ESD保护器件以及信号传输线路制造技术

ESD保护器件(10)具备：具有第一主面(201)的半导体基板(20)；形成于第一主面(201)的端子电极(41、42)并连接与地线连接的端子电极(43)和端子电极(41、42)，并且构成主线路的一部分的布线电极(51)。在俯视时，半导体基板呈立方体形状。在半导体基板(20)形成有与布线电极(51)连接的第一半导体区域、与第三端子电极连接的第二半导体区域、以及第三半导体区域。第一半导体区域和第二半导体区域沿着半导体基板(20)的短边排列，并且经由沿着短边形成的第三半导体区域电连接。

ESD Protective Devices and Signal Transmission Lines

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】ESD保护器件以及信号传输线路
本技术涉及使用半导体使所希望的信号通过，并且用于将浪涌等导入地线的ESD保护器件。
技术介绍
以往，以电子部件免受静电等浪涌的影响为目的，将ESD保护元件或者ESD保护电路实用化。例如，在专利文献1中记载了使用齐纳二极管的ESD保护电路。专利文献1所示的齐纳二极管具有2个端子，一个端子与信号线连接，另一个端子与地线连接。这样的齐纳二极管一般具有立方体的壳体。在壳体形成有半导体的PN结，即利用二极管的TVS元件。另外，在壳体的两端，分别形成有成为上述的一个端子以及另一个端子的外部连接电极。即，齐纳二极管由双端子型的芯片部件来实现。专利文献1：日本特开2001－327069号公报然而，在由上述的双端子型的芯片部件构成的齐纳二极管中，TVS元件的ESL(等效串联电感)和将该TVS元件连接于各外部连接电极的布线的ESL串联连接。因此，存在作为齐纳二极管的ESL增大并且作为保护ESD的性能、所希望的信号的传输特性降低的情况。
技术实现思路
因此，本技术的目的在于提供一种ESL较小的ESD保护器件。本技术的ESD保护器件具备：半导体基板，具有第一主面；形成于半导体基板的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ESD保护器件，其特征在于，具备：半导体基板，具有第一主面；形成于所述半导体基板的所述第一主面侧的第一端子电极、第二端子电极以及第三端子电极，所述第三端子电极与地线连接；以及布线电极，形成于所述半导体基板的所述第一主面侧并连接所述第一端子电极和所述第二端子电极，并且构成主线路的一部分，在俯视时，所述半导体基板呈立方体形状，所述半导体基板具有沿着与所述半导体基板的厚度方向正交的第一方向的长边和沿着与所述厚度方向以及所述第一方向正交的第二方向的短边，所述布线电极和所述第三端子电极经由所述半导体基板连接，在所述半导体基板形成有与所述布线电极连接的第一半导体区域、与所述第三端子电极连接的第二半...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.08.10 JP 2017-1551191.一种ESD保护器件，其特征在于，具备：半导体基板，具有第一主面；形成于所述半导体基板的所述第一主面侧的第一端子电极、第二端子电极以及第三端子电极，所述第三端子电极与地线连接；以及布线电极，形成于所述半导体基板的所述第一主面侧并连接所述第一端子电极和所述第二端子电极，并且构成主线路的一部分，在俯视时，所述半导体基板呈立方体形状，所述半导体基板具有沿着与所述半导体基板的厚度方向正交的第一方向的长边和沿着与所述厚度方向以及所述第一方向正交的第二方向的短边，所述布线电极和所述第三端子电极经由所述半导体基板连接，在所述半导体基板形成有与所述布线电极连接的第一半导体区域、与所述第三端子电极连接的第二半导体区域、以及第三半导体区域，所述第一半导体区域和所述第二半导体区域沿着所述第二方向排列，并且经由沿着所述第二方向形成的所述第三半导体区域电连接，从而在俯视时，从所述布线电极流动到所述第三端子电极的电流沿着所述半导体基板的所述第二方向流动。2.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述半导体基板的所述第一主面具备：与所述布线电极连接的第一焊盘电极、以及与所述第三端子电极连接的第二焊盘电极，所述第一焊盘电极中的从所述第一焊盘电极向所述半导体基板的内部输入电流的第一部分和所述第二焊盘电极中的从所述第二焊盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：植木纪行，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本,JP