【技术实现步骤摘要】
一种动态随机存储器结构
本技术涉及半导体器件生产领域，具体地涉及动态随机存储器结构。
技术介绍
在半导体器件中，电介质材料形成在导电结构之间。随着半导体器件被高度集成，导电结构之间的距离逐渐减小，这增大了寄生电容的产生。而随着寄生电容的增大，半导体器件的性能也发生退化。为了降低寄生电容，可以使用减少电介质材料的介电常数的方法，或者使用具有低介电常数的材料。目前，所采用的电介质材料通常具有较高的介电常数，因此在降低寄生电容方面存在限制。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术存在的寄生电容导致半导体器件的性能发生退化的问题，提供了一种动态随机存储器结构，该动态随机存储器结构中采用具有极低介电常数的空气作为电介质材料，从而减少电容连接线间的寄生电容，提高了该动态随机存储器的性能。为了实现上述目的，本技术的实施方式提供了一种动态随机存储器结构，包括具有位元线和字元线的半导体衬底、位于所述位元线的两侧以及所述字元线间隔的区域的上方的插塞孔以及设置于所述插塞孔的两侧的插塞隔离墙，在所述插塞隔离墙的侧壁和所述位元线的侧壁形成一复合电介质层，所述复合电介质层包括第一位线间隔层、第...
【技术保护点】
1.一种动态随机存储器结构，其特征在于，包括具有位元线(10)和字元线(12)的半导体衬底(13)、位于所述位元线(10)的两侧以及所述字元线(12)间隔的区域的上方的插塞孔(22)以及设置于所述插塞孔(22)的两侧的插塞隔离墙(21)，在所述插塞隔离墙(21)的侧壁和所述位元线(10)的侧壁形成一复合电介质层，所述复合电介质层包括第一位线间隔层(23)、第二位线间隔层(25)以及位于所述第一位线间隔层(23)和所述第二位线间隔层(25)的空气间隔(28)，在所述第一位线间隔层(23)和所述第二位线间隔层(25)上覆盖一层遮盖层(29)，以气密封闭所述空气间隔(28)。
【技术特征摘要】
1.一种动态随机存储器结构，其特征在于，包括具有位元线(10)和字元线(12)的半导体衬底(13)、位于所述位元线(10)的两侧以及所述字元线(12)间隔的区域的上方的插塞孔(22)以及设置于所述插塞孔(22)的两侧的插塞隔离墙(21)，在所述插塞隔离墙(21)的侧壁和所述位元线(10)的侧壁形成一复合电介质层，所述复合电介质层包括第一位线间隔层(23)、第二位线间隔层(25)以及位于所述第一位线间隔层(23)和所述第二位线间隔层(25)的空气间隔(28)，在所述第一位线间隔层(23)和所述第二位线间隔层(25)上覆盖一层遮盖层(29)，以气密封闭所述空气间隔(28)。2.根据权利要求1所述的动态随机存储器结构，其特征在于，所述插塞孔(22)中具有第一插塞(26)和第二插塞(27A)。3.根据权利要求1所述的动态随机存储器结构，其特征在于，所述位元线(10)包括突出在所述半导体衬底(13)上的位线导体(16)和在所述位线导体(16)上的位线屏蔽(18)，所述半导体衬底(13)的上表面形成有源漏极区保...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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