半导体发光装置及其制造方法制造方法及图纸

提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部；透明电极层，其布置在发光结构上；透明保护层，其布置在透明电极层上；分布式布拉格反射器层，其布置在透明保护层上，并且覆盖透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至透明电极层。

Semiconductor Light Emitting Device and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
半导体发光装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0025091的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
根据本专利技术构思的示例性实施例的设备和方法涉及一种半导体发光装置。
技术介绍
半导体发光装置被认为是下一代光源，其与传统光源相比具有诸如长寿命、低功耗、快响应时间、环境友好等优点，因此，半导体发光装置作为诸如显示装置的背光等的各种产品中的重要光源已经变得突出。
技术实现思路
示例实施例提供了一种具有改进的光通量和提高的可靠性的半导体发光装置。示例实施例还提供了一种制造该半导体发光装置的方法。根据示例实施例，提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置可包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部；透明电极层，其布置在发光结构上；透明保护层，其布置在透明电极层上；分布式布拉格反射器(DBR)层，其布置在透明保护层上，并且覆盖透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至透明电极层。根据示例实施例，提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置可包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部；透明电极层，其布置在发光结构上；透明保护层，其布置在透明电极层上；绝缘层，其布置在透明保护层上，并且覆盖透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至透明电极层，其中，透明保护层的折射率低于绝缘层的折射率，其中，孔或过孔包括彼此连接的第一内壁和第二内壁，第一内壁和第二内壁相对于透明电极层的上表面具有不同倾斜角，并且其中，第一内壁由绝缘层包围，并且第二内壁由透明保护层包围。根据示例实施例，提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法可包括：在衬底上形成包括多个半导体层的发光结构；在发光结构上按次序形成透明电极层、透明保护层和绝缘层；形成穿过绝缘层和透明保护层的孔或过孔，以暴露出透明电极层的一些部分；以及在绝缘层上形成电极焊盘，使得电极焊盘通过孔或过孔连接至透明电极层。这里，形成孔或过孔的步骤包括：第一步骤，去除绝缘层的一部分，使得在孔或过孔中暴露出透明保护层的表面；以及第二步骤，去除透明保护层的一部分，使得在孔或过孔中暴露出透明电极层。附图说明根据以下结合附图的详细描述，将更加清楚地理解本专利技术构思的以上和其它方面、特征和优点，其中：图1是示意性示出根据示例实施例的半导体发光装置的平面图；图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图；图3是图2的部分“A”的放大局部剖视图；图4A至图4C是示出在根据示例实施例的制造半导体发光装置的方法中形成孔的处理的剖视图；图5是图4C中“C”表示的部分的放大局部剖视图；图6A至图6C是示出在根据示例实施例的制造半导体发光装置的方法中形成孔的处理的剖视图；图7、图9、图11、图13、图15、图17和图19是示出根据示例实施例的制造半导体发光装置的方法的平面图；图8、图10、图12、图14、图16、图18和图20是示出根据示例实施例的制造半导体发光装置的方法的剖视图；以及图21是示意性地示出将根据示例实施例的半导体发光装置应用于封装件的示例的剖视图。具体实施方式下文中，将参照附图更完全地描述本专利技术构思的各种示例实施例。然而，本专利技术构思可按照许多不同形式实现，并且不应被理解为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使得本说明将是彻底和完整的，并且将把本专利技术构思的范围完全传达给本领域技术人员。在图中，为了清楚起见，可夸大层和区的大小和相对大小。应该理解，当元件或层被称作“位于”另一元件或层“上方”、“位于”另一元件或层“之上”、“位于”另一元件或层“上”、“连接至”或“结合至”另一元件或层时，其可直接位于另一元件或层上方、直接位于另一元件或层之上、直接位于另一元件或层上、直接连接至或直接结合至另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当元件被称作“直接位于”另一元件或层“上方”、“直接位于”另一元件或层“之上”、“直接位于”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接结合至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。相同标号始终指代相同元件。如本文所用，术语“和/或”包括相关所列项之一或多个的任何和所有组合。应该理解，虽然本文中可使用术语第一、第二、第三、第四等来描述多个元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一区、层或部分区分开。因此，在不脱离本专利技术构思的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区、层(例如，第一导电类型的半导体层)或部分可被称作第二元件、组件、区、层(例如，第二导电类型的半导体层)或部分，反之亦然。下文中，将参照附图描述示例实施例。图1是示意性地示出根据示例实施例的半导体发光装置的平面图，图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。首先，将参照图1和图2描述根据示例实施例的半导体发光装置10的示例。参照图1和图2，根据示例实施例的半导体发光装置10可包括衬底105、发光结构110、透明电极层140、第一透明保护层135(还称作‘透明保护层’)、第一绝缘层130(还称作‘绝缘层’)和反射电极层144。半导体发光装置10还可包括第二绝缘层150、第一连接电极155n、第二连接电极155p、第一电极焊盘165n、第二电极焊盘165p、第一焊料柱170n和第二焊料柱170p。衬底105可具有前表面105s1和与前表面105s1相对的后表面105s2。衬底105可为用于生长半导体的衬底，并且可由诸如蓝宝石、Si、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2或GaN的绝缘、导电或半导体材料形成。蓝宝石可为具有电绝缘特性和Hexa-RhomboR3c对称性的晶体，并且可用作用于生长氮化物半导体的衬底。在整个说明中，诸如“前侧”和“后侧”的术语用于在组件的相对位置之间区分，并且技术想法不限于这些术语。诸如“前表面”、“后表面”等的术语可由诸如“第一表面”、“第二表面”等的其它术语或者诸如“上表面”、“下表面”等的术语替代，并且用于解释本公开的各组件。因此，衬底105的前表面105s1和后表面105s2可分别由衬底105的上表面105s1和下表面105s2或者衬底105的第一表面105s1和第二表面150s2替代。可将发光结构110排列在衬底105的前表面105s1上。在一个示例中，衬底105的前表面105s1可形成为具有不规则结构(或者凹凸结构)，并且不规则结构可提高构成发光结构110的半导体层的结晶度和发光效率。在当前实施例中，衬底105的前表面105s1的不规则结构示为具有圆顶形的凸形，但是本专利技术构思不限于此。例如，衬底105的前表面105s1的不规则结构可具有诸如方形或三角形的各种其它形状。另外，衬底105的前表面105s1的不规则结构可选择性地形成并且可省略。在一个示例中，根据示例实施例，可稍后去除衬底105。例如，衬底105可设为用于生长发光结构110的生长衬底，然后，可通过分离工艺将其去除。这里，可通过激光剥离(LLO)法、化学剥离(CLO)法等将衬底105与发光结构110分离。虽然未示出，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至所述发光结构外部；透明电极层，其布置在所述发光结构上；透明保护层，其布置在所述透明电极层上；分布式布拉格反射器层，其布置在所述透明保护层上，并且覆盖所述透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至所述透明电极层。

【技术特征摘要】
2018.03.02 KR 10-2018-00250911.一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至所述发光结构外部；透明电极层，其布置在所述发光结构上；透明保护层，其布置在所述透明电极层上；分布式布拉格反射器层，其布置在所述透明保护层上，并且覆盖所述透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至所述透明电极层。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述分布式布拉格反射器层包括具有不同的折射率的多个膜。3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，所述分布式布拉格反射器层包括从由SiO2、SiN、SiOxNy、TiO2、Si3N4、Al2O3、TiN、AlN、ZrO2、TiAlN、TiSiN、HfO、NbO2、TaO2和MgF2构成的组中选择的至少一个。4.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其中，所述透明保护层包括SiO2和MgF2中的至少一个。5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，所述透明保护层的厚度范围为从10nm至200nm。6.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，所述透明保护层包括这样的材料，该材料的折射率低于形成用于形成所述分布式布拉格反射器层的所述多个膜中的布置为最靠近所述透明保护层的至少一个膜的材料的折射率。7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，形成所述分布式布拉格反射器层的材料的折射率低于形成所述发光结构并且布置在所述透明电极层下方的第一导电类型的半导体层的折射率。8.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述孔或过孔包括第一内壁和第二内壁，所述第一内壁和所述第二内壁彼此连接并且相对于所述透明电极层的上表面具有不同倾斜角，并且其中，所述第一内壁被所述分布式布拉格反射器层包围，并且所述第二内壁被所述透明保护层包围。9.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其中，所述第二内壁延伸至所述透明电极层的通过去除或蚀刻所述透明电极层的一部分而暴露的表面，并且该表面由此低于所述透明电极层的布置有所述透明保护层的上表面。10.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其中，所述透明电极层的厚度范围为从1nm至5nm。11.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明电极层被构造为将从所述电极焊盘接收到的电流注入所述发光结构中，以产生光，并且其中，在所述透明电极层与所述透明保护层之间存在界面。12.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明电极层包括从铟锡氧化物(ITO)、锌掺杂铟锡氧化物(ZITO)、镓铟氧化物(GIO)、锌锡氧化物(ZTO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、In4Sn3O12和锌镁氧化物(Zn(1-x)MgxO)中选择的至少一个，其中0≤x≤1。13.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括布置在所述分布式布拉格反射器层上的反射电极层，其中，所述反射电极层被构造为从所述电极焊盘接收电流，并且包括Ag、Cr、Ni、Ti、Al、Rh、Ru、Au或它们的组合。14.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其中，所述分布式布拉格反射器层与所述反射电极层形成全向反射器。15.一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至所述发光结构外部；透明电极层，其布置在所述发光结构上；透明保护层，其布置在所述透明电极层上；绝缘层，其布...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛榕燮，尹柱宪，孙夏英，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR