腔室外部，且与多条所述第一管道一一连通，所述压力计用于检测与其连通的所述凹槽内的气体压力。本实用新型专利技术能够及时了解晶圆在反应腔室内的位置是否发生了偏移，提高了晶圆的生产效率，减少了晶圆返工及报废的概率。

Wafer processing unit

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆处理装置。
技术介绍
随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展，芯片的高性能、集成化趋势明显，促使芯片制造企业积极采用先进工艺，对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺，因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升，带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平，通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式实现硅集成的提高，以迎合市场需求。然而，这些技术的革新或改进都是以晶圆的生成、制造为基础。在半导体的制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆表面沉积不同的膜层。现有的膜层沉积方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积等。在现有的半导体加工制造过程中，经常会出现晶圆进入膜层沉积装置的腔体后位置发生偏移的情况。一旦晶圆在腔体内部的位置发生偏移，晶圆表面沉积的膜层在膜厚、膜层均匀性等相关参数会出现异常，进而需要重新进行膜层沉积工艺甚至是直接导致晶圆的报废。然而，现有的膜层沉积装置内并没有侦测晶圆位置的结构，因此，晶圆在腔体内的位置是否发生偏移要等到膜层沉积工艺结束之后，通过检测沉积膜层的相关参数才能得到，严重影响晶圆产品的生产效率以及生产成本。因此，如何快速、准确的检测晶圆在反应腔室内的位置，及早确定晶圆在反应腔室内的位置是否发生偏移，以确保半导体的产效率，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术提供一种晶圆处理装置，用于解决现有技术中不能及早发现晶圆在反应腔室内的位置异常问题，以提高半导体的生产效率。为了解决上述问题，本技术提供了一种晶圆处理装置，包括反应腔室，还包括：基座，位于所述反应腔室内，用于承载晶圆；至少一组凹槽，位于所述基座表面，每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽；多条第一管道，与多个所述凹槽一一连通，且延伸至所述反应腔室外部；第二管道，与所述反应腔室连通，用于向所述反应腔室通入气体；多个压力计，位于所述反应腔室外部，且与多条所述第一管道一一连通，所述压力计用于检测与其连通的所述凹槽内的气体压力。优选的，所述基座表面仅具有一组凹槽。优选的，所述基座表面具有两组凹槽。优选的，所述基座包括底座以及凸设于所述底座表面的承载部；所述承载部用于承载晶圆；所述凹槽位于所述底座的边缘，且沿所述底座的径向方向延伸，所述承载部沿竖直方向上的投影位于多个所述凹槽围绕而成的区域内。优选的，所述凹槽的宽度为0.2mm～1.5mm、长度为0.3cm～1cm。优选的，还包括与多个所述凹槽一一对应的多个遮挡组件；所述遮挡组件包括沿竖直方向延伸的支撑柱以及与所述支撑柱连接的盖板，所述盖板能够围绕所述支撑柱在预设范围内转动，以完全遮盖所述凹槽。优选的，所述盖板为扇形。优选的，所述盖板的厚度小于1mm。优选的，还包括位于所述反应腔室外部的抽气泵，所述抽气泵连接多个所述压力计；在所述抽气泵与所述压力计之间设置有真空阀，用于控制所述压力计与所述抽气泵是否连通。优选的，还包括第三管道和旁路阀；所述第三管道的一端与所述反应腔室连通，另一端与所述抽气泵连通；所述旁路阀设置于所述第三管道中，用于控制所述反应腔室与所述抽气泵是否连通。本技术提供的晶圆处理装置，通过在用于承载晶圆的基座承载面中设置至少一组凹槽，且每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽，利用与所述凹槽连通的压力计来检测凹槽内的气体压力，当存在与一组凹槽对应的两个压力计检测到的气体压力值不同时，则说明晶圆的位置发生了偏移，从而可以及时了解晶圆在反应腔室内的位置情况，避免了在膜层沉积工艺结束之后才知晓晶圆位置出现了偏移的问题，提高了晶圆的生产效率，减少了晶圆返工及报废的概率。附图说明附图1是本技术具体实施方式中晶圆处理装置的截面示意图；附图2是本技术具体实施方式中晶圆处理装置的俯视结构示意图；附图3是本技术具体实施方式中遮挡组件与凹槽的截面示意图；附图4是本技术具体实施方式中遮挡组件与凹槽的俯视结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的晶圆处理装置的具体实施方式做详细说明。本具体实施方式提供了一种晶圆处理装置，附图1是本技术具体实施方式中晶圆处理装置的截面示意图，附图2是本技术具体实施方式中晶圆处理装置的俯视结构示意图。如图1、图2所示，本具体实施方式提供的晶圆处理装置包括：反应腔室10；基座11，位于所述反应腔室10内，用于承载晶圆12；至少一组凹槽，位于所述基座11表面，每组凹槽包括关于所述基座11的中心对称分布的两个凹槽13；多条第一管道14，与多个所述凹槽13一一连通，且延伸至所述反应腔室10外部；第二管道16，与所述反应腔室10连通，用于向所述反应腔室10通入气体；多个压力计15，位于所述反应腔室10外部，且与多条所述第一管道14一一连通，所述压力计15用于检测与其连通的所述凹槽13内的气体压力。具体来说，所述反应腔室10可以是用于实施膜层沉积工艺的腔室。在将晶圆12放置于所述反应腔室10之前，多个所述凹槽13均暴露于所述反应腔室10中，此时，关于所述基座11对称分布的两个所述凹槽内的气体压力相同，与一组凹槽对应的两个所述压力计15检测到的压力值相同。当放置于所述基座11表面的所述晶圆12的位置未发生偏移时，即所述晶圆12的中心在竖直方向上的投影与所述基座11的中心重合时，由于每组凹槽内的两个凹槽13是关于所述基座11的中心对称设置，因此，所述晶圆12对一组凹槽内的两个所述凹槽13的遮盖程度，此时，在通过所述第二管道16向所述反应腔室10通入气体后，与一组凹槽对应的两个所述压力计15检测到的压力值也是相同的。当放置于所述基座11表面的所述晶圆12的位置发生偏移时，即所述晶圆12的中心在竖直方向上的投影偏离所述基座11的中心时，所述晶圆12对一组凹槽内的两个所述凹槽13的遮盖程度不同，此时，在通过所述第二管道16向所述反应腔室10通入气体后，与一组凹槽对应的两个所述压力计15的检测到的压力值不同。本具体实施方式通过在所述基座11的表面设置至少一组凹槽，且每组凹槽包括关于所述基座11的中心对称分布的两个所述凹槽13，通过所述压力计15检测与其连通的凹槽13内的压力来判断所述晶圆12的位置是否发生偏移，便于工作人员及时采取措施，从而减少了晶圆返工及报废的概率，提高了晶圆的生产效率。优选的，所述基座11表面仅具有一组凹槽13。或者，优选的，所述基座11表面具有两组凹槽13。以下以所述基座11表面具有两组凹槽为例进行说明。如图1、图2所示，一组凹槽包括设置在图2中的A、C两处的两个凹槽13，另一组凹槽包括设置在图2中B、D两处的两个凹槽。在将所述晶圆12放置于所述基座11表面之前，记录与A、B、C、D四处凹槽13一一对应连通的四个所述压力计15的初始压力计值分别为PA1、PB1、PC1、PD1。当将所述晶圆12放置于所述基座11表面、且通过所述第二管道16向所述反应腔室10通入一定量的气体后，记录与A、B、C、D四处凹槽13一一对应连通的四个所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆处理装置，包括反应腔室，其特征在于，还包括：基座，位于所述反应腔室内，用于承载晶圆；至少一组凹槽，位于所述基座表面，每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽；多条第一管道，与多个所述凹槽一一连通，且延伸至所述反应腔室外部；第二管道，与所述反应腔室连通，用于向所述反应腔室通入气体；多个压力计，位于所述反应腔室外部，且与多条所述第一管道一一连通，所述压力计用于检测与其连通的所述凹槽内的气体压力。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，包括反应腔室，其特征在于，还包括：基座，位于所述反应腔室内，用于承载晶圆；至少一组凹槽，位于所述基座表面，每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽；多条第一管道，与多个所述凹槽一一连通，且延伸至所述反应腔室外部；第二管道，与所述反应腔室连通，用于向所述反应腔室通入气体；多个压力计，位于所述反应腔室外部，且与多条所述第一管道一一连通，所述压力计用于检测与其连通的所述凹槽内的气体压力。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基座表面仅具有一组凹槽。3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基座表面具有两组凹槽。4.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基座包括底座以及凸设于所述底座表面的承载部；所述承载部用于承载晶圆；所述凹槽位于所述底座的边缘，且沿所述底座的径向方向延伸，所述承载部沿竖直方向上的投影位于多个所述凹槽围绕而成的区域内。5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昕昀，曹紫然，贾中宇，吴龙江，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32