【技术实现步骤摘要】
一种精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法
本专利技术涉及半导体测试方法,特别是涉及一种精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法。
技术介绍
随着集成电路技术的发展,更小的特征图形尺寸和电路器件间距对离子注入工艺提出了越来越严格的挑战。在突破了传统热扩散工艺对集成电路生产的限制后,离子注入技术以其低温、高精度、高WPH等优点,成为集成电路制造的重要生产工艺之一,由于其注入的浓度,深度,表面均匀性分布,会极大地影响器件的实际工作性能,因此对离子注入机性能的监测为保障生产稳定、高效起到了重要作用。方块电阻检测能够监测离子注入的深度、浓度与表面分布均匀性。其量测主要分为接触式四点探针(4PP)以及非接触式两大类。JPV是一种非接触式的探针,不会对晶圆(wafer)表面造成破坏,量测速度快。它通过两个LED灯激发wafer表面PN结产生电子和空穴,形成PN结区域内的电流。其探头同时有两个传感器(sensor)监测一定区域内的电压差,得到JPV信号,从而算出对应位置的方块电阻值。在JPV探头量测过程中,wafer边缘位置受边缘效应(edgeeffect)的影响,JPV信号有一 ...
【技术保护点】
1.一种精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:步骤一、将晶圆置于RS机台的量测卡盘上;步骤二、在所述晶圆表面上取四点,分别量测其JPV信号;步骤三、提供所述JPV信号与所述晶圆表面量测位置曲线关系,将步骤二中得到的所述四个点的JPV信号代入所述曲线关系,分别得出该四个点对应的坐标值;步骤四、利用步骤三中得到的所述四个点的坐标值,计算出该晶圆位置的偏移量;步骤五、提供标准偏移量,若步骤四中得到的晶圆位置的偏移量超出所述标准偏移量的范围,则在所述量测卡盘上重置该晶圆;若步骤四中得到的晶圆位置的偏移量在所述标准偏移量的范围内,则按照该偏移量对 ...
【技术特征摘要】
1.一种精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:步骤一、将晶圆置于RS机台的量测卡盘上;步骤二、在所述晶圆表面上取四点,分别量测其JPV信号;步骤三、提供所述JPV信号与所述晶圆表面量测位置曲线关系,将步骤二中得到的所述四个点的JPV信号代入所述曲线关系,分别得出该四个点对应的坐标值;步骤四、利用步骤三中得到的所述四个点的坐标值,计算出该晶圆位置的偏移量;步骤五、提供标准偏移量,若步骤四中得到的晶圆位置的偏移量超出所述标准偏移量的范围,则在所述量测卡盘上重置该晶圆;若步骤四中得到的晶圆位置的偏移量在所述标准偏移量的范围内,则按照该偏移量对方块电阻的RS实际测试值作矫正。2.根据权利要求1所述的精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法,其特征在于:基于所述量测卡盘中的直角坐标系,步骤二中在所述晶圆表面上取的四个点的位置分别为:靠近所述晶圆边缘的位置。3.根据权利要求2所述的精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法,其特征在于:基于所述量测卡盘中的直角坐标系,步骤二中在所述晶圆表面上取的四个点的位置分别为:靠近所述晶圆边缘的位置且分别位于晶圆边缘的四个不同的方位上。4.根据权利要求3所述的精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法,其特征在于:基于所述量测卡盘中的直角坐标系,步骤二中在所述晶圆表面上取的四个点的位置分别为:靠近所述晶圆边缘的位置且在所述直角坐标系的横纵轴上的四个方向的位置。5.根据权利要求4所述的精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法,其特征在于:基于所述量测卡盘中的直角坐标系,步骤二中在所述晶圆表面上取的四个点的位置分别在所述直角坐标系中的横纵轴上的四个方向与所述量测卡盘边缘距离相等的位置。6.根据权利要求5所述的精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法,其特征在于:基于所述量测卡盘中的直...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪浩,张立,赖朝荣,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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