热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置制造方法及图纸

提供了一种热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置。热辐射装置包括半导体基板。第一电极设置在半导体基板上。第二电极设置在半导体基板上并与第一电极间隔开。第一贯穿电极设置在半导体基板中。第一贯穿电极电连接到第一电极。

Thermal radiation devices, semiconductor packages and semiconductor devices including them

【技术实现步骤摘要】
热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0029202的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本公开涉及散热，并且更具体地涉及热辐射装置、包括该热辐射装置的半导体封装件以及包括该热辐射装置的半导体装置。
技术介绍
为了适应外型更小的具有更多功能的半导体芯片，已经将多个半导体芯片竖直地堆叠在单个基板或封装件上。随着更多半导体芯片被堆叠在单个封装件内，并且随着这些半导体芯片的时钟速度的增加，散热成为更大的挑战。未及时消散的过多热可能导致各种故障或运行速度延迟。
技术实现思路
热辐射装置包括半导体基板。第一电极设置在所述半导体基板上。第二电极设置在所述半导体基板上并与所述第一电极间隔开。第一贯穿电极设置在所述半导体基板中。所述第一贯穿电极电连接到所述第一电极。半导体封装件包括设置在封装基板上的至少一个半导体芯片。热辐射装置设置在所述至少一个半导体芯片上。热辐射装置包括半导体基板，所述半导体基板具有与所述至少一个半导体芯片相邻的底表面和面向所述底表面的顶表面。第一电极和第二电极均与所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热辐射装置，所述热辐射装置包括：半导体基板；设置在所述半导体基板上的第一电极；设置在所述半导体基板上并与所述第一电极间隔开的第二电极；以及设置在所述半导体基板中的第一贯穿电极，所述第一贯穿电极电连接到所述第一电极。

【技术特征摘要】
2018.03.13 KR 10-2018-00292021.一种热辐射装置，所述热辐射装置包括：半导体基板；设置在所述半导体基板上的第一电极；设置在所述半导体基板上并与所述第一电极间隔开的第二电极；以及设置在所述半导体基板中的第一贯穿电极，所述第一贯穿电极电连接到所述第一电极。2.根据权利要求1所述的热辐射装置，其中，所述半导体基板还包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的设置在所述半导体基板中的多个孔。3.根据权利要求1所述的热辐射装置，其中：所述第一电极设置在所述半导体基板的第一表面的中心上，所述第二电极沿着所述半导体基板的所述第一表面的边缘布置，所述第二电极围绕所述第一电极。4.根据权利要求3所述的热辐射装置，所述热辐射装置还包括设置在所述半导体基板中的第二贯穿电极，所述第二贯穿电极电连接到所述第二电极。5.根据权利要求1所述的热辐射装置，所述热辐射装置还包括设置在所述半导体基板的第二表面上的第一导电焊盘，其中，所述第一电极设置在所述半导体基板的与所述第二表面相对的第一表面上，所述第一贯穿电极将所述第一电极连接到所述第一导电焊盘。6.根据权利要求1所述的热辐射装置，其中，所述第一电极设置在所述半导体基板的第一表面上。7.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：设置在封装基板上的至少一个半导体芯片；以及设置在所述至少一个半导体芯片上的热辐射装置，其中，所述热辐射装置包括：半导体基板，所述半导体基板包括底表面和面对所述底表面的顶表面，所述底表面与所述至少一个半导体芯片相邻；均与所述半导体基板接触并且彼此间隔开的第一电极和第二电极；以及从所述半导体基板的所述顶表面朝向所述半导体基板的所述底表面延伸的第一贯穿电极。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述半导体基板包括多个孔，所述多个孔中的每个孔设置在所述第一电极与所述第二电极之间。9.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中：所述热辐射装置还包括设置在所述半导体基板的所述底表面上的第一导电焊盘；所述第一电极设置在所述半导体基...

【专利技术属性】
技术研发人员：金载春，金荣得，玄荣勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR