半导体芯片、半导体晶圆制造技术

本申请提供了一种半导体芯片、半导体晶圆，其中半导体芯片包括基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于所述第一侧面的所述半导体芯片的源极；设置在所述基底上的通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；基于所述第二侧面形成、并通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层，基于所述种子金属层形成的背面金属层；所述半导体芯片两端各设置一定的距离不覆盖所述种子金属层。通过对半导体芯片两端的结构结构设计实现在便于芯片切割的同时，减少芯片背面的结构变形。

Semiconductor chips and wafers

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片、半导体晶圆
本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体芯片、半导体晶圆。
技术介绍
在一些类似晶体管的半导体器件通常包括源极S、漏极D、栅极G及衬底B，此类半导体器件的使用环境中，源极和衬底常需要进行接地处理。在一些实施方式中，为了提高半导体器件的增益，减小接地电感，会在衬底上开设贯穿衬底的通孔，然后用金属填充至通孔中并与半导体器件的源极接触，从而将源极和衬底背面接地的背面金属层相连，以减少源极到地的电感。在这种方式中，通常是先在衬底背面形成经通孔延伸至与源极电性接触的种子金属层，然后在种子金属层上形成用于接地的背面金属层。
技术实现思路
本申请的目的之一在于提供一种便于切割和工业应用的半导体芯片结构，包括：基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于所述第一侧面的所述半导体芯片的源极；设置在所述基底上的通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；基于所述第二侧面形成、并通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层，基于所述种子金属层形成的背面金属层；所述半导体芯片两端各设置一定的距离不覆盖所述种子金属层。可选地，所述源极与所述半导体芯片的第一端面的距离为L1，所述种子金属层在所述第二侧面内与所述半导体芯片的第一端面的距离为L2，且L1>L2。可选地，所述半导体芯片还包括漏极，所述漏极与所述半导体芯片的第二端面的距离为L3，所述种子金属层在所述第二侧面内与所述半导体芯片的第二端面的距离为L4，且L3>L4。可选地，所述背面金属层完全覆盖所述种子金属层，或者在靠近所述半导体芯片两端面的种子金属层表面各设置一定的距离不覆盖所述背面金属层。可选地，所述背面金属层与所述种子金属层在靠近所述半导体芯片两端面处形成的断面为斜面。可选地，所述背面金属层与所述种子金属层在靠近所述半导体芯片两端面处形成的断面为台阶面。可选地，所述背面金属层和/或所述种子金属层在靠近所述半导体芯片两端面处形成的断面与所述第二侧面形成倾斜角。可选地，所述种子金属层包括第一金属材料层和第二金属材料层，所述第一金属材料层基于所述第二侧面制造形成，所述第二金属材料层基于所述第一金属材料层制造形成并位于第一金属材料层与背面金属层之间，所述第二金属材料层和第一金属材料层在所述第二侧面上方形成一底切结构。可选地，在靠近所述半导体芯片两端面处未覆盖所述背面金属层和/或所述种子金属层的位置填充非金属材料，形成填充层。可选地，所述通孔中填充有与所述源极电性接触的导电材料，所述种子金属层与所述导电材料接触从而与所述源极电性连通。本申请的另一目的在于提供一种半导体晶圆，包括多个本申请提供的所述半导体芯片。本申请具有以下有益效果：本申请提供的半导体芯片、半导体晶圆。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1-图5为本申请实施例提供的不同半导体芯片的剖面示意图；图标：10-半导体芯片；11-基底；111-衬底层；112-外延层；12-源极；18-栅极；19-漏极；13-通孔；14-导电材料；15-种子金属层；240-光刻胶；16-背面金属层。具体实施方式为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。有鉴于此，本实施例提供一种半导体芯片、半导体晶圆结构，下面对本实施例提供的方案进行详细阐述。需要注意的是，发现上述问题的过程及解决上述问题的方案均是技术人通过付出创造性的思考得出的，因此应视为对本申请创造性所作出的贡献。请参照图1，本实施例提供的半导体器件常可以制成于半导体晶圆上。基于半导体晶圆可以制造多个半导体芯片10，在本实施例中，半导体芯片10可以为氮化镓材料制成的高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor，HEMT)，也可以是其他材料的半导体芯片。基于基底11的其中一面(图1所示靠下的一面)设置有半导体芯片10的源极12，在本实施例中，将该设置有半导体芯片10的源极12的一面作为基底11的第一侧面，基底11与第一侧面相对的一面(图1所示靠上的一面)为该基底11的第二侧面。半导体芯片10靠近源极12端的端面为第一端面M，靠近漏极19端的端面为第二端面N。应当理解的是，在基底11的第一侧面上除了设置有半导体芯片10的源极12外还可以设置有半导体芯片10的其他部分，例如的半导体芯片10的栅极18和漏极19等。可选地，在本实施例的一种实施方式中，基底11可以包括衬底层111和半导体外延层112，其中，靠近半导体芯片10的源极12的一层为半导体外延层112，远离源极12的一层为衬底层111。衬底层111可以由硅、蓝宝石、碳化硅、砷化镓中的其中一种材料形成。半导体外延层112可以由例如氮化物等材料制成，例如，由氮化镓和铝镓氮中的一种或者两种形成。可选地，在本实施例的另一种实施方式中，基底11也可以仅包括衬底层111。在本实施例中，基底11上设置有通孔13，通孔13的设置位置可以与源极12的位置对应，通孔13可以从第二侧面贯穿基底11至第一侧面。当基底11包括衬底层111和外延层112时，通孔13贯穿衬底层111及半导体外延层112。通孔13的截面形状可以是圆形、椭圆形等任意形状，通孔13的剖面的形状可以是梯形等任意形状。在本实施例中，基于基底11的第二侧面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于所述第一侧面的所述半导体芯片的源极；设置在所述基底上的通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；基于所述第二侧面形成、并通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层，基于所述种子金属层形成的背面金属层；所述半导体芯片两端各设置一定的距离不覆盖所述种子金属层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于所述第一侧面的所述半导体芯片的源极；设置在所述基底上的通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；基于所述第二侧面形成、并通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层，基于所述种子金属层形成的背面金属层；所述半导体芯片两端各设置一定的距离不覆盖所述种子金属层。2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述源极与所述半导体芯片的第一端面的距离为L1，所述种子金属层在所述第二侧面内与所述半导体芯片的第一端面的距离为L2，且L1>L2。3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片还包括漏极，所述漏极与所述半导体芯片的第二端面的距离为L3，所述种子金属层在所述第二侧面内与所述半导体芯片的第二端面的距离为L4，且L3>L4。4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述背面金属层完全覆盖所述种子金属层，或者在靠近所述半导体芯片两端面的种子金属层表面各设置一定的距离不覆盖所述背面金属层。5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，所述背面金...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴星星，潘盼，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32