【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法
本专利技术主要涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
随着电子产业的迅速进步以及用户需求的增加，电子设备正在变得越来越小型化和多功能化。相应地，对半导体器件的封装尺寸要求也越来越小。通常，对半导体芯片进行封装的过程分为前段、中段、电镀、后段和测试等工艺制程。在半导体器件的后段制程(Back-End-Of-Line，BEOL)中，在半导体器件的顶层制作了金属层间介质层及金属焊垫(PAD)。该金属层间介质层通常为氧化硅，金属焊垫通常为铝焊垫。金属焊垫后续就作为封装互连的连接点。在金属层间介质层和金属焊垫上还会形成钝化层，再对该钝化层进行刻蚀，暴露出部分的金属焊垫以用于后续进行连线。为了保护半导体器件，减少环境对半导体器件的影响，在半导体器件的顶层会覆盖一层保护层。该保护层的材料可以是聚酰亚胺(Polyimide)，一种高分子聚合物。然而，由于保护层通常是高分子有机材料，在用刀片在芯片上切割以形成划片槽(ScribeLane)时，会使聚酰亚胺粘在刀片上，影响切割效率及刀片的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术要解决的技...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心器件区和形成于所述核心器件区之上的金属焊垫；在所述半导体结构的表面覆盖第一钝化层、第二钝化层和感光保护层；使用第一掩膜去除所述感光保护层的至少部分切割沟道区，所述第一掩膜具有交替布置的透光区和遮光区；使用第二掩膜去除至少部分感光保护层、第一钝化层和第二钝化层，形成连通至所述金属焊垫的开口。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心器件区和形成于所述核心器件区之上的金属焊垫；在所述半导体结构的表面覆盖第一钝化层、第二钝化层和感光保护层；使用第一掩膜去除所述感光保护层的至少部分切割沟道区，所述第一掩膜具有交替布置的透光区和遮光区；使用第二掩膜去除至少部分感光保护层、第一钝化层和第二钝化层，形成连通至所述金属焊垫的开口。2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜具有交替布置的透光区和遮光区，形成的所述开口为台阶状开口，所述台阶的过渡面为弧面。3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜为同一张掩膜，通过一次工艺使用所述掩膜去除所述感光保护层的至少部分切割沟道区以及至少部分感光保护层、第一钝化层和第二钝化层。4.如权利要求1或2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜为不同的掩膜，通过两次工艺使用所述第一掩膜去除所述感光保护层的至少部分切割沟道区以及使用所述第二掩膜去除至少部分感光保护层、第一钝化层和第二钝化层。5.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王永庆，陈赫，董金文，华子群，马瑞，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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