一种MICRO LED显示器件制造技术

本实用新型专利技术公开了MICRO LED显示器件，包括：外延基板、绝缘介质、若干透光膜及多种量子点；外延基板的N型GaN及量子阱被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元；绝缘介质填充在每两个相邻的芯片单元之间；每一个芯片单元所分别对应的N型GaN上均设置有一第一凹槽，且每一个第一凹槽的开口处分别设置有一个用于密封第一凹槽的透光膜；位于同一行或同一列的每三个连续的芯片单元上的三个第一凹槽内填充有至少两种量子点；外延基板的P型GaN接收到驱动电流时，三个连续的芯片单元内可射出红光、绿光及蓝光。本实用新型专利技术提供的MICRO LED显示器件具有较高的色域。

A MICRO LED Display Device

【技术实现步骤摘要】
一种MICROLED显示器件
本技术涉及光电
，尤其涉及一种MICROLED显示器件。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)作为一种新型的固体光源，已经被广泛应用于显示屏中。目前，MICROLED显示器件主要采用蓝光LED芯片发出蓝光，发出的蓝光中一部分蓝光光子打到荧光粉(比如，黄色荧光粉)上可激发黄光，蓝光和黄光混合形成的复合光即为人眼视觉上的白光。前述MICROLED显示器件形成的白光由蓝光及黄光混合形成，色域偏低。
技术实现思路
本技术提供一种MICROLED显示器件，具有较高的色域。本技术提供了一种MICROLED显示器件，包括：外延基板、绝缘介质、若干透光膜及多种量子点；其中，所述外延基板的N型GaN及量子阱被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元；所述绝缘介质填充在每两个相邻的所述芯片单元之间；每一个所述芯片单元所分别对应的N型GaN上均设置有一第一凹槽，且每一个所述第一凹槽的开口处分别设置有一个用于密封所述第一凹槽的透光膜；位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽内填充有所述至少两种量子点；所述外延基板的P型GaN接收到驱动电流时，三个连续的所述芯片单元内可射出红光、绿光及蓝光。优选地，所述至少两种量子点，包括：红光量子点、绿光量子点及蓝光量子点；所述量子阱包括紫光量子阱；位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽内分别填充有红光量子点、绿光量子点及蓝光量子点。优选地，所述红光量子点包括CdSe量子点；和/或，所述绿光量子点包括ZnS量子点；和/或，所述蓝光量子点包括ZnSe量子点。优选地，所述至少两种量子点，包括：红光量子点及绿光量子点；所述量子阱包括蓝光量子阱；位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽中的任意两个当前第一凹槽内分别填充有红光量子点及绿光量子点。优选地，所述绝缘介质包括绝缘黑胶。优选地，同一行或同一列上每两个相邻的所述芯片单元之间的距离相等。优选地，还包括：金属基板、一个P电极以及若干个N电极；其中，所述外延基板的P型GaN通过所述P电极与所述金属基板相连；每一个所述芯片单元所对应的N型GaN分别与一个所述N电极相连。优选地，所述N电极为不透明N电极。本技术提供了一种MICROLED显示器件，该MICROLED显示器件由外延基板、绝缘介质、若干透光膜及多种量子点构成，外延基板的N型GaN及量子阱被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元，绝缘介质填充在每两个相邻的芯片单元之间，每一个芯片单元所分别对应的N型GaN上均设置有一第一凹槽，且每一个第一凹槽的开口处分别设置有一个用于密封第一凹槽的透光膜；位于同一行或同一列的每三个连续的芯片单元上的三个第一凹槽内填充有至少两种量子点，外延基板的P型GaN接收到驱动电流时，三个连续的芯片单元内可射出红光、绿光及蓝光，红光、绿光及蓝光是白光的三通道加成色，每三个连续的芯片分别发出的光通过其对应的透光膜射出之后相互混合，则可形成白光；即本技术实施例提供的MICROLED显示器件无需对蓝光和黄光进行混合即可形成白光，具有较高的色域。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术一实施例提供的一种MICROLED显示器件的结构示意图；图2为本技术一实施例提供的另一种MICROLED显示器件的结构示意图；图3为本技术一实施例提供的一种MICROLED显示器件光中一个芯片单元及其外围区域所对应的俯视图；图4为本技术一实施例提供的一种MICROLED显示器件的制作方法的流程示意图；图5为本技术一实施例提供的一种MICROLED显示器件的另一种制作方法的流程示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合具体实施例及相应的附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接位于该另一个部件上。当一个部件被称为“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位置，仅是为了便于描述，不能理解为对本技术方案的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。如图1所示，本技术实施例提供了一种MICROLED显示器件，包括：外延基板1、绝缘介质2、若干透光膜3及多种量子点4；其中，所述外延基板1的N型GaN11及量子阱12被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元；所述绝缘介质2填充在每两个相邻的所述芯片单元之间；每一个所述芯片单元所分别对应的N型GaN11上均设置有一第一凹槽，且每一个所述第一凹槽的开口处分别设置有一个用于密封所述第一凹槽的透光膜3；位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽内填充有所述至少两种量子点4；所述外延基板1的P型GaN13接收到驱动电流时，三个连续的所述芯片单元内可射出红光、绿光及蓝光。如图1所示的实施例，该MICROLED显示器件由外延基板、绝缘介质、若干透光膜及多种量子点构成，外延基板的N型GaN及量子阱被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元，绝缘介质填充在每两个相邻的芯片单元之间，每一个芯片单元所分别对应的N型GaN上均设置有一第一凹槽，且每一个第一凹槽的开口处分别设置有一个用于密封第一凹槽的透光膜；位于同一行或同一列的每三个连续的芯片单元上的三个第一凹槽内填充有至少两种量子点，外延基板的P型GaN接收到驱动电流时，三个连续的芯片单元内可射出红光、绿光及蓝光，红光、绿光及蓝光是白光的三通道加成色，每三个连续的芯片分别发出的光通过其对应的透光膜射出之后相互混合，则可形成白光；即本技术实施例提供的MICROLED显示器件无需对蓝光和黄光进行混合即可形成白光，具有较高的色域。需要说明的是，量子点即纳米晶，其粒径一般介于1～100nm之间，具备电致发光及光致发光的能力，可在驱动电流或光的激发下产生具有一定颜色的光；量子点具有高能力的吸光-发光效率、很窄的半高宽、宽吸收频谱等特性，因此通过红光量子点、绿光量子点以及蓝光量子点分别产生红光、绿光及蓝光后混合成白光，所形成的白光则具有极高的色纯度及色饱和度。本领域技术人员应当理解的，一个外延基板可以由N型GaN、量子阱以及P型GaN顺序层叠构成，为了实现将外延基板的N型GaN以及量子阱分割成多个呈行列排布的芯片单元，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MICRO LED显示器件，其特征在于，包括：外延基板、绝缘介质、若干透光膜及多种量子点；其中，所述外延基板的N型GaN及量子阱被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元；所述绝缘介质填充在每两个相邻的所述芯片单元之间；每一个所述芯片单元所分别对应的N型GaN上均设置有一第一凹槽，且每一个所述第一凹槽的开口处分别设置有一个用于密封所述第一凹槽的透光膜；位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽内填充有所述至少两种量子点；所述外延基板的P型GaN接收到驱动电流时，三个连续的所述芯片单元内可射出红光、绿光及蓝光。

【技术特征摘要】
1.一种MICROLED显示器件，其特征在于，包括：外延基板、绝缘介质、若干透光膜及多种量子点；其中，所述外延基板的N型GaN及量子阱被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元；所述绝缘介质填充在每两个相邻的所述芯片单元之间；每一个所述芯片单元所分别对应的N型GaN上均设置有一第一凹槽，且每一个所述第一凹槽的开口处分别设置有一个用于密封所述第一凹槽的透光膜；位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽内填充有所述至少两种量子点；所述外延基板的P型GaN接收到驱动电流时，三个连续的所述芯片单元内可射出红光、绿光及蓝光。2.根据权利要求1所述的MICROLED显示器件，其特征在于，所述至少两种量子点，包括：红光量子点、绿光量子点及蓝光量子点；所述量子阱包括紫光量子阱；位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽内分别填充有红光量子点、绿光量子点及蓝光量子点。3.根据权利要求2所述的MICROLED显示器件，其特征在于，所述红光量子点包括CdSe...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国旭，申崇渝，黄志勇，雷利宁，
申请(专利权)人：易美芯光北京科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11