具有气隙结构的射频开关制造技术

本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及具有气隙结构的射频(RF)开关以及制造的方法。该结构包括衬底，该衬底具有在至少一个栅极结构之下的阱区中形成的至少一个气隙结构，该至少一个气隙结构延伸到由至少一个栅极结构的源极/漏极区形成的结。

【技术实现步骤摘要】
具有气隙结构的射频开关
本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及具有气隙结构的射频(RF)开关以及制造的方法。
技术介绍
射频(RF)器件用于许多不同类型的通信应用。例如，RF器件可以用在具有诸如开关、MOSFET、晶体管和二极管的无线通信组件的蜂窝电话中。随着蜂窝电话变得更加复杂和商品化，越来越需要为无线通信组件提供更高的性能和更低的价格点。例如，制造RF开关的成本的很大一部分是用于设计非常高的线性度的成本，以使得谐波失真非常低并且满足产品规格。RF器件通常在高电阻率硅晶片或衬底上制造以实现所需的rf线性度。最先进的富陷阱绝缘体上硅(SOI)高电阻率衬底提供优异的垂直隔离和线性度，但是SOI晶片能够达到总制造成本的50％，因为它们可以是高电阻率非SOI衬底的成本的5到10倍，即，形成在SOI晶片上的rf器件可以具有1.0的总归一化制造成本，而形成在高电阻率非SOI体晶片上的类似器件可以具有0.6的总归一化制造成本。已知被构建在体Si衬底上的器件经受劣化的线性度、谐波、噪声和漏电流，其中的任何一种都会降低器件性能，由此必然使SOI晶片的成本更高。
技术实现思路
在本公开的一方面中，一种结构包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结构，其包括衬底，所述衬底具有形成在至少一个栅极结构之下的阱区中的至少一个气隙结构，所述至少一个气隙结构延伸到由所述至少一个栅极结构的源极/漏极区形成的结。

【技术特征摘要】
2017.07.10 US 15/6456551.一种结构，其包括衬底，所述衬底具有形成在至少一个栅极结构之下的阱区中的至少一个气隙结构，所述至少一个气隙结构延伸到由所述至少一个栅极结构的源极/漏极区形成的结。2.根据权利要求1所述的结构，其中所述衬底是具有大约大于1Kohm-cm的电阻率的体衬底。3.根据权利要求1所述的结构，其中所述至少一个气隙结构设置在邻近的栅极结构之间。4.根据权利要求3所述的结构，其中所述至少一个气隙结构被绝缘体材料加衬和塞填。5.根据权利要求4所述的结构，其中所述绝缘体材料是合并所述至少一个气隙结构中的多个气隙结构的氧化材料。6.根据权利要求1所述的结构，其中所述至少一个气隙结构是具有氧化侧壁的单个气隙并且从所述阱区中的多个沟槽延伸。7.根据权利要求1所述的结构，其中所述高电阻率衬底包括具有与所述栅极结构邻近的深沟槽隔离结构的双阱堆叠，所述深沟槽隔离结构延伸到底部背侧研磨界面。8.根据权利要求1所述的结构，其中所述高电阻率衬底包括三阱堆叠。9.一种结构，包括：具有至少一个阱区的衬底；位于所述至少一个阱区上方的至少一个栅极结构；延伸到所述至少一个阱区中的多个沟槽；以及至少一个气隙结构，从所述多个沟槽延伸、位于所述至少一个栅极结构的源极/漏极区之下...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·K·斯塔珀，S·M·尚克，J·J·埃利斯莫纳甘，S·P·埃杜苏米利，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY