半导体电容器制造技术

本发明专利技术提供一种半导体电容器，其能够用由半导体基板构成的电路来应对多种请求。具备半导体基板(2A)、形成于半导体基板(2A)的电极组(4)、绝缘物(2B)，形成有多个电容器(C1～C3)。多个电容器(C1～C3)具有在电极组(4)各自之间夹有绝缘物(2B)的构造。多个电容器(C1～C3)设定为电容器(C1～C3)承受规定电压的能力即耐性、和漏电流在电容器(C1～C3)中的流动容易度即电导中的至少一方不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体电容器
本专利技术涉及具有在电极组各自之间夹有绝缘物的构造的半导体电容器。
技术介绍
目前，已知有利用半导体的电容器。在该电容器中，在半导体基板的一主面上形成有沟槽电极。形成该电容器的工艺首先在半导体基板的一主面形成沟槽。接着，在该沟槽内形成作为绝缘膜的氧化膜。然后，在半导体基板的表面形成由电极材料填埋沟槽而成的沟槽电极。接着，在相邻的沟槽电极间形成作为电介体的氧化膜。经过该工艺制造的电容器在沟槽电极间呈卧式电容器的构造(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本专利第5270124号公报然而，利用半导体的电容器根据其要求的请求，耐压、电导等特性不同。由此，每当改变请求时，都需要改变电容器的特性。但是，现有的半导体电容器在半导体基板上设有相同特性的电容器。因此，在现有的半导体电容器中，存在不能用半导体基板构成的电路来应对多种请求之类的问题。
技术实现思路
本专利技术是着眼于上述问题而设立的，其目的在于提供一种能够用半导体基板构成的电路来应对多种请求的半导体电容器。为了实现上述目的，本专利技术的半导体电容器具备：半导体基板、形成于半导体基板的电极组、绝缘物，形成多个电容器。多个电容器具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体电容器，其具备：半导体基板、形成于所述半导体基板的电极组、绝缘物，形成多个电容器，所述多个电容器具有在所述电极组各自之间夹有所述绝缘物的构造，其特征在于，所述多个电容器设定为电容器承受规定电压的能力即耐性、和漏电流在电容器中的流动容易度即电导中的至少一方不同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体电容器，其具备：半导体基板、形成于所述半导体基板的电极组、绝缘物，形成多个电容器，所述多个电容器具有在所述电极组各自之间夹有所述绝缘物的构造，其特征在于，所述多个电容器设定为电容器承受规定电压的能力即耐性、和漏电流在电容器中的流动容易度即电导中的至少一方不同。2.如权利要求1所述的半导体电容器，其特征在于，构成所述电极组的各单位电极具有埋入到在所述半导体基板的表面形成的槽中的沟槽电极的构造。3.如权利要求1或2所述的半导体电容器，其特征在于，所述电极组中的一个单位电极为所述半导体基板。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：早见泰明，林哲也，图子祐辅，倪威，大久保明范，
申请(专利权)人：日产自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP