具有隔离结构的芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种具有隔离结构的芯片的制造方法，其包括：提供晶片，所述晶片包括：衬底；形成于所述衬底上的第一电路；形成于所述衬底上的与所述第一电路相邻的第二电路；金属连接层，其位于所述衬底的第一表面且横跨衬底间隙区，所述金属连接层用于电连接第一电路和第二电路，所述衬底间隙区为第一电路和第二电路之间的衬底部分，切割衬底间隙区以形成隔离沟槽。这样可以增强电路隔离性能。

【技术实现步骤摘要】
具有隔离结构的芯片的制造方法
本专利技术涉及芯片设计
，特别涉及一种具有隔离结构的芯片的制造方法。
技术介绍
在芯片设计中，增强电路之间的隔离，可以减少噪声电路对敏感电路的影响。请参考图1所示，其描述了现有技术中把Part_A和Part_B两个电路集成在同一个芯片上的示意图。这样的好处是集成度高，一起加工效率高。但是会存在一个电路对另一个电路干扰的问题，例如Part_A为噪声很大的数字电路(Part_A可被称为噪声电路)，Part_B为对噪声敏感的模拟电路(Part_B可被称为敏感电路)。这样就会产生数字电路对模拟电路的干扰，降低模拟电路的性能，严重时会导致模拟电路功能失效。因此，有必要提出一种具有隔离结构的芯片的制造方法，来增强电路隔离性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一具有隔离结构的芯片的制造方法，其可以增强电路隔离性能。为了解决上述问题，本专利技术提供一种具有隔离结构的芯片的制造方法，其包括：提供晶片，所述晶片包括：衬底；形成于所述衬底上的第一电路；形成于所述衬底上的与所述第一电路相邻的第二电路；金属连接层，其位于所述衬底的第一表面且横跨衬底间隙区，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有隔离结构的芯片的制造方法，其特征在于，其包括：提供晶片，所述晶片包括：衬底；形成于所述衬底上的第一电路；形成于所述衬底上的与所述第一电路相邻的第二电路；金属连接层，其位于所述衬底的第一表面且横跨衬底间隙区，所述金属连接层用于电连接第一电路和第二电路，所述衬底间隙区为第一电路和第二电路之间的衬底部分，切割衬底间隙区以形成隔离沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种具有隔离结构的芯片的制造方法，其特征在于，其包括：提供晶片，所述晶片包括：衬底；形成于所述衬底上的第一电路；形成于所述衬底上的与所述第一电路相邻的第二电路；金属连接层，其位于所述衬底的第一表面且横跨衬底间隙区，所述金属连接层用于电连接第一电路和第二电路，所述衬底间隙区为第一电路和第二电路之间的衬底部分，切割衬底间隙区以形成隔离沟槽。2.根据权利要求1所述的具有隔离结构的芯片的制造方法，其特征在于，在切割衬底间隙区时，切割一部分衬底间隙区，所述隔离沟槽自衬底的第一表面贯穿至衬底的第二表面，且所述隔离沟槽贯穿一部分所述衬底间隙区；所述金属连接层横跨未被所述隔离沟槽贯穿的另一部分所述衬底间隙区。3.根据权利要求1所述的具有隔离结构的芯片的制造方法，其特征在于，在切割衬底时，切割整个衬底间隙区，所述隔离沟槽自衬底的第一表面贯穿至衬底的第二表面，且所述隔离沟槽贯穿整个所述衬底间隙区；所述金属连接层横跨整个所述衬底间隙区。4.根据权利要求1所述的具有隔离结构的芯片的制造方法，其特征在于，在提供晶片步骤中，所述晶片还包括密封环，所述密封环位于所述衬底的第一表面，所述密封环沿所述晶片的隔离沟槽的边缘，以及被切割形成晶片时的切割边缘形成环形结构。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，
申请(专利权)人：合肥中感微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34