半导体装置和制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。

Semiconductor devices and manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制造方法本申请是申请日为2014年3月14日、专利技术名称为“半导体装置和制造方法”的申请号为201410095150.5专利申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体装置和制造方法，特别是通过以电极彼此电结合的状态接合两个基板而构造的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
迄今，二维结构的半导体装置已经通过引用精细的工艺和改善安装密度而高度集成，但是在采用上述方法的高度集成二维结构中存在物理上的限制。因此，已经开发了三维结构的半导体装置以进一步缩小半导体装置的尺寸且进一步提高像素的密度。例如，日本未审查专利申请公开No.2006-191081中提出了通过堆叠具有光电转换部的传感器基板和具有周边电路部分的电路基板且接合两个基板在一起获得的三维结构的半导体装置。上述的三维结构的半导体装置这样生产，采用两个基板，该两个基板具有暴露Cu电极和绝缘膜的接合表面，以接合表面彼此面对的状态对齐Cu电极，此外，热处理Cu电极，由此将这些基板接合在一起。如上所述，通过Cu电极的直接结合(Cu-Cu结合)而堆叠且接合基板在一起获得三维结构的半导体装置(例如，参见日本未审查专利申请公开No.2000本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极和第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。

【技术特征摘要】
2013.03.22 JP 2013-0606911.一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极和第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该绝缘薄膜是氧化膜。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该绝缘薄膜是氮化膜。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该绝缘薄膜具有层叠结构。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该绝缘薄膜设置成覆盖整个接合表面的状态，并且之后，仅电极之间的接合表面变形且被破坏。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一基板的该接合表面和该第二基板的该...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井宣年，萩本贤哉，青柳健一，香川惠永，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP