在衬底上形成结构的方法技术

提供了一种通过向衬底提供硬掩模材料在所述衬底上形成层的方法。在N个渗透循环期间，用渗透材料渗透所述硬掩模材料，所述渗透循环是通过以下进行：a)将第一前驱体提供至在反应腔室中的衬底上的所述硬掩模材料上，保持第一时间段T1；b)移除所述第一前驱体的一部分，保持第二时间段T2；以及c)将第二前驱体提供至在所述衬底上的所述硬掩模材料上，保持第三时间段T3，以使所述第一和第二前驱体彼此反应，形成所述渗透材料。

A Method of Forming Structures on Substrates

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在衬底上形成结构的方法
本公开大体上涉及用于制造电子装置的方法和系统。更具体地说，本公开涉及用于在衬底上形成结构的方法。
技术介绍
随着半导体装置的尺寸变得越来越小的趋势，出现了不同的图案化技术。这些技术包含间隔物界定的四重图案化、极紫外光刻(EUV)以及EUV与间隔物界定的双重图案化的组合。另外，定向自组装(DSA)也已经被视为未来光刻应用的一种选择。DSA涉及使用嵌段共聚物界定用于自组装的图案。所使用的嵌段共聚物可包含聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚苯乙烯或聚(苯乙烯-嵌段-甲基丙烯酸甲酯)(PS-b-PMMA)。其它嵌段共聚物可包含新兴的“高χ(high-Chi)”聚合物，这些聚合物有可能实现小尺寸。上文所描述的图案化技术可利用安置于衬底上的至少一种聚合物抗蚀剂以实现对衬底的高分辨率图案化。为了满足高分辨率和线边缘粗糙度两方面的要求，聚合物抗蚀剂通常可以是薄层。然而，此类薄聚合物抗蚀剂可能具有若干缺点。确切地说，高分辨率聚合物抗蚀剂可能具有低耐蚀刻性。这种低耐蚀刻性使得图案化抗蚀剂向底层转印变得困难。当进一步按比例缩小半导体装置的尺寸需要先进高分辨率聚合物抗蚀剂具有甚至更低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在衬底上形成结构的方法，其包括：在反应腔室中向所述衬底提供硬掩模材料；以及在一个或多个渗透循环期间，用渗透材料渗透所述硬掩模材料，所述一个或多个渗透循环包括：a)将第一前驱体提供至在所述反应腔室中的所述衬底上的所述硬掩模材料上，保持第一时间段T1；b)从所述反应腔室中移除所述第一前驱体的一部分，保持第二时间段T2；以及c)将第二前驱体提供至在所述衬底上的所述硬掩模材料上，保持第三时间段T3，使所述第一和第二前驱体彼此反应，在所述硬掩模材料中形成所述渗透材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.15 US 15/380,8951.一种在衬底上形成结构的方法，其包括：在反应腔室中向所述衬底提供硬掩模材料；以及在一个或多个渗透循环期间，用渗透材料渗透所述硬掩模材料，所述一个或多个渗透循环包括：a)将第一前驱体提供至在所述反应腔室中的所述衬底上的所述硬掩模材料上，保持第一时间段T1；b)从所述反应腔室中移除所述第一前驱体的一部分，保持第二时间段T2；以及c)将第二前驱体提供至在所述衬底上的所述硬掩模材料上，保持第三时间段T3，使所述第一和第二前驱体彼此反应，在所述硬掩模材料中形成所述渗透材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括：在所述硬掩模材料上提供图案化层；以及在所述硬掩模材料中蚀刻所述图案化层的图案，产生图案化的硬掩模。3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述硬掩模材料上提供所述图案化层包括：在所述硬掩模材料上提供光致抗蚀剂层；以及用光刻设备使所述光致抗蚀剂层图案化。4.根据权利要求2所述的方法，其中在所述硬掩模材料上提供图案化层包括：在所述硬掩模材料上提供嵌段共聚物膜；以及促进所述嵌段共聚物膜的定向自组装以形成所述图案化层。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个渗透循环包括：d)移除所述第二前驱体的一部分，保持第四时间段T4；并且所述一个或多个渗透循环是在1至60个渗透循环之间。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模材料是多孔的。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模材料包括旋涂玻璃或旋涂碳层。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模材料包括氮化硅层。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模材料包括抗反射涂料。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模材料包括非晶碳、SiCOH或SiOC材料。11.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述第一和/或第二前驱体包括将所述第一或第二前驱体从所述反应腔室泵出。12.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述第一和/或第二前驱体包括在所述反应腔室中提供吹扫气体以吹扫掉所述第一和/或第二前驱体。13.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·卡内鹏，J·W·麦斯，B·琼布罗德，K·K·卡谢尔，D·皮尔勒科斯，D·K·德罗斯特，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL