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本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及具有气隙结构的射频(RF)开关以及制造的方法。该结构包括衬底，该衬底具有在至少一个栅极结构之下的阱区中形成的至少一个气隙结构，该至少一个气隙结构延伸到由至少一个栅极结构的源极/漏极区形成的结。...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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