【技术实现步骤摘要】
一种半导体元件的制造方法
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种半导体元件的加工方法。
技术介绍
在半导体芯片生产流程中,其中一项步骤为黄光制程,此步骤决定晶圆最终的图形与尺寸。黄光制程里包含光阻剂涂布、曝光、显影及蚀刻。光阻剂为以液态形式存在的化学感光材料,好的光阻剂有良好的附着性、抗腐蚀性。先在晶圆的N型面涂布适当厚度的光阻剂上,进行第一次软烤,取出后,翻过晶圆面在P型面同样涂布适当厚度的光阻剂,进行第二次的硬烤,两次的烘烤藉由温度蒸发排出光阻内的溶剂,以利后续曝光、显影。曝光由白灯光源经由光罩将预设计好的图形转印在材料上,光源的入射光发生反射,未被反射透过光罩的光束则和光罩上的设计图案相同。再经过显影将光罩上的设计图案移转到光阻剂上,并在蚀刻时保护不想被蚀刻区域,将光罩上想要的图形蚀刻出来。另外,EPI芯片本身会做研磨抛光制程,因此芯片表面本身光滑,与光阻剂的结合的附着能力会较弱,蚀刻时,光阻剂容易脱落导致保护芯片抗腐蚀性的功能丧失,进而造成后续蚀刻开沟失败。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足,本专利技术的目的是提供一种特定的沟槽蚀刻方法,可以有效增加光阻剂在晶粒表面的附著力,防止后续组装发生溢锡现象。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种半导体元件的制造方法,包括如下步骤:(1)预蚀刻步骤:1)将半导体芯片上下两面均涂布光阻剂;2)选取特定图案的光罩覆盖在光阻剂层上,进行曝光、显影;3)将半导体芯片置入混合酸中进行预蚀刻,所述混合酸按质量比组成如下:硝酸:氢氟酸:硫酸:冰醋酸=(4-10):(4-10):(2-5):(3-8); ...
【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)预蚀刻步骤:1)将半导体芯片上下两面均涂布光阻剂;2)选取特定图案的光罩覆盖在光阻剂层上,进行曝光、显影;3)将半导体芯片置入混合酸中进行预蚀刻,所述混合酸按质量比组成如下:硝酸:氢氟酸:硫酸:冰醋酸=(4‑10):(4‑10):(2‑5):(3‑8);4)蚀刻完成后,去除半导体芯片表面光阻剂,并干燥半导体芯片;(2)常规黄光制程步骤:将预蚀刻得到的半导体芯片的P型面和N型面进行二次涂覆光阻剂,然后进行曝光、显影、开设浅沟、背线保护等步骤。
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)预蚀刻步骤:1)将半导体芯片上下两面均涂布光阻剂;2)选取特定图案的光罩覆盖在光阻剂层上,进行曝光、显影;3)将半导体芯片置入混合酸中进行预蚀刻,所述混合酸按质量比组成如下:硝酸:氢氟酸:硫酸:冰醋酸=(4-10):(4-10):(2-5):(3-8);4)蚀刻完成后,去除半导体芯片表面光阻剂,并干燥半导体芯片;(2)常规黄光制程步骤:将预蚀刻得到的半导体芯片的P型面和N型面进行二次涂覆光阻剂,然后进行曝光、...
【专利技术属性】
技术研发人员:李珏蒨,夏毅伦,
申请(专利权)人:扬州虹扬科技发展有限公司,虹扬发展科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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