存储器系统及其操作方法技术方案

本发明专利技术涉及一种存储器系统的操作方法，该存储器系统包括能够在单个存储器单元中存储N位数据的复层单元存储块。该操作方法包括：以N位单元模式访问复层单元存储块，确定复层单元存储块的干扰程度，根据确定的结果，指定在复层单元存储块的开放存储区中包括的处于擦除状态的一个或多个存储器单元作为M位组，其中M是小于N的整数，以及以M位单元模式访问M位组。

Memory system and its operation method

【技术实现步骤摘要】
存储器系统及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月27日提交的申请号为10-2018-0023817的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。
本专利技术的各个实施例总体涉及一种存储器系统。更特别地，实施例涉及一种包括非易失性存储器装置和控制器的存储器系统及该存储器系统的操作方法。
技术介绍
计算机环境范例已经变为可在任何时间和任何地点使用计算机系统的普适计算系统。由于这个事实，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机的便携式电子装置的使用已经迅速增加。这些便携式电子装置通常使用具有一个或多个存储器装置的存储器系统来存储数据。这种装置中的存储器系统可用作主存储器装置或辅助存储器装置。由于存储器系统没有移动部件(例如，具有读取/写入头的机械臂)，所以它们提供优良的稳定性、耐用性、高的信息存取速度以及低功耗。具有这种优点的存储器系统的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡以及固态驱动器(SSD)。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及一种可以恢复(resume)写入操作以避免、减少或防止由擦除单元干扰引起的不期望影响的存储器系统以及该存储器系本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统的操作方法，所述存储器系统包括能够在单个存储器单元中存储N位数据的复层单元存储块，所述操作方法包括：以N位单元模式访问所述复层单元存储块，确定所述复层单元存储块的干扰程度，根据所确定的结果，指定在所述复层单元存储块的开放存储器区域中包括的处于擦除状态的一个或多个存储器单元作为M位组，其中M是小于N的整数，以及以M位单元模式访问所述M位组。

【技术特征摘要】
2018.02.27 KR 10-2018-00238171.一种存储器系统的操作方法，所述存储器系统包括能够在单个存储器单元中存储N位数据的复层单元存储块，所述操作方法包括：以N位单元模式访问所述复层单元存储块，确定所述复层单元存储块的干扰程度，根据所确定的结果，指定在所述复层单元存储块的开放存储器区域中包括的处于擦除状态的一个或多个存储器单元作为M位组，其中M是小于N的整数，以及以M位单元模式访问所述M位组。2.根据权利要求1所述的操作方法，确定所访问的所述复层单元存储块的干扰程度包括：检查所述存储块的读取计数是否超过预定阈值。3.根据权利要求1所述的操作方法，其中以所述M位单元模式访问所述M位组包括：以所述M位单元模式对所述M位组编程。4.根据权利要求3所述的操作方法，其中以所述M位单元模式对所述M位组编程包括：将用户数据编程在复层单元的M位中。5.根据权利要求4所述的操作方法，其中以所述M位单元模式对所述M位组编程进一步包括：将虚拟数据编程在除了被编程所述用户数据的所述M位之外的剩余N-M位中。6.根据权利要求1所述的操作方法，其中以所述M位单元模式访问所述M位组包括：以所述M位单元模式读取所述M位组。7.根据权利要求6所述的操作方法，其中以所述M位单元模式读取所述M位组包括：增加区分所述擦除状态和编程状态的读取电压以读取所述M位组。8.根据权利要求1所述的操作方法，其中所述复层单元存储块是多层单元存储块，所述M位组是单层单元组，并且所述M位单元模式是单层单元模式。9.根据权利要求1所述的操作方法，其中所述复层单元存储块是三层单元存储块，所述M位组是单层单元组，并且所述M位单元模式是单层单元模式。10.根据权利要求1所述的操作方法，其中所述复层单元存储块是三层单元存储块，所述M位组是多层单元组，并且所述M位单元模式是多层单元模式。11.一种存储器系统，包括：存储器装置，包括能够在单个存储器单元中存储N位数据的复层单元存储块；以及控制器，控制所述存储器装置，其中所述控制器以N位单元模式访问所述复层单元存储块，确定所...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪志满，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR