避免制程期间电荷所影响的方法、制造方法与集成电路技术

本发明专利技术为用于防止存储器系统(例如，NAND闪存)受到制程期间电荷的影响的系统、方法、电路与包含计算机可读取存储介质(computer‑readable mediums)的装置。该方法包含：形成第一连线与第二连线，其中第一连线用以将二极管的第一节点连接至与即将被制造的一个或多个存储单元耦接的存储单元连接线，且第二连线用以将二极管的第二节点连接至控制电路。据此，在制造存储器时，累积于存储单元上的制程期间电荷经由导通路径而被放电至接地端。其中，导通路径是由因制程期间电荷所引起的第一电压而对二极管顺向偏压，并据以致能控制电路将电流导通至接地端所形成；以及，在制造存储器与存储器执行操作的同时，将第二电压施加于控制电路而对该二极管逆向偏压并因而关闭导通路径。

Methods, Manufacturing Methods and Integrated Circuits to Avoid the Effect of Charge during Manufacturing

【技术实现步骤摘要】
避免制程期间电荷所影响的方法、制造方法与集成电路
本专利技术是有关于一种避免存储单元受到制程期间电荷影响的方法、存储器系统的制造方法与集成电路，且特别是有关于一种提供导电路径使制程期间电荷放电，进而避免存储单元受到制程期间电荷影响的方法、存储器系统的制造方法与集成电路。
技术介绍
天线效应可能使厂商在制造金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，简称为MOS)集成电路的时候，引起良率与可靠度的问题。制程期间实质累积的电荷可能会损坏装置。在等离子体辅助制程(例如，高密度等离子体(highdensityplasma，简称为HDP)与等离子体辅助化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，简称为PECVD))、薄膜沉积(thinfilmdepositions)与后端线路(backendofline，简称为BEOL)的刻蚀制程的期间，皆可能产生此种制程期间电荷(in-processcharges)的影响。在某些情况下中，等离子体电荷效应会对硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(silicon-oxide-nitride-ox本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止存储器内的存储单元受到制程期间电荷影响的方法，包含以下步骤：形成一第一连线，用以将一第一二极管的一第一节点连接至与即将被制造的一个或多个第一存储单元耦接的一第一存储单元连接线，以及，形成一第二连线，用以将该第一二极管的一第二节点连接至一控制电路，其中在制造该存储器时，累积在该一个或多个第一存储单元的制程期间电荷经由一第一导通路径而被放电至一接地端，其中该第一导通路径是由因该制程期间电荷所引起的一第一电压对该第一二极管顺向偏压并因而致能该控制电路将一电流导通至该接地端所形成；以及在制造该存储器之后以及在操作该存储器的时候，将一第二电压施加于该控制电路而对该第一二极管逆向偏压并据以关闭...

【技术特征摘要】
2017.12.29 US 15/857,9401.一种防止存储器内的存储单元受到制程期间电荷影响的方法，包含以下步骤：形成一第一连线，用以将一第一二极管的一第一节点连接至与即将被制造的一个或多个第一存储单元耦接的一第一存储单元连接线，以及，形成一第二连线，用以将该第一二极管的一第二节点连接至一控制电路，其中在制造该存储器时，累积在该一个或多个第一存储单元的制程期间电荷经由一第一导通路径而被放电至一接地端，其中该第一导通路径是由因该制程期间电荷所引起的一第一电压对该第一二极管顺向偏压并因而致能该控制电路将一电流导通至该接地端所形成；以及在制造该存储器之后以及在操作该存储器的时候，将一第二电压施加于该控制电路而对该第一二极管逆向偏压并据以关闭该第一导通路径。2.如权利要求1所述的方法，其中该控制电路包含一晶体管，其包含与该第一二极管的该第二节点耦接的一源极端、与该接地端耦接的一漏极端，以及一栅极端，其中该第一连线以及该第二连线形成于一第一金属层上，且该方法更包含以下步骤：于该存储器与该控制电路上随后形成一第二金属层，藉以完成制造该存储器，以及通过将该晶体管的一栅极端耦接于该晶体管的该源极端而禁能该晶体管。3.如权利要求1所述的方法，其中该第一连线以及该第二连线形成于一第一金属层之上，其中该方法更包含以下步骤：于该存储器与该控制电路上随后形成一第二金属层，藉以完成制造该存储器并形成一第三连线，其中该第三连线用于将该第二电压施加于该第一二极管的该第二节点。4.如权利要求1所述的方法，其中施加于该控制电路的该第二电压高于施加于该第一存储单元连接线上的一操作电压。5.如权利要求1所述的方法，其中该第一存储单元连接线包含一字线、一位线、一源极选择线，以及一接地选择线的其中一个。6.如权利要求1所述的方法，其中该控制电路包含耦接于该第一二极管以及该接地端之间且彼此串联的多个晶体管，其中施加在该控制电路上的该第二电压分布于这些晶体管。7.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘逸青，洪俊雄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71