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本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心器件区和形成于所述核心器件区之上的金属焊垫；在所述半导体结构的表面覆盖第一钝化层、第二钝化层和感光保护层；使用第一掩膜去除所述感光保护层的至少部分切割沟道区，所...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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