基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及基板处理装置，该基板处理装置用于进行基板的研磨工序，其包括：研磨垫，用于研磨基板的上表面；研磨头，具备与研磨垫上表面接触的隔膜，相对于基板进行移动，从而可以提高研磨稳定性及研磨准确度。

Substrate Processing Unit

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本技术涉及基板处理装置，更具体而言，涉及一种能够提高基板的研磨稳定性及研磨均匀度的基板处理装置。
技术介绍
最近，随着对信息显示装置关心的高涨，要利用能携带的信息介质的要求也正在提高，同时正在重点进行对替代原有显示装置的阴极射线管(CathodeRayTube；CRT)的轻薄型平板显示装置(FlatPanelDisplay；FPD)的研究及商业化。在这种平板显示装置领域，迄今轻巧而耗电少的液晶显示装置(LiquidCrystalDisplayDevice；LCD)是最受瞩目的显示装置，但液晶显示装置不是发光元件而是受光元件，在亮度、对比度(contrastratio)及视野角等方面存在缺点，因此正在开展对能够克服这种缺点的新显示装置的活跃开发。其中，作为最近倍受瞩目的新一代显示装置之一，有有机发光显示装置(OLED:OrganicLightEmittingDisplay)。一般而言，显示装置中使用强度及透过性优秀的玻璃基板，最近，显示装置指向紧凑化及高像素(high-pixel)，因而应可以准备与此相应的玻璃基板。作为一个示例，作为OLED工序之一，在向非晶硅(a-Si)照射激光而结晶成多晶硅(poly-Si)的ELA(EximerLaserAnnealing，准分子激光晶化)工序中，在多晶硅结晶的同时，表面会发生凸起，这种凸起可能发生不均衡现象(mura-effects)，因此，玻璃基板应能够进行研磨处理，以便去除凸起。为此，最近进行了旨在高效研磨基板表面的多样研究，但还远远不够，要求对此进行开发。
技术实现思路
技术问题本技术目的在于提供一种能够提高基板的处理效率并且改善研磨稳定性及研磨均匀度的基板处理装置。特别是本技术目的在于能够根据基板的表面弯曲而均匀地研磨基板。另外，本技术目的在于能够在研磨工序中稳定地保持研磨垫的配置状态。另外，本技术目的在于能够容易地更换研磨垫并且能够简化研磨垫的更换工序。另外，本技术目的在于能够提高生产率及收率。解决技术问题的方案旨在达成所述本技术目的的本技术提供一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：研磨垫，用于研磨基板的上表面；研磨头，具备与研磨垫上表面接触的隔膜，相对于基板进行移动。其中，在所述隔膜的上部，形成有连通为一个的单一压力腔室，从所述研磨垫的中央部施加到所述基板的第一压力大于从所述研磨垫的边缘部施加到所述基板的第二压力。其中，在所述隔膜的底板中央部，施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第一压力；在所述隔膜的底板边缘部，施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第二压力。其中，所述隔膜的底板边缘部以包围所述隔膜的底板中央部的周围的方式形成。其中，所述隔膜的底板边缘部形成为厚度厚于所述隔膜的底板中央部。其中，所述隔膜的底板边缘部具有沿着所述隔膜的半径方向从内向外逐渐变厚的厚度。其中，所述隔膜的底板边缘部的底面与隔膜的底板中央部的底面构成同一平面。其中，所述隔膜的底板中央部与所述研磨垫接触，所述隔膜的底板边缘部从所述研磨垫隔开。其中，所述隔膜的底板边缘部以包围所述隔膜的底板中央部周围的方式形成。其中，所述隔膜的底板边缘部形成为平面。其中，所述隔膜的底板边缘部形成为曲面。其中，所述隔膜的底板边缘部以沿着所述隔膜的半径方向从内向外逐渐增大的形状，从所述研磨垫隔开。其中，所述隔膜的底板中央部与所述研磨垫接触，包括配置于所述隔膜的底板边缘部与所述研磨垫的上表面之间的中间构件。其中，从所述隔膜的底板中央部施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第一压力；从所述中间构件施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第二压力。其中，所述中间构件以包围所述隔膜的底板中央部周围的方式形成。其中，所述中间构件具有沿着所述隔膜的半径方向从内向外逐渐变厚的厚度。其中，所述隔膜的底板边缘部与所述中间构件的上表面形成面接触。其中，所述研磨头包括：本体部，在底面配备有所述隔膜；研磨垫卡环，与所述本体部连接，配置于所述隔膜的周围；卡环延伸部，从所述研磨垫卡环延伸，配置于所述隔膜的底板边缘部与所述研磨垫的上表面之间；卡环压力腔室，形成在所述卡环延伸部的上部；所述隔膜的底板中央部在所述卡环延伸部的内部，与所述研磨垫接触。其中，在所述隔膜的底板中央部，施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第一压力；在所述卡环延伸部，施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第二压力。其中，所述卡环延伸部以包围所述隔膜的底板中央部周围的方式形成。其中，所述卡环延伸部具有沿着所述隔膜的半径方向从内向外逐渐变厚的厚度。其中，所述隔膜包括：第一隔膜，与所述研磨垫接触；第二隔膜，位于所述第一隔膜的上侧。其中，所述第二隔膜层叠配置于所述第一隔膜的底板边缘部的上表面。其中，所述第二隔膜以环状形成，以便包围所述第一隔膜的底板中央部周围。其中，所述第二隔膜具有沿着所述第一隔膜的半径方向从内向外逐渐变厚的厚度。其中，在所述第二隔膜的上表面形成有倾斜面，所述倾斜面具有沿着所述第一隔膜的半径方向从内向外逐渐升高的高度。其中，所述倾斜面形成为曲面。其中，所述倾斜面形成为平面。其中，包括约束凸起，所述约束凸起凸出形成在所述第一隔膜的上表面，确定所述第二隔膜相对于所述第一隔膜的配置位置。其中，所述第一隔膜包括：在研磨工序中与所述研磨垫接触的第一底板中央部、以及以包围所述第一底板中央部周围的方式形成的第一底板边缘部；所述第二隔膜包括位于所述第一底板中央部的上侧的第二底板中央部、以及以包围所述第二底板中央部周围的方式形成并位于所述第一底板边缘部的上侧的第二底板边缘部。其中，所述第二底板边缘部形成为厚度厚于所述第二底板中央部。其中，在所述第二底板边缘部的上表面形成有倾斜面，所述倾斜面沿着所述第二隔膜的半径方向从内向外逐渐升高。其中，施加到所述研磨垫的压力曲线具有拐点位于所述研磨垫中心的圆弧形状。其中，施加到所述研磨垫的压力曲线具有拐点位于所述研磨垫中心的三角形形状。其中，在所述研磨垫的中央部，以均匀的范围施加所述第一压力。其中，在所述隔膜的上部，形成有被独立地分割的多个压力腔室，从所述研磨垫的中央部施加到所述基板的第一压力大于从所述研磨垫的边缘部施加到所述基板的第二压力。其中，对所述研磨垫加压的所述隔膜的底面沿着所述隔膜的半径方向被分割为多个加压区域，所述多个压力腔室个别地向所述多个加压区域施加互不相同的压力。其中，所述隔膜包括第一加压区域、以及以包围所述第一加压区域周围的方式形成并配置于所述研磨垫的边缘区域的第二加压区域，且在所述第二加压区域的上部，形成有向所述第二加压区域施加所述第二压力的第二压力腔室，在所述第一加压区域的上部，形成有向所述第一加压区域施加大于所述第二压力的所述第一压力的第一压力腔室。其中，所述第一加压区域与所述第二加压区域配置成同心。其中，所述第一加压区域包括沿着所述隔膜的半径方向被分割的多个第一分割区，所述第一压力腔室包括独立地向所述第一分割区施加压力的多个第一分割压力腔室。其中，在所述多个第一分割区，沿着所述隔膜的半径方向，被施加从中心向外侧逐渐减小的压力。其中，在所述多个第一分割区，被均匀地施加压力。其中，所述第二加压区域包括沿着所述隔膜的半径方向被分割的多个第二分割区，所述第二压力腔室包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，用于进行基板的研磨工序，其特征在于，包括：研磨垫，用于研磨基板的上表面；研磨头，具备与所述研磨垫上表面接触的隔膜，相对于所述基板进行移动。

【技术特征摘要】
2018.02.26 KR 10-2018-0022623;2018.04.25 KR 10-2011.一种基板处理装置，用于进行基板的研磨工序，其特征在于，包括：研磨垫，用于研磨基板的上表面；研磨头，具备与所述研磨垫上表面接触的隔膜，相对于所述基板进行移动。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述隔膜的上部，形成有连通为一个的单一压力腔室，从所述研磨垫的中央部施加到所述基板的第一压力大于从所述研磨垫的边缘部施加到所述基板的第二压力。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，在所述隔膜的底板中央部，施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第一压力；在所述隔膜的底板边缘部，施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第二压力。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板边缘部以包围所述隔膜的底板中央部的周围的方式形成。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板边缘部形成为厚度厚于所述隔膜的底板中央部。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板边缘部形成为具有沿着所述隔膜的半径方向从内向外逐渐变厚的厚度。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板边缘部的底面与隔膜的底板中央部的底面构成同一平面。8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板中央部与所述研磨垫接触，所述隔膜的底板边缘部从所述研磨垫隔开。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板边缘部以包围所述隔膜的底板中央部周围的方式形成。10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板边缘部形成为平面。11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板边缘部形成为曲面。12.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板边缘部以沿着所述隔膜的半径方向从内向外逐渐增大的形状，从所述研磨垫隔开。13.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板中央部与所述研磨垫接触，包括配置于所述隔膜的底板边缘部与所述研磨垫的上表面之间的中间构件。14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，从所述隔膜的底板中央部施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第一压力；从所述中间构件施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第二压力。15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，所述中间构件以包围所述隔膜的底板中央部周围的方式形成。16.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，所述中间构件形成为具有沿着所述隔膜的半径方向从内向外逐渐变厚的厚度。17.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜的底板边缘部与所述中间构件的上表面形成面接触。18.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述研磨头包括：本体部，在底面配备有所述隔膜；研磨垫卡环，与所述本体部连接，配置于所述隔膜的周围；卡环延伸部，从所述研磨垫卡环延伸，配置于所述隔膜的底板边缘部与所述研磨垫的上表面之间；卡环压力腔室，形成在所述卡环延伸部的上部；所述隔膜的底板中央部在所述卡环延伸部的内部，与所述研磨垫接触。19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于，在所述隔膜的底板中央部，施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第一压力；在所述卡环延伸部，施加将所述研磨垫加压于所述基板的所述第二压力。20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，所述卡环延伸部以包围所述隔膜的底板中央部周围的方式形成。21.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，所述卡环延伸部具有沿着所述隔膜的半径方向从内向外逐渐变厚的厚度。22.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔膜包括：第一隔膜，与所述研磨垫接触；第二隔膜，位于所述第一隔膜的上侧。23.根据权利要求22所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二隔膜层叠配置于所述第一隔膜的底板边缘部的上表面。24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二隔膜以环状形成，以便包围所述第一隔膜的底板中央部周围。25.根据权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二隔膜具有沿着所述第一隔膜的半径方向从内向外逐渐变厚的厚度。26.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第二隔膜的上表面形成有倾斜面，所述倾斜面具有沿着所述第一隔膜的半径方向从内向外...

【专利技术属性】
技术研发人员：林钟逸，赵珳技，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR