一种纳米晶产品的制备装置以及制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种纳米晶产品的制备装置以及制备方法。所述装置包括：输送装置，包括物料传送装置和离型膜传送装置；冲压装置，包括至少1套模具组，所述模具组包括相互配合的1个冲模和1个底模，所述冲模为凸模；所述底模为凹模，所述凹模为通孔结构。所述制备方法包括：由物料传送装置输送纳米晶带材，经过冲压装置的模具组将纳米晶带材冲压成纳米晶片，所述纳米晶片经底模的通孔落下贴敷在下方由离型膜传送装置输送的离型膜上，得到贴敷在离型膜上的由纳米晶片组成的纳米晶产品，所述纳米晶带材和离型膜同步运动。本发明专利技术提供的制备方法得到的纳米晶产品具有较高的电阻率和较低的磁损耗。

A preparation device and method of nanocrystalline products

【技术实现步骤摘要】
一种纳米晶产品的制备装置以及制备方法
本专利技术属于纳米晶制品的生产制造
，具体涉及一种纳米晶产品的制备装置以及制备方法。
技术介绍
在电力领域中，随着高频逆变技术的成熟化，传统大功率线性电源开始大量被高频开关电源所替代，而且为了提高效率，减小体积，开关电源的工作频率越来越高，这就对其中的软磁材料提出了更高的要求，铁氧体虽然高频损耗低，但在大功率方面仍存在诸多问题，一是饱和磁感低，无法减小变压器的体积；二是居里温度低，热稳定性差；三是制作大尺寸铁芯的成品率低，成本高。非晶纳米晶同时具有高饱和磁感和极低的高频损耗，并且热稳定好，是大功率开关电源用软磁材料的最佳选择。在电子信息领域，随着计算机、网络和通讯技术的迅速发展，对小尺寸，轻重量，高可靠性和低噪音的开关电源和网络设备的需求日益增长、要求越来越高。例如，为了减小体积，计算机开关电源的工作频率以从20KHz提高到500KHz；为了实现CPU的低电压大电流供电流供电方式，采用磁放大器稳定输出电压；为了消除各种噪音，采用抑制线路自生干扰的尖峰抑制器，以及抑制传导干扰的共模和差模的扼流圈。在开关电源和接口设备中增加了大量的高频磁性器件，经过特殊加工的纳米晶制品可在此处发挥出优良的作用。在现有的生产技术中主要通过裂片等生产方式制作出的纳米晶制品，已经无法满足市场上现有设备对高频低损耗产品的性能要求了，因此有必要开发出一种新型高频低损耗纳米晶制品的技术方案。CN107243610A公开了一种自动卷取型纳米晶带材制备设备，包括一制带设备；所述的制带设备的一侧设有两套水平放置的平行精密滑行导轨，所述的平行精密滑行导轨包括第一精密滑行导轨、第二精密滑行导轨、第三精密滑行导轨；所述的第三精密滑行导轨上设有可沿第三精密滑行导轨移动的收卷装置；所述的收卷装置包括收卷机座、收卷电机、抓取轮；所述的抓取轮内设计装有电磁抓取装置，外侧还设有卷绕芯，卷绕轴上还内置有高灵敏度光电开关；所述的收卷机座的底部还设有用于移动收卷装置的导轨滑块。CN104900383A公开了一种无线充电用单/多层导磁片及其制备方法，该单层导磁片包括：一层磁性薄片，所述薄片上均匀分布有多条裂纹，且所述多条裂纹将所述薄片分割成多个碎片单元；所述多条裂纹的缝隙中填充有绝缘介质，以使所述裂纹两侧的碎片单元相互绝缘；双面胶，粘附于所述磁性薄片的其中一面，所述磁性薄片的另一面形成有由所述绝缘介质构成的防护薄膜。其制备方法包括：热处理、双面胶粘合、裂纹化处理、浸胶处理以及烘干固化处理步骤。CN107979966A公开了一种应用于无线充电和NFC的隔磁片及其制备工艺，其制备工艺包括：构造隔磁单元：以具有两个裸露面的片材结构的软磁带材为基元，在所述软磁带材的其中一个裸露面贴合双面胶，并将所述软磁带材的另外一个裸露面被压制成网状纹路；构造隔磁片。但是上述装置或方法制备的产品其磁损耗仍有待降低，并且电阻率有待提高。因此，开发更加优良的高频低损耗纳米晶产品的制备装置以及制备方法对本领域意义重大。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述不足，本专利技术的目的在于提供一种纳米晶产品的制备装置以及制备方法。本专利技术提供的装置和方法制备出纳米晶产品电阻率高、磁损耗低，可以满足市场对高频低损耗带材产品需求。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：第一方面，本专利技术提供一种纳米晶产品制备装置，所述装置包括：输送装置，包括物料传送装置和离型膜传送装置，所述物料传送装置用于输送待处理的纳米晶带材；所述离型膜传送装置用于输送离型膜；所述离型膜传送装置位于物料传送转装置的下方；冲压装置，包括至少1套模具组，所述模具组包括相互配合的1个冲模和1个底模，所述冲模为凸模，位于由物料传送装置输送的待处理的纳米晶带材的上方；所述底模为凹模，位于物料传送装置输送的待处理的纳米晶带材和离型膜传送装置输送的离型膜之间，所述凹模为通孔结构，所述冲压装置用于将物料传送装置输送的待处理的纳米晶带材冲压成纳米晶片，并使所述纳米晶片落在由离型膜传送装置输送的离型膜上；本专利技术中，所述冲压装置包括至少1套模具组，例如1套、2套、3套、4套、5套或6套等。本专利技术提供的纳米晶产品制备装置中，所述凹模(底膜)为通孔结构，可以保证凸模(冲模)冲压出的纳米晶片能够通过通孔漏下，贴敷在下面的离型膜上。本专利技术提供的纳米晶产品制备装置中，通过冲压装置冲压出纳米晶片，并可以使其在离型膜上紧密排列得到高电阻率的纳米晶产品。以下作为本专利技术优选的技术方案，但不作为对本专利技术提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好的达到和实现本专利技术的技术目的和有益效果。作为基本专利技术优选的技术方案，所述冲压装置的模具组的套数为2-6套，例如2套、3套、4套、5套或6套，优选为4套。采用多套模具组，可以在每一套模具组的冲模和底模上分别设置更少的凸起和通孔，减少开设模具的难度；但是过多的模具组会造成冲压工艺过于漫长，影响生产效率。优选地，当所述冲压装置的模具组的套数超过1套时，各模具组沿所述物料传送装置输送纳米晶带材的方向排列。优选地，当所述冲压装置的模具组的套数超过1套时，各模具组的冲膜大小均相同，每个冲模的凸起位置和其他冲模的凸起位置没有任何重合。这里，各模具组的冲模大小均相同，可以使各模具组冲压纳米晶带材的同一部位，进而更高效地使用纳米晶带材。每个冲模的凸起位置和其他冲模的凸起位置没有任何重合可以保证不会在纳米晶带材上之前已经冲压掉的部位继续进行冲压而造成空压，并且可以减少每一个冲模上的凸起数量进而减少开设模具的难度。各模具组的冲模大小可根据需要的纳米晶产品的尺寸进行确定。优选地，所述冲模的凸起为圆形凸起。作为本专利技术优选的技术方案，所述纳米晶产品制备装置还包括辊压装置，所述辊压装置包括辊压轴，用于对冲压后得到的位于由离型膜传送装置输送的离型膜上的所述纳米晶片进行辊压。对贴敷在离型膜上的纳米晶片用辊压装置进行辊压，主要是使纳米晶片与离型膜良好贴敷，可以方便后续的处理工艺，防止冲出的纳米晶产品与离型膜的贴敷不好在后续加工中产生脱落现象，同时也可以起到轻度裂片的作用。优选地，所述辊压装置的辊压轴包括上辊压轴和下辊压轴，所述上辊压轴位于由离型膜传送装置输送的离型膜的上方，所述下辊压轴位于由离型膜传送装置输送的离型膜的下方。优选地，所述辊压装置的辊压轴传动电机为变频电机。采用变频电机可以进行无极调速。优选地，所述辊压轴为外部包覆橡胶的钢轴。第二方面，本专利技术提供一种用第一方面所述纳米晶产品制备装置制备纳米晶产品的方法，所述方法包括以下步骤：由物料传送装置输送纳米晶带材，经过冲压装置的模具组将纳米晶带材冲压成纳米晶片，所述纳米晶片经底模的通孔落下贴敷在下方由离型膜传送装置输送的离型膜上，得到贴敷在离型膜上的由纳米晶片组成的纳米晶产品，所述纳米晶带材和离型膜同步运动。本专利技术提供的制备方法通过冲压工艺将纳米晶带材冲成纳米晶片贴敷在离型膜上，得到纳米晶产品，通过本专利技术的制备方法得到的纳米晶产品具有较高的电阻率和较低的磁损耗。步骤(1)中，所述纳米晶带材和离型膜同步运动是指纳米晶带材和离型膜同速同向运动，保证纳米晶带材和离型膜的相对位置不变，这样如果用模具组多次冲压，纳米晶带材同一区域在多次冲压过程中每次冲压出的纳米晶片均能贴敷在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米晶产品制备装置，其特征在于，所述装置包括：输送装置，包括物料传送装置和离型膜传送装置，所述物料传送装置用于输送待处理的纳米晶带材；所述离型膜传送装置用于输送离型膜；所述离型膜传送装置位于物料传送转装置的下方；冲压装置，包括至少1套模具组，所述模具组包括相互配合的1个冲模和1个底模，所述冲模为凸模，位于由物料传送装置输送的待处理的纳米晶带材的上方；所述底模为凹模，位于物料传送装置输送的待处理的纳米晶带材和离型膜传送装置输送的离型膜之间，所述凹模为通孔结构，所述冲压装置用于将物料传送装置输送的待处理的纳米晶带材冲压成纳米晶片，并使所述纳米晶片落在由离型膜传送装置输送的离型膜上。

【技术特征摘要】
1.一种纳米晶产品制备装置，其特征在于，所述装置包括：输送装置，包括物料传送装置和离型膜传送装置，所述物料传送装置用于输送待处理的纳米晶带材；所述离型膜传送装置用于输送离型膜；所述离型膜传送装置位于物料传送转装置的下方；冲压装置，包括至少1套模具组，所述模具组包括相互配合的1个冲模和1个底模，所述冲模为凸模，位于由物料传送装置输送的待处理的纳米晶带材的上方；所述底模为凹模，位于物料传送装置输送的待处理的纳米晶带材和离型膜传送装置输送的离型膜之间，所述凹模为通孔结构，所述冲压装置用于将物料传送装置输送的待处理的纳米晶带材冲压成纳米晶片，并使所述纳米晶片落在由离型膜传送装置输送的离型膜上。2.根据权利要求1所述的纳米晶产品制备装置，其特征在于，所述冲压装置的模具组的套数为2-6套，优选为4套；优选地，当所述冲压装置的模具组的套数超过1套时，各模具组沿所述物料传送装置输送纳米晶带材的方向排列；优选地，当所述冲压装置的模具组的套数超过1套时，各模具组的冲膜大小均相同，每个冲模的凸起位置和其他冲模的凸起位置没有任何重合；优选地，所述冲模的凸起为圆形凸起。3.根据权利要求1所述的纳米晶产品制备装置，其特征在于，所述纳米晶产品制备装置还包括辊压装置，所述辊压装置包括辊压轴，用于对冲压后得到的位于由离型膜传送装置输送的离型膜上的所述纳米晶片进行辊压；优选地，所述辊压装置的辊压轴包括上辊压轴和下辊压轴，所述上辊压轴位于由离型膜传送装置输送的离型膜的上方，所述下辊压轴位于由离型膜传送装置输送的离型膜的下方；优选地，所述辊压装置的辊压轴传动电机为变频电机；优选地，所述辊压轴为外部包覆橡胶的钢轴。4.一种用权利要求1-3任一项所述纳米晶产品制备装置制备纳米晶产品的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：由物料传送装置输送纳米晶带材，经过冲压装置的模具组将纳米晶带材冲压成纳米晶片，所述纳米晶片经底模的通孔落下贴敷在下方由离型膜传送装置输送的离型膜上，得到贴敷在离型膜上的由纳米晶片组成的纳米晶产品，所述纳米晶带材和离型膜同步运动。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述纳米晶带材为贴合后的纳米晶带材；优选地，所述贴合后的纳米晶带材的制备方法包括：在退火过的纳米晶带材的上表面覆一层无基材的双面胶，将该纳米晶带材作为底层，揭开双面胶的隔离膜，然后另取一片纳米晶带材贴在揭开的双面胶上作为第二层，在第二层的纳米晶带材上表面覆上双面胶，依此类推贴合至所需的纳米晶带材层数，得到所述贴合后的纳米晶带材；优选地，所述无基材的双面胶的厚度为0.005-0.01mm；优选地，所述退火的方法包括以下步骤：将纳米晶原带在充满保护性气...

【专利技术属性】
技术研发人员：金天明，张德其，赵蒙杰，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33