半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能够降低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、栅极电极、第1电极和第2电极。第2半导体区域设在第1半导体区域的一部分之上。第3半导体区域设在第2半导体区域的一部分之上。第4半导体区域设在第1半导体区域的另一部分之上。第4半导体区域具有第1部分和第2部分。第1部分和第2半导体区域在与从第1半导体区域朝向第2半导体区域的第1方向交叉的第2方向上排列。第2部分位于第3半导体区域的上方。栅极电极隔着栅极绝缘层设在第2半导体区域的另一部分、第3半导体区域的一部分及第1部分之上。

Semiconductor Device

The embodiment provides a semiconductor device capable of reducing the on-resistance. The semiconductor device according to the embodiment has a first semiconductor region, a second semiconductor region of the first conductive type, a third semiconductor region of the second conductive type, a fourth semiconductor region of the second conductive type, a gate electrode, a first electrode and a second electrode. The second semiconductor region is located on a part of the first semiconductor region. The third semiconductor region is located on a part of the second semiconductor region. The fourth semiconductor region is located on another part of the first semiconductor region. The fourth semiconductor region has parts 1 and 2. The first and second semiconductor regions are arranged in the second direction intersecting the first direction from the first semiconductor region to the second semiconductor region. Part 2 is located above the third semiconductor region. The gate electrode is separated from the gate insulating layer and is located on another part of the second semiconductor region, a part of the third semiconductor region and a part of the first part.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请基于日本专利申请第2017－177095号(申请日：2017年9月14日)主张优先权，本申请通过参照该基础申请而包含其全部内容。
本专利技术的实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
在MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等的半导体装置中，希望导通状态下的电阻(导通电阻)的减小。
技术实现思路
技术方案提供一种能够降低导通电阻的半导体装置。技术方案的的半导体装置具有第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、栅极电极、第1电极和第2电极。上述第2半导体区域设在上述第1半导体区域的一部分之上。上述第3半导体区域设在上述第2半导体区域的一部分之上。上述第4半导体区域设在上述第1半导体区域的另一部分之上。上述第4半导体区域具有第1部分和第2部分。上述第1部分和上述第2半导体区域在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向交叉的第2方向上排列。上述第2部分位于上述第3半导体区域的上方。上述栅极电极隔着栅极绝缘层设在上述第2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，具备：第1半导体区域；第1导电型的第2半导体区域，设在上述第1半导体区域的一部分之上；第2导电型的第3半导体区域，设在上述第2半导体区域的一部分之上；第2导电型的第4半导体区域，设在上述第1半导体区域的另一部分之上，具有第1部分和第2部分，上述第1部分和上述第2半导体区域在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向交叉的第2方向上排列，上述第2部分位于上述第3半导体区域的上方；栅极电极，隔着栅极绝缘层设在上述第2半导体区域的另一部分、上述第3半导体区域的一部分及上述第1部分之上；第1电极，设在上述第3半导体区域的另一部分之上，与上述第3半导体区域电连接；以...

【技术特征摘要】
2017.09.14 JP 2017-1770951.一种半导体装置，其中，具备：第1半导体区域；第1导电型的第2半导体区域，设在上述第1半导体区域的一部分之上；第2导电型的第3半导体区域，设在上述第2半导体区域的一部分之上；第2导电型的第4半导体区域，设在上述第1半导体区域的另一部分之上，具有第1部分和第2部分，上述第1部分和上述第2半导体区域在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向交叉的第2方向上排列，上述第2部分位于上述第3半导体区域的上方；栅极电极，隔着栅极绝缘层设在上述第2半导体区域的另一部分、上述第3半导体区域的一部分及上述第1部分之上；第1电极，设在上述第3半导体区域的另一部分之上，与上述第3半导体区域电连接；以及第2电极，设在上述第2部分之上，与上述第4半导体区域电连接。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩津泰德，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP